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Frankfurt
| Börsenplatz | Frankfurt |
| Letzter Kurs | 0,0330 EUR |
| Performance | -28,26 % |
| Kurszeit | 08:11:39 |
| Vortageskurs | 0,0460 EUR |
| 52-Wochen Hoch | 0,0484 EUR |
| 52-Wochen Tief | 0,0296 EUR |
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3 Tag(e) • Bearbeitet •
https://www.linkedin.com/company/nanoveu/ präsentiert die EMASS-Halbleiterstrategie auf der Pitt Street Research Conference und präsentiert den ECS-DoT-Chip, der einen bis zu 20-fachen Energieeffizienzvorteil bei ultrastromarmer Edge-KI-Verarbeitung bietet.
Die Demonstration positionierte die Technologie des Unternehmens in den für 2030 prognostizierten System-on-Chip-Markt von 325,7 Milliarden US-Dollar und zielte auf batteriebeschränkte Anwendungen ab, bei denen lokale KI-Verarbeitung kritische Latenz- und Stromverbrauchsprobleme löst.
📋 Ankündigungs-Highlights:
🔹 Der ECS-DoT-Chip erreicht eine Inferenzlatenz von unter 10 ms im Vergleich zu 150–300 ms bei konkurrierenden Lösungen
🔹 Der Stromverbrauch reicht von weniger als 1 mW bis 5 mW, mit durchschnittlich 2 mW bei ständigem Betrieb
🔹 Drohnensimulationen zeigen eine durchschnittliche Flugzeitsteigerung um 60 %, wobei Hexakopter-Konfigurationen eine Ausdauerverbesserung von bis zu 75 % erreichen
🔹 Kooperationen mit Arrow Electronics (28 Milliarden US-Dollar), Semtech Corporation und STMicroelectronics für Referenzdesigns und -vertrieb
🔹 Das Unternehmen hält 1,8 Millionen US-Dollar in Bar, wobei die Kapitalbeschaffung von 7,5 Millionen US-Dollar im Januar 2026 abgeschlossen wurde
Dr. https://www.linkedin.com/in/mohamed-m-sabry-aly/, Direktor und Gründer von EMASS, stellte die Wettbewerbsposition der Technologie in Edge-AI-Märkten dar, in denen Echtzeitverarbeitung ohne Cloud-Konnektivität IoT-, Wearable- und autonome Geräteanforderungen abdeckt.
Der Chip erhielt auf der CES und im Embedded World Auszeichnungen für KI und Machine Learning als Best-in-Show-Auszeichnungen und validierte damit seine Architektur für Vision-, Audio- und Sensordatenanwendungen.
📅 Kommende Katalysatoren:
🔸 Ergebnisse von Live-Drohnen-Versuchen — April 2026
🔸 Erste ECS-DoT-Chipverkäufe — 2026
🔸 Verbesserungen des nächsten 16-nm-Chips mit integriertem Bluetooth Low Energy
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🔗 Lesen Sie die vollständige technische Analyse und die Partnerschaftsübersicht: https://www.linkedin.com/safety/go/?url=https%3A%2F%2Flnkd%2Ein%2Fg_6p3dQt&urlhash=F_jZ&isSdui=true
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aus HC
Wer den Falschmeldungen glaubt, ist selbst schuld.
Dies ist keine Forschungs- und Entwicklungsarbeit, wie manche hier fälschlicherweise behaupten – der Prozessor wird bereits im 22-nm-Format kommerzialisiert und befindet sich bei TSMC in der Entwicklung einer 16-nm-Variante.
Woher stammt dieser SoC-Prozessor also?
https://news.stanford.edu/stories/2015/12/n3xt-computing-structure-120915
2015 – Sabry, Wong, Mitra und Mitarbeiter
Neue Transistor- und Speichermaterialien
Ingenieure haben bereits versucht, Siliziumchips zu stapeln, jedoch mit mäßigem Erfolg, so Mohamed M. Sabry Aly, Postdoktorand an der Stanford University und Erstautor der Studie.
Die Herstellung eines Siliziumchips erfordert Temperaturen von nahezu 1800 Grad Fahrenheit (ca. 1000 Grad Celsius), was es extrem schwierig macht, einen Siliziumchip auf einen anderen zu stapeln, ohne die erste Schicht zu beschädigen. Der gängige Ansatz für sogenannte 3D- oder gestapelte Chips besteht darin, zwei Siliziumchips separat herzustellen, sie anschließend zu stapeln und mit einigen tausend Drähten zu verbinden.
Herkömmliche 3D-Siliziumchips sind jedoch nach wie vor anfällig für Datenstaus, und der Datentransfer über die vergleichsweise wenigen Verbindungsdrähte ist sehr energieaufwendig.
Das N3XT-Team verfolgt einen radikal anderen Ansatz: Prozessoren und Speicher werden direkt übereinander angeordnet und durch Millionen elektronischer Leiterbahnen verbunden. Diese können mehr Daten über kürzere Distanzen und mit weniger Energieaufwand übertragen als herkömmliche Leitungen. Der N3XT-Ansatz besteht darin, Rechenleistung und Datenspeicherung in einem elektronischen Supergerät zu vereinen.
Der Schlüssel liegt in der Verwendung von Nicht-Silizium-Materialien, die bei deutlich niedrigeren Temperaturen als Silizium verarbeitet werden können. Dadurch können Prozessoren auf dem Speicher aufgebaut werden, ohne dass die darunterliegende Schicht durch die neue Schicht beschädigt wird. Die N3XT-Hochleistungschips basieren auf Kohlenstoffnanoröhren-Transistoren (CNTs). Transistoren sind die Grundbausteine eines Computerprozessors, die winzigen Ein-/Ausschalter, die digitale Nullen und Einsen erzeugen. Kohlenstoffnanoröhren (CNTs) sind schneller und energieeffizienter als Siliziumprozessoren. Darüber hinaus können sie in der N3XT-Architektur über und unter anderen Speicherschichten platziert werden.
Ein echter monolithischer 3D-Rechen-/Speicherprozessor, der die Leistungsfähigkeit aller aktuellen Edge-Inferenzprozessoren übertrifft.
Dies ist noch unbekannt – die Industrie beginnt erst jetzt, dies zu erkennen (z. B. Arrow, Semtech, OEMs usw.).
Wenn die Ausführungskosten sinken, steigen sie deutlich.
Meinung basierend auf frei verfügbaren Informationen.
Recherchieren Sie selbst.
Info.
| Name | Nanoveu Ltd |
| Kurzname | Nanoveu |
| Namenszusatz | Registered Shs |
| Kategorie | Aktien |
| Aktientyp | Stammaktien |
| WKN | A3EEK4 |
| ISIN | AU0000024796 |
| Symbol | Q2L |
| Branche | Nanotechnologie |
| Land | |
| Referenzwährung | AUD |
| Aktienanzahl | 1,08 Mrd. |
| Marktkapitalisierung | 35,65 Mio. EUR |
| Wertpapier | Kurs | Perf. % | |
|---|---|---|---|
| 11,180 | +25,76 | ||
| 0,5615 | +4,76 | ||
| 0,7310 | +1,51 | ||
| 15,630 | +1,23 | ||
| 1,7600 | +1,15 | ||
| 1,1100 | -3,06 | ||
| 0,5565 | -3,47 | ||
| 7,3650 | -3,66 | ||
| 17,080 | -3,94 | ||
| 0,8450 | -6,11 |
| Name | Nanoveu Ltd |
| Stadt | Subiaco WA |
| Land | |
| Webseite | www.nanoveu.com |
| Emissionspreis | 0,2000 EUR |
| Emissionsvolumen | 30.000.000 Stück |
| Zeichnungsgebühr | Nein |
| IPO Anmeldetag | 30.08.2018 |
| Liberierungsdatum | 19.10.2018 |
| Zeichnung von | 07.09.2018 |
| Zeichnung bis | 19.10.2018 |
| Minimale Zeichnung | 10.000Stück |
| Platzierung | Öffentlich |
| Corning | (US2193501051) |
| 3M | (US88579Y1010) |