Antwort auf Beitrag Nr.:
31.174.880 von Kpf am 15.08.07
20:40:58@Klaus, ZRAM
Die DRAM Hersteller haben festgestellt, dass ladungsgebundener
Speicher nicht viel weiter skaliert. Die Kapazitäten lassen sich
nicht unbegrenzt verkleinern. Man hat den Kondensator schon in die
Vertikale gedreht, um Platz in der Fläche zu sparen, und viel mehr
geht nicht. Da ist ZRAM ein Ansatz, der bei zunächst höheren
Produktionskosten immerhin mit den Nodes weiter skaliert.
Als Kandidat für execution-memory in einem Chipstack oder mcm
mit NAND für wireless sieht ZRAM besser aus
Hier wird ZRAM sicher alles andere als billiger gegenüber mobile
DRAM, aber es wird der eine, große Schwachpunkt gemildert, nämlich
dass das execution-memory den Löwenanteil an Strom verbraucht. Mit
dem Wechsel von bulk zu SOI ist bei gleichem Node mindestens eine
Halbierung der Leistungsaufnahme verbunden. Das macht ZRAM m.E.
gerade im leading edge Bereich der Mobilgeräte interessant, wo es
weniger auf die Kosten als auf die Features, wie Akkulaufzeit
ankommt. Vielleicht ist SPSN heute deshalb wieder abgesoffen.
Ich bin anderer Meinung, was den Einsatzort von ZRAM betrifft. Zum
einen gewährt uns das Finanzamt eine dreijährige Abschreibungsfrist
auf unsere Rechner. Das geht schon mal schneller als die vier oder
fünf Jahre, nach denen ein Handset obsolet wird. Zum andern braucht
man ZRAM nicht um eine Größenordnung auszubremsen, es ist sogar
schneller als heutiges DRAM. IIrc jedenfalls in Sachen Latenzzeit,
die Bandbreite ist eine Angelegenheit des Designs. Warum auch sonst
würde Hynix sich dafür interessieren?
Weniger Schreibzyklen bis zum nächsten Bitfehler sind natürlich
unschön aber auch kein Showstopper. Da kann man drumherum designen,
das ist eine Frage des Aufwandes, nicht der Machbarkeit.
Fully depleted SOI habe ich nirgends als Voraussetzung für ZRAM
genannt gesehen, hast du dafür eine Quelle? Das würde die Karten
erstmal neu mischen. MfG