SOLARWORLD ++ vorab Q-Zahlen 5/11 + gab es einen Aktienrückkauf im 3-Q ? ++ (Seite 6056)

[bossi1]

Sharp verzehnfacht Produktionskapazität von Dünnschicht-Solarzellen


Sharp-Solar-Produktion im japanischen
Katsuragi

Der Photovoltaik-Hersteller Sharp will bis Oktober 2008 die Produktionskapazität für Dünnschicht-Solarzellen in der japanischen Fabrik Katsuragi von 15 auf 160 Megawatt steigern. Damit baue der Technologiekonzern den strategisch wichtigen Solarbereich als Kerngeschäftsfeld neben LCD-TV und Information Systems weiter aus, so das Unternehmen in einer Pressemitteilung. Mit dem Ausbau der Dünnschicht-Produktionskapazität stärke das Technologieunternehmen die Photovoltaik als strategischen Geschäftsbereich innerhalb des Gesamtunternehmens deutlich. Rund 22 Milliarden Japanische Yen (etwa 135 Millionen Euro) investiere Sharp als Weltmarktführer bei der Herstellung von Solarzellen im kommenden Jahr in den Ausbau des japanischen Solarzellen-Werks Katsuragi. Die Dünnschichttechnologie gewinne innerhalb der Photovoltaik sowohl technologisch als auch durch die wachsende Produktion zunehmend an Relevanz, betont SHARP. Dünnschichtzellen erforderten im Vergleich zu poly- und monokristallinen Zellen weniger Silizium, könnten daher auch kostengünstiger produziert werden und brächten gute Erträge.


Triple Junction-Zellen mit einem Wirkungsgrad von 11 Prozent

"Wir verfolgen sowohl technologisch als auch in der Produktion von Dünnschichtzellen ambitionierte Ziele. In unserer bestehenden Farbrik Katsuragi steigern wir im Laufe des nächsten Jahres nicht nur die Produktionskapazität bei Dünnschichtzellen von 15 auf 160 Megawatt. Darüber hinaus setzen wir hier auf unsere neuen Triple Junction-Zellen, die mit einem gesteigerten Wirkungsgrad von 11 Prozent den Dünnschicht-Markt technologisch anführen", so Peter Thiele, General Manager Sharp Solar Business Group Germany/Austria.


Know-how der LCD-Fertigung für die Produktion von Dünnschichtsolarzellen

Bereits in diesem Jahr hat Sharp die neu entwickelten Triple Junction Zellen vorgestellt. Dank intensiver Forschung hat der japanische Konzern damit innerhalb weniger Jahre eine Steigerung des Wirkungsgrads um fast drei Prozent erreicht. Dabei kann Sharp als Hersteller von LCD-Panels auf das spezielle Know-how der Oberflächenbeschichtung von Glas zurückgreifen und auf die Produktion der Dünnschichtzellen anwenden. Mit den neu entwickelten Triple-Zellen (zwei amorphe und eine mikrokristalline Siliziumschicht) ist Sharp in der Lage, Dünnschichtmodule mit einem Wirkungsgrad von über 10 Prozent herzustellen.


Gigawatt-Solarfabrik soll bis 2010 in Sakai gebaut werden

Der Ausbau der bestehenden Fabrik Katsuragi sei nur der erste Schritt auf dem Weg zur weiteren Produktions-Steigerung um 1.000 Megawatt mit der neuen Fabrik Sakai im Jahr 2010, betont SHARP. Damit arbeite das Unternehmen zielstrebig auf die Massenproduktion und sinkende Preise der Dünnschichtzellen hin. Mit der weltweit größten Solarfabrik in Sakai entstehe ein über eine Million Quadratmeter großer Industriepark, der auch Platz für Zulieferbetriebe bietet. Sharp nutze die technologischen und infrastrukturellen Synergien und erzielt dadurch eine erhebliche Kostensenkung. Durch die Kombination modernster Fabriken mit vertikal-integrierter Produktion demonstriere Sharp seine Innovationsführerschaft in den Märkten der Zukunft: Consumer Electronics und erneuerbare Energien.

06.12.2007 Quelle: Sharp Electronics (Europe) GmbH

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Sonnenenergie: Photovoltaik & Solarthermie
Dünne Schichten – hoher Ertrag



Triple-Junction-Zellen erschließen zweistellige Wirkungsgrade
So unterschiedlich wie die Einsatzgebiete von Solarstrom ist das Angebot der Photovoltaik-Technologien. Für jeden Einsatzzweck von Flach- oder Spitzdach über Fassadenlösung bis zur Großanlage gibt es die passende Technologie. Neben den kristallinen Standardmodulen, die zurzeit noch am meisten installiert sind, kommen zunehmend Dünnschichtmodule zum Einsatz. * Marcus van Aacken


Der Wirkungsgrad der Dünnschichtmodule ist grundsätzlich geringer. Bei bestimmten Technologien beträgt er sogar nur die Hälfte. Allerdings gilt das nur für ideal ausgerichtete und beleuchtete Photovoltaikmodule in einer verschattungsfreien Umgebung – eine in der Praxis recht seltene Kombination.

Der zentrale Vorteil der Dünnschichttechnologie gegenüber den kristallinen Solartechnologien liegt in ihrem meist höheren spezifischen Energieertrag. Diese für die Wirtschaftlichkeit entscheidende Größe beschreibt den elektrischen Energieertrag pro installierter Leistung und wird in kWh/kWp (erzeugte Energie in Kilowattstunden pro Kilowatt-Peakleistung) angegeben. Im Detail erhöhen drei Eigenschaften der Dünnschichttechnologie in den meisten Anwendungsfällen den spezifischen Energieertrag:

Zu dem zentralen Vorteil höherer spezifischer Energieerträge kommt der meist günstigere Preis der Dünnschichtmodule. So spiegeln sich die günstigeren Herstellungskosten der Dünnschichttechnik auch im Verkaufspreis von Modul und Photovoltaiksystem wider.

Anwendungen Dünnschichtmodule
Gerade in drei Anwendungsgebieten kann die Dünnschichttechnologie mit ihren speziellen Produkteigenschaften punkten.Hausdächer: Die geringere Anfangsinvestition, die homogene Optik der Dünnschichtmodule sowie die häufig suboptimalen Dach-Bedingungen durch Verschattung und nicht optimale Dachausrichtung machen Dünnschichtmodule häufig zum Preis-Leistungs-Sieger unter den Solarstrommodulen.Großanlagen: Das Preis-Leistungs-Verhältnis ist gerade bei Großanlagen ein wichtiges Argument. Durch geschickte Systemtechnik, das heißt schnelle Installation und eine günstige Gestelltechnik, kann der Wirkungsgradnachteil wettgemacht werden. Der Energieertragsvorteil der Dünnschichttechnologie zeigt sich besonders in warmen Regionen, da hier die hohen Umgebungstemperaturen deutlich weniger Einfluss auf den Ertrag haben. Gebäudeintegration: Auch bei Sonderlösungen wie der Gebäudeintegration kommen Dünnschichtmodule dank ihrer homogenen schwarzen Optik vor allem dort zum Einsatz, wo die Ästhetik eine wichtige Rolle spielt. Durch die Verwendung von Glas als Modulrückseite und mit einer speziellen Laserbearbeitung der Zellen können zum Beispiel die mikroamorphen Dünnschichtmodule von Sharp mit einer Transparenz von 30 Prozent hergestellt werden. Diese semitransparenten Module sind besonders für gebäudeintegrierte Lösungen interessant, bei denen lichtdurchlässige Wände oder Dächer gewünscht sind – wie zum Beispiel an Wintergärten und Fassaden.

Die wichtigsten Dünnschichttechnologien in der Übersicht
Anders als bei mono- und polykristallinen Silizium-Solarzellen, bei denen sich alle Technologien weitgehend ähnlich sind, basieren die Dünnschicht-Zellen auf unterschiedlichen Technologien und Herstellungsverfahren.

Die drei wichtigsten Technologien mit dem größten Potenzial gründen auf Cadmium-Tellurid, Kupfer-Indium-Selenid und amorphem beziehungsweise mikroamorphem Silizium. Hier ein kurzer Überblick:

Cadmium-Tellurid: Dünnschichtsolarzellen auf Cadmium-Tellurid-Basis (CdTe) kommen ohne den zurzeit begrenzt verfügbaren Rohstoff Silizium aus. Wie der Name schon andeutet, enthalten diese Zellen aber das Schwermetall Cadmium. Obwohl die Menge relativ gering ist, gibt es nur wenige Hersteller, die auf diesen Zelltyp setzen. Diese Dünnschichtmodule kommen heute meist in Großanlagen zum Einsatz. Der Wirkungsgrad der ungerahmten Module liegt derzeit bei etwa 9,5 Prozent.Kupfer-Indium-Selenid: Die so genannten CIS-Dünnschichtsolarzellen sind ebenfalls siliziumfrei, verwenden aber Indium, dessen eingeschränkte Verfügbarkeit wahrscheinlich den Ausbau der Produktion begrenzen wird. Zurzeit befinden sich die CIS-Zellen noch in der Entwicklung und sind deshalb noch nicht in großen Mengen auf dem Markt. Ihr Modulwirkungsgrad liegt ebenfalls bei etwa 9,5 Prozent.

Siliziumbasierte Dünnschichtsolarzellen:

Amorphes Silizium (a-Si) ist eine nicht-kristalline Form des Halbleiters Silizium. Vorteil ist, dass es in besonders geringen Schichtdicken aufgedampft werden kann. Dabei sind die üblichen Schichtdicken in etwa um den Faktor 100 kleiner als bei kristallinem Silizium. Ein Rohstoffengpass wie bei kristallinem Silizium ist für die Dünnschichttechnik auf Basis von Silizium daher nicht zu erwarten. Trotz ihrer langen Historie, der vielen Anbieter und des größten Marktanteils, haben die Dünnschichtzellen auf amorpher Silizium-Basis mit rund 6 Prozent den geringsten Modulwirkungsgrad.

Seit zirka zwei Jahren ist die weiterentwickelte Variante auf dem Markt verfügbar, die diesen Nachteil ausgleicht. Die so genannte mikroamorphe Si-Technik (a-Si/μc-Si) weist neben den amorphen Siliziumschichten noch eine mikrokristalline Schicht auf, die den Modulwirkungsgrad auf derzeit bis zu 10 Prozent erhöht.

Vorteile mikroamorpher Silizium-Dünnschichtsolarzellen

Für Hersteller wie Sharp gibt es überzeugende Argumente, auf die siliziumbasierte Dünnschichttechnologie zu setzen. Die neue Dünnschichtzellen-Generation vereint nicht mehr nur zwei, sondern insgesamt drei Zell-Schichten. Während die Tandem-Zellen aus einer mikrokristallinen und einer amorphen Siliziumschicht bestehen, haben die Triple-Junction-Zellen eine mikrokristalline und zwei amorphe Siliziumschichten.

Als Folge der zusätzlichen Schicht ergibt sich eine Steigerung des Wirkungsgrads um bis zu etwa drei Prozentpunkte, was einer Effizienzsteigerung von knapp 40 Prozent entspricht. Dank der homogenen Optik eignen sich die mikroamorphen Dünnschichtmodule für den Einsatz überall dort, wo auch das Erscheinungsbild eine wichtige Rolle spielt.

http://images.google.com/imgres?imgurl=http://www.energy20.n…

[STISA]

hallo

könnt ihr mir sagen ob es auf irgend eine weise eine zusammen arbeit von Solarwold und Powerbags gibt??????

[lieberlong]

Antwort auf Beitrag Nr.: 34.118.065 von lieberlong am 17.05.08 23:25:07

SiC Procesing AG (natürlich auch bei der Deutschen Solar im Einsatz):

So einer stand "zufällig" gerade vor der DS1000, als wir zur Werksführung waren:



Speziell nochmal zur Firma:

Die Haupttätigkeit der SiC-Gruppe ist die
Rückgewinnung und Aufbereitung der in
den Sägesuspensionen der Waferhersteller
enthaltenen Wertstoffe. Diese Rückge-
winnung und Aufbereitung führt sie in
ihren modernen Anlagen unter Nutzung
der Hydrozyklontechnik durch. Sie nimmt
die gebrauchten Sägesuspensionen von
den Waferherstellern zurück und trennt
in einem aufwändigen Verfahren die
Inhaltsstoffe Siliziumcarbid und Glykol.
Die SiC-Gruppe reinigt beide Wertstoffe
und gibt diese in der Reinform an die
Kunden zurück. Dies bedeutet, dass die
Kunden das rückgewonnene Siliziumcar-
bid und Glykol in der Form erhalten, wie
sie es auch als neuen Rohstoff erwerben
würden, das Siliziumcarbid in großen
Säcken, so genannten Bigbags, und das
Glykol in Containern. Die SiC-Gruppe
übernimmt auch den Weiterverkauf bzw.
die Entsorgung der bei der Rückge-
winnung und Aufbereitung anfallenden
Rest- und Abfallstoffe für ihre Kunden.

Mit ihrem patentgeschützten Verfahren
hat sie nach eigener Einschätzung eine
bis dahin nicht erreichte Ausbeute und
Qualität bei der Rückgewinnung und
Aufbereitung von Siliziumcarbid und
Glykol aus gebrauchten Sägesuspen-
sionen erreicht und in den vergangen
Jahren durch kontinuierliche Verbesse-
rung des Produktionsprozesses um-
fangreiches weiteres Know-how auf-
gebaut. Hierdurch ist die SiC-Gruppe in
der Lage, ihren Kunden einen wesent-
lichen Kostenvorteil zu verschaffen.
Dieser Kostenvorteil beruht auf dem
deutlich verringerten Bedarf der Wafer-
hersteller an neuem Siliziumcarbid und
Glykol aufgrund der hohen Rückge-
winnungsraten des SiC-Verfahrens von
75 - 90 % des verwendbaren Silizium-
carbid und 85 - 95 % Glykol.
Das Verfahren der SiC-Gruppe kann
aufgrund der hohen Qualität der auf-
bereiteten Suspension beliebig oft
wiederholt werden, während bei alter-
nativen Verfahren nach mehreren
Aufbereitungen die Suspension
vollständig ersetzt werden muss.

[lieberlong]

Antwort auf Beitrag Nr.: 34.117.650 von bossi1 am 17.05.08 20:04:04

Streng genommen kommt der Draht mit dem eigentlichen Si-Block nicht in Berührung. »Eigentlich ist das Wafersägen gar kein Sägen, sondern ein Trennläppen«, stellt Lawerenz richtig. Denn der Draht schneidet nicht in das Si-Material – dafür ist er viel zu weich. Die Sägestellen werden vielmehr mit einem Gemisch aus Glykol oder Öl und Siliziumcarbid-Körnern besprüht, bei den Waferfachleuten »Slurry« genannt. Dieses Siliziumcarbid ist eine Keramik und das eigentlich abrasive Medium – genauer gesagt: die großen Körner des Karbids. Denn nur sie berühren gleichzeitig den Sägedraht, der sich in einem winzigen Abstand zur Sägefläche bewegt, und das Siliziummaterial. Die Körner werden vom sich bewegenden Draht und Slurry erfasst und umgewälzt. Dabei reissen sie winzige Materialpartikel aus dem Si-Block. Auf diesem Wege kommt es innerhalb mehrerer Stunden zu einer Durchtrennung des Blockes.

***

SiC Procesing AG (natürlich auch bei der Deutschen Solar im Einsatz):

Zum besseren Verständnis des Geschäftsmodells der SiC bietet sich ein kurzer Blick
auf das technische Verfahren, das der Waferherstellung zu Grunde liegt, an. In dem
derzeit gängigen Verfahren der Waferherstellung wird zunächst Reinsilizium aus
Quarz gewonnen und anschließend zu Siliziumblöcken oder Siliziumstäben, so
genannten Ingots, gegossen oder gezogen. Diese Ingots werden mittels eines
mechanischen Sägeprozesses zu Siliziumscheiben, so genannte Wafer, zersägt.
Dieser mechanische Sägeprozess erfolgt nach heutigem Stand der Technik ganz
überwiegend mittels eines Stahlsägedrahtes, der mit hoher Geschwindigkeit von
einer Rolle auf eine zweite Rolle abgespult wird.
Der Ingot ist dabei auf eine Glasplatte geklebt, mit der er durch die Säge geschoben
wird. Neben dem Sägedraht wird eine Sägesuspension bestehend aus Siliziumcarbid
als Sägehilfsmittel und Glykol oder Öl als Kühl- und Trägermittel für das Siliziumcarbid
eingesetzt. Die Sägesuspension wird auf den sich abrollenden Stahlsägedraht
gegeben, wobei das Siliziumcarbid als relativ hartes Element die eigentliche Säge-
leistung erbringt und der Sägedraht lediglich das Siliziumcarbid transportiert. Die
verwendete Sägesuspension muss nach mehrmaliger Anwendung ausgewechselt
und entweder entsorgt oder aufbereitet werden. Die SiC-Gruppe führt diese Aufbe-
reitung der benutzten Sägesuspensionen in einem Verfahren zur Rückgewinnung
der Inhaltsstoffe Siliziumcarbid und Glykol durch. Das nachfolgende Schaubild zeigt
das Prinzip der Drahtsägetechnik bei der Waferherstellung.




http://www.sic-processing.com/k/sicag_/index-sicag-0-folder.…

[bossi1]

Antwort auf Beitrag Nr.: 34.114.232 von lieberlong am 16.05.08 21:06:01

Interessanter Artikel zum Ziehen oder Sägen in der Waferherstellung.

Eigentlich wird nicht »gesägt ...

Die so behandelten Blöcke sind nun bereit zum Scheibensägen. Bei PV Silicon kleben jetzt Produktionshelfer die Si-Blöcke auf rechteckige Glasscheiben. Sie stabilisieren die Wafer im Sägeprozess und halten insbesondere die Einzelwafer, wenn sie fertig gesägt aus der Maschine kommen. Nachdem der Klebstoff durch eine Infrarotbehandlung ausgehärtet ist, werden die Sägemaschinen mit jeweils acht Blöcken bestückt und der Sägedraht in das Rollensystem eingefädelt. Der Draht ist mit etwa 140 μm nur unwesentlich dicker als ein menschliches Haar, bei monokristallinem Material reichen120 μm Drahtstärke. Dann geht es los – in den nächsten fünf bis sieben Stunden zerschneidet der hauchdünne Stahl-Kupfer-Draht mit beachtenswerter Präzision die harten Si-Blöcke. Dabei vollzieht der Draht in der Regel keine Pendelbewegung, die allgemein mit dem Begriff Sägen verbunden wird, sondern bewegt sich fortlaufend mit einer Geschwindigkeit von 10 bis 15 m/s durch das Material – also über 50 km/h. Und das auch nur einmal – ein aufwändiges Rollensystem sorgt dafür, dass der Draht nacheinander alle Sägekanäle durchläuft. »Für die acht Blöcke spannen wir normalerweise eine Rolle mit 400 km Draht ein«, sagt Thiel.


Sägen?
Warum nicht schneiden mit "Laser und Wasser" ...
pdf Artikel mit 14 Seiten.

http://www.synova.ch/pdf/2000_LEF.pdf

[lieberlong]

Antwort auf Beitrag Nr.: 34.109.072 von bossi1 am 16.05.08 12:01:27

Ziehen oder Sägen – ein Systemvergleich

Am Anfang werden die Weichen gestellt: Bereits die Waferfertigung legt Kosten und elektrische Eigenschaften einer Solarzelle fest. Die Welt ist eine Scheibe – zumindest gilt dies für die Welt der Photovoltaik. Wafer sind der Anfang und zunehmend auch – dem Recycling sei Dank – die Reinkarnation einer Solarzelle. Die grauen Scheiben haben, wenn sie die Waferproduzenten verlassen, mit 55 % bereits über die Hälfte der Modulkosten verursacht. Sie haben auch die meisten elektrischen Qualitäten einer Solarzelle unwiderruflich fixiert – Schwächen in der Waferfertigung sind durch die weiteren Verfahrensschritte der Solarzellenfertigung nur schwer oder gar nicht auszugleichen.
Umso erstaunlicher mutet es an, dass in der Photovoltaik zwei grundsätzlich unterschiedliche Verfahren Anwendung finden, die sich im Endergebnis um bis zu 1 % absolut im Wirkungsgrad unterscheiden: Sägen und Ziehen, oft auch – nicht ganz korrekt – Czochralski und EFG genannt. Anlass genug, sich intensiver mit der im großtechnischen Umfang angewandten Waferproduktion zu befassen.

Trend geht zu größeren Ingots

Der globale Photovoltaikmarkt wird von der kristallinen Siliziumtechnologie beherrscht. Ihr Marktanteil beträgt seit Jahren deutlich über 90 % und es sieht nicht so aus, als wenn sich das kurz- oder mittelfristig ändert. Sowohl multi- als auch monokristallines Material stehen nach aufwendigen Schmelz- und Kristallisierungsverfahren als so genannte Ingots oder Blöcke zur Verfügung. Die Ingots, die PV Crystalox Solar AG wie andere Waferproduzenten auch – zu nennen sind hier ASi, Deutsche Solar und Scanwafer – selbst herstellt, werden nach dem Erkalten oben und unten abgeschnitten. Diese so genannten Top-and-Tails sind mit Metallen und Sauerstoff so verunreinigt, dass sie für die Waferfertigung nicht in Frage kommen, sondern günstigstenfalls als Recyclingmaterial später dem Schmelzprozess wieder zugeführt werden. Aus den so beschnittenen Ingots sägen die Waferproduzenten nun »Blöcke« – die beim monokristallinen Silizium aber aus unerfindlichen Gründen weiter »Ingots« heißen. Für diesen auch »Quadrierung« genannten Fertigungsschritt gibt es drei Verfahren: das inzwischen in die Jahre gekommene Außentrennsägen mit diamantbeschichteten Kreissägen weicht zunehmend dem Bandsägen oder dem Zerteilen mittels Sägedraht.

Die Ingots, die den Schmelzofen verlassen, haben ein Gewicht von 270 bis 300 kg. »Der Trend geht aber stark in Richtung 400 kg, weil daraus mehr Blöcke zu schneiden sind«, beschreibt Stefan Thiel, Vertriebsleiter der PV Silicon AG die aktuelle Entwicklung. Dabei ist die Frage noch nicht entschieden, ob die Ingots dadurch höher oder breiter werden sollen. »Beides hat Vor- und Nachteile«, sagt Thiel: »Die Frage ist, bei welcher Form mehr Verunreinigungen im Material zu erwarten sind. Geht man in die Höhe, könnten die Verluste durch Top-and-Tails relativ geringer sein. Geht man in die Breite, dann eventuell aber auch relativ geringer, weil die Verunreinigungen auch aus der Tiegeloberfläche herrühren. Das muss noch untersucht werden.«

Sägeschäden an den Kanten

Die Quadrierung ist ein Eingriff mit Folgen. Sie macht aus dem ursprünglich runden monokristallinen Ingot einen quadratischen mit abgerundeten Ecken und aus dem eckigen multikristallinen Groß-Ingot 16 oder 25 Blöcke mit quadratischem Querschnitt. Da anschließend die Blöcke quer zur Längsrichtung in Wafer zerteilt werden, handelt es sich bei den Quadrierungs-Sägeflächen also um die Kantenflächen der zukünftigen Wafer. Mit fatalen Folgen, denn jede Sägerei geht bis zu einer gewissen Eindringtiefe an die Substanz des Wafers – sie produziert beispielsweise kleine Risse. Genau diese Risse aber gefährden weit mehr als andere die Stabilität des Wafers. »Eine Überbeanspruchung vorausgesetzt, führen nämlich die langen Rissen an den Kanten des Wafers zum Bruch«, erklärt Alexander Lawerenz, der zurzeit das Solarzentrum Erfurt, ein Fachbereich des CIS Institutes für Mikrosensorik gGmbH, kommissarisch leitet und mit seinen Mitarbeitern die Vorgänge beim Sägen der Blöcke und der Wafer untersucht hat.

Silizium ist ein äußerst sprödes Material. Anders als bei Metallen pflanzt sich ein Riss im Material nicht langsam fort. »Silizium kennt keinen Ermüdungseffekt, sondern versagt plötzlich und komplett«, fährt Lawerenz fort. Risse bekommt der Wafer zwar auch durch das eigentliche Sägen der Einzelscheiben, also auf der Wafervor und - rückseite, aber entscheidend für das plötzliche Versagen beim Handling in der Zellenproduktion sind die Kantenrisse. Waferhersteller sind deshalb bemüht, die Einwirkungen des Quadrierungssägens zu beseitigen. Wie? Hier schweigen die Fachleute. Es ist davon auszugehen, dass sowohl an den Sägeparametern gedreht als auch aufwändig nachgearbeitet wird – hier bieten sich alle oberflächenverbessernden Verfahren wie Läppen, Schleifen oder Ätzen an.

Eigentlich wird nicht »gesägt«

Die so behandelten Blöcke sind nun bereit zum Scheibensägen. Bei PV Silicon kleben jetzt Produktionshelfer die Si-Blöcke auf rechteckige Glasscheiben. Sie stabilisieren die Wafer im Sägeprozess und halten insbesondere die Einzelwafer, wenn sie fertig gesägt aus der Maschine kommen. Nachdem der Klebstoff durch eine Infrarotbehandlung ausgehärtet ist, werden die Sägemaschinen mit jeweils acht Blöcken bestückt und der Sägedraht in das Rollensystem eingefädelt. Der Draht ist mit etwa 140 μm nur unwesentlich dicker als ein menschliches Haar, bei monokristallinem Material reichen120 μm Drahtstärke. Dann geht es los – in den nächsten fünf bis sieben Stunden zerschneidet der hauchdünne Stahl-Kupfer-Draht mit beachtenswerter Präzision die harten Si-Blöcke. Dabei vollzieht der Draht in der Regel keine Pendelbewegung, die allgemein mit dem Begriff Sägen verbunden wird, sondern bewegt sich fortlaufend mit einer Geschwindigkeit von 10 bis 15 m/s durch das Material – also über 50 km/h. Und das auch nur einmal – ein aufwändiges Rollensystem sorgt dafür, dass der Draht nacheinander alle Sägekanäle durchläuft. »Für die acht Blöcke spannen wir normalerweise eine Rolle mit 400 km Draht ein«, sagt Thiel.

Streng genommen kommt der Draht mit dem eigentlichen Si-Block nicht in Berührung. »Eigentlich ist das Wafersägen gar kein Sägen, sondern ein Trennläppen«, stellt Lawerenz richtig. Denn der Draht schneidet nicht in das Si-Material – dafür ist er viel zu weich. Die Sägestellen werden vielmehr mit einem Gemisch aus Glykol oder Öl und Siliziumcarbid-Körnern besprüht, bei den Waferfachleuten »Slurry« genannt. Dieses Siliziumcarbid ist eine Keramik und das eigentlich abrasive Medium – genauer gesagt: die großen Körner des Karbids. Denn nur sie berühren gleichzeitig den Sägedraht, der sich in einem winzigen Abstand zur Sägefläche bewegt, und das Siliziummaterial. Die Körner werden vom sich bewegenden Draht und Slurry erfasst und umgewälzt. Dabei reissen sie winzige Materialpartikel aus dem Si-Block. Auf diesem Wege kommt es innerhalb mehrerer Stunden zu einer Durchtrennung des Blockes.

Der kürzeren Darstellung wegen und um sich dem allgemeinen Sprachgebrauch der Branche anzupassen, sei aber in der weiteren Darstellung vom »Sägen« die Rede.

Gut gekörnt ist halb getrennt

Die genaue Betrachtung des Trennvorganges verdeutlicht, warum es auf die Zusammensetzung des sündhaft teuren Siliziumcarbids im besonderen Maße ankommt. Da nur die Körner zwischen 15 bis 25 μm Durchmesser an dem Trennvorgang beteiligt sind, muss durch Kontrollen im laufenden Prozess sichergestellt werden, dass genügend Karbidkörner dieser Größe vorhanden sind. Ihre Anzahl verringert sich nämlich durch die massive Gewalteinwirkung ständig: durch Abplatzungen werden sie kleiner. Etwa 10 % der Slurry muss aus diesem Grunde nach jedem Sägedurchgang ersetzt werden.

Noch etwas anderes wird deutlich: Mikroskopisch betrachtet erfährt das Siliziummaterial brachiale Gewalt. Die großen Körner des Siliziumcarbids (SiC), die durch den durchjagenden Draht beschleunigt werden, benehmen sich wie ein Elefant im Porzellanladen. Sie wirken nämlich nicht nur in Trennrichtung – also Richtung des fortlaufenden Materialabtrags, sondern hinterlassen auch links und rechts vom Trennspalt eine wild zerklüftete Oberfläche mit tiefen Einkerbungen und Rissen.

Das sind die berüchtigten »Sägeschäden«, die bei der Zellenprozessierung als erster Verfahrensschritt weggeätzt werden müssen – Damage-edging genannt. Vorrangig geht es darum, die Risse zu beseitigen, die zwar – anders als die Kantenrisse – nicht so sehr mechanisch als elektrisch ein Problem darstellen. Die Fachleute unterscheiden dabei zwischen den relativ harmlosen lateralen Rissen, die sich beim Eindruck des SiC-Kornes seitlich ins Si-Material ausdehnen und den Medianrissen, die in die Tiefe gehen. Medianrisse sind dabei tiefer als die Eindrücke der Körner, die beim Abrollen der Körner auf der Oberfläche der Wafer entstehen. Gelingt es nicht, diese Risse beim Damage-edging zu beseitigen, droht an den Rissgrenzen erhöhte Rekombination der freien Ladungsträger mit den Löchern. Außerdem ist mit einer erhöhten Anzahl von so genannten »Shunts« zu rechnen – unerwünschte lokale Kurzschlüsse. Beide Erscheinungen gehen zu Lasten des Wirkungsgrades einer Solarzelle, sind also in höchstem Maße unerwünscht.

Dickenabweichung im Griff

Die Qualität eines Wafers hängt – außer von der Reinheit der Schmelze – im wesentlichen von den Sägeschäden ab beziehungsweise von der Möglichkeit, sie in nachgelagerten Verfahrensschritten zu beseitigen. Mit einer anderen Beeinträchtigung durch das Sägen kann man jedoch ganz gut leben: der Dickenabweichung. Die Zeit, die der Sägedraht in den Si-Blöcken verbringt, also seine Wirklebens- oder Standzeit, ist mit 20 Sekunden zwar extrem kurz, aber immer noch lang genug, um Verschleisserscheinungen zu zeigen. Der Draht wird beim Durchlauf durch die Si-Blöcke – jeder mit etwa 500 Sägekanälen – nämlich dünner. In der Praxis bedeutet das, dass der Sägespalt in Richtung der Drahtbewegung abnimmt. Dazu kommen unterschiedliche Druckverhältnisse im Sägekanal und eine ungleiche Verteilung der SiC-Körner. »Wir haben festgestellt, dass sich die wichtigen großen Körner am Ein- und am Austritt des Drahtes in den Sägekanal häufen«, klärt Lawerenz auf. In der Mitte des Sägekanals sei die Verteilung eine andere. Diese Faktoren zusammen bedingen, dass der Wafer in Wirklichkeit nicht planparallel, sonder keilförmig geschnitten wird. Thiel gibt die Dickenabweichung durch den Verschleiß des Drahtes mit »einigen wenigen Mikrometern« an und beurteilt sie als vernachlässigbar. Eine Alternative wäre, den Sägedraht nicht fortlaufend, sondern in einer Pendelbewegung durch den Siliziumblock zu führen. »Das würde zwar die Dickenabweichungen verringern, aber zu größeren Sägespuren auf der Oberfläche führen«, urteilt Thiel. Er kann dieses Verfahren zwar anbieten, es wird jedoch so gut wie nie genutzt.


7 m hoher, achteckiger EFG-Schmelztiegel: Die flüssige Si-Schmelze steigt durch die Kapillarkräfte im Spalt auf u. verfestigt sich an der Oberkante des Graphitteils zu einer dünnen Si-Röhre. Der obere Teil bewegt sich mit einer Geschwindigkeit von ca. 2cm/min nach oben und zieht weiteres Silizium nach.
Foto: Schott Solar

Neben dem Drahtverschleiß gibt es noch andere Faktoren, die beim Sägen eines Wafers zu Dickenabweichungen führen können. Das Messen der »Total-Thickness-Variation« gehört deshalb zu den Standardübungen jeder Wafer-Qualitätsprüfung.

Gesägte Wafer liefern die besseren Zellen

Im Vergleich zu dem Endprodukt wirkt die konventionelle Waferfertigung durch das Drahtsägen beinahe schon archaisch – von High-Tech ist wenig zu spüren, Mechanik bestimmt den Prozess, die Slurry schmiert und spritzt. Erst nach diversen Reinigungsbädern zeigt der Wafer seine schöne Kristallstruktur und der Laie ahnt, dass er es hier mit einer Zukunftstechnologie zu tun hat.

Der erste Eindruck ist aber nicht ganz falsch. Ob Trennläppen oder Sägen – der Prozess hat als Hauptnachteil genau den, der ins Auge springt: den exzessiven Materialverbrauch. Noch bevor die eigentliche Waferfertigung beginnt, sind durch das Abschneiden der Top-and-Tails schon bis zu 30 % des Materials verloren. Weitere Materialverluste stellen sich beim Quadrieren ein. Von dem verbleibendem Material schließlich geht durch das Trennen erneut über 40 % verloren, da der Sägespalt in der Regel 180 – 200 μm breit ist und die Waferdicke aktuell bei 240 μm liegt. Die Slurry ist zwar stark mit Silizium angereichert, bisher ist aber kein wirtschaftliches Verfahren bekannt, dass die Rückgewinnung des Siliziums aus diesem Trennschlamm erlaubt. Die Waferproduzenten behelfen sich zurzeit mit der Zwischenlagerung der ausgedienten Slurry, bis sich irgendwann das Recyceln lohnt.

Lässt man außer Acht, dass Top-and-Tails in einem energieintensiven Verfahren recycelt werden können, muss man also feststellen, dass nur etwa ein Drittel des ursprünglich vorhandenen Siliziums tatsächlich in die Zellenproduktion einfließt.

Für einen Waferfachmann wie Alexander Lawerenz vom SolarZentrum Erfurt ist dennoch das »Trennläppen zurzeit konkurrenzlos« und auch PV-Silicon-Mann Stefan Thiel betont: »Wir setzen auf die Technologie nicht ohne Grund. Sie birgt einfach das größere Potenzial.« Begründet wird diese Sichtweise von beiden mit einem in der Photovoltaik dämmebrechenden Argument: dem höheren Wirkungsgrad. Tatsächlich ist der Wirkungsgrad von Solarzellen, die aus gesägten Wafern hervorgegangen sind, rund 0,5 – 1 % absolut höher als bei konkurrierenden Verfahren.

Elegant und hauchdünn

Die Bezeichnung »konkurrierend« verdient eigentlich nur eine Technologie: Das Ziehen von Si-Folien nach dem EFG- und dem SR-Verfahren. EFG steht dabei für »Edge-defined Film-fed Groth« und SR für »String-Ribbon«. Von über vierzig verschiedenen Folienziehtechniken haben es allein diese beiden bis zur großindustriellen Anwendung gebracht. Als Protagonisten dieser Verfahren können die Unternehmen Schott Solar (EFG) sowie Evergreen (SR) gelten.

Das EFG-Verfahren wurde in den USA für den Solarbereich vor etwa 20 Jahren entwickelt und hat 2003 Eingang in die Smart Solar Fab des Unternehmens Schott Solar – damals noch RWE Schott Solar – gefunden. Das Verfahren arbeitet mit der Kapillarkraft von flüssigem Silizium. In der Schmelze befindet sich ein Formteil aus Graphit, dessen wesentliches Element ein Spalt ist, in dem aufgrund der Kapillarkräfte flüssiges Silizium aufsteigt. Von oben nähert sich dem Spalt nun eine Keimfolie, bis sich ein so genannter Meniskus – bezeichnet die gekrümmte Oberfläche einer Flüssigkeit - ausbildet, der nach oben durch die Keimfolie und nach unten durch den Graphitspalt begrenzt wird. Nun wird die Keimfolie mit einer Geschwindigkeit von etwa 2 cm/min nach oben gezogen. An der Unterseite der Keimfolie erstarrt das flüssige Silizium zu einer Folie. Höhere Ziehgeschwindigkeiten führen zu starken Verspannungen und hohen Versetzungsdichten – das sind Gitterfehler im Kristall, die die elektrische Leitfähigkeit herabsetzen.

Um das Verfahren optimal auszunutzen, hat der Graphitspalt in der Draufsicht die Form eines Achtecks, eines Oktagons. Bislang üblich sind in der Smart Fab Ziehhöhen von sieben Metern – es entsteht also Hohlkörper mit dem Querschnitt eines Oktagons, einer Kantenlänge von 125 mm und einer Wandstärke von aktuell 300 μm. Aus diesem Hohlkörper lassen sich nun mit einem Laser Siliziumscheiben im 5-Zoll-Format herausschneiden und als Wafer für die Zellenfertigung verwenden.

Die Herstellung von EFG-Folien erfordert eine äußerst genaue Kontrolle der Temperatur. Die Siliziumschmelze darf nicht so kalt sein, dass bereits an der Oberkante des Formspaltes die Kristallisation einsetzt, aber andererseits kalt genug, um an der Keimfolie zu erstarren. Patric Geiger, der in seiner Dissertation an der Uni Konstanz den Ziehprozess eingehend untersuchte, gibt die erforderliche Temperaturstabilisierung mit +/- 1 Grad Celsius an – auch für erfahrenen Verfahrensingenieure ist das keine triviale Aufgabe.

Unempfindlicher, aber aufwändiger

Das grundlegende Prinzip des SR-Verfahrens versteht jeder, der schon einmal Seifenblasen fabriziert hat. Zwei hitzebeständige Drähte werden unter Argon-Atmosphäre durch ein Bad mit flüssigem Silizium gezogen. Dabei bildet sich zwischen den Drähten eine Siliziumhaut, die als fest-flüssige Grenzschicht wie eine Keimfolie wirkt. Der etwa 7 mm hohe Meniskus sorgt für einen stabilen Ziehprozess, der ähnlich wie der EFG-Prozess mit einer Geschwindigkeit von 1 bis 2 cm/min verläuft. Die Dicke der Folie hängt von der Geschwindigkeit ab, mit der die Drähte durch die Schmelze gezogen werden.

Das SR-Verfahren hat 2001 die Politphase hinter sich gelassen und wird von Evergreen in industriellem Maßstab eingesetzt. Ein grundsätzlicher Vorteil gegenüber der EFG-Methode besteht in der geringeren Temperaturempfindlichkeit. Der SR-Prozess muss auf +/- 10 °C stabil gehalten werden – das ist immerhin eine Zehnerpotenz unempfindlicher als der EFG-Prozess. Trotz dieser relativ großen Toleranz ist das Abkühlprofl einer der entscheidenden Parameter des Verfahrens – immerhin verringert sich die Temperatur des Siliziums von 1.412 °C innerhalb kurzer Zeit auf Raumtemperatur. In dieser schnellen Abkühlung liegt die Hauptursache für Verspannungen, die zu unebenen Wafern und erhöhter Bruchanfälligkeit führen können. Außerdem ergeben sich durch variierende Prozessparameter unterschiedliche Materialdicken, die sich in einer welligen Oberfläche – mit bloßem Auge erkennbar – bemerkbar machen. Das gilt im Übrigen auch für das EFG-Verfahren.

Die Produktivität des SR-Verfahrens ist geringer als die der EFG-Technik. Während bei letzterer ein Ofen acht Waferbänder erzeugt – nämlich die acht Seiten des Oktagons mit jeweils sieben Metern Länge – sind es bei SR-Verfahren lediglich zwei Bänder

Sparsam mit Material und Wirkungsgrad

So sehr sich EFG- und SR-Verfahren auch unterscheiden, haben sie doch den Hauptvorteil sowie den Hauptnachteil gemeinsam: Sie sparen einerseits in erheblichem Umfang Material ein, führen andererseits – wie bereits erwähnt – zu schlechteren Wirkungsgraden.

Zum Materialverbrauch: »Es ist gut, eine Technologie zu haben, die nicht 50 % Materialkosten verursacht«, sagt etwa Unternehmenssprecher Stefan Dietrich vom Zellenproduzenten Q.Cells, der in einem Joint Venture mit Evergreen das SR-Verfahren in Deutschland etablieren will. Ähnlich äußert sich Winfried Hoffmann, Generalbevollmächtigter der Schott Solar GmbH, die in Alzenau die Smart Fab mit einer EFG-Produktion betreibt: »Der große Vorteil dieses Prozesses liegt in der Materialeinsparung. Wir verbrauchen rund 30 % weniger Material als die gesägten Waferscheiben. Hinzu kommt, dass der Prozess schneller abläuft.«

Zu den elektrischen Eigenschaften: So unbestritten wie die Vorteile im Materialeinsatz sind auch die Nachteile der Folienziehverfahren, wenn es um den erreichbaren Zellen-Wirkungsgrad geht. Das Defizit sei verfahrensimmanent, erklärt Waferfachmann Lawerenz:

»Der gegenüber Czochralski-Silizium niedrigere Wirkungsgrad resultiert aus der hohen Defektkonzentration im Foliensilizium. Das wiederum lässt sich mit Einfluss der Fremdmaterialien im Verfahren erklären.« Flüssiges Silizium ist hochreaktiv und stürzt sich begierig auf das Material, mit dem es in den Ziehverfahren in Berührung kommt. So weisen EFG-Wafer unerwünscht hohe Kohlenstoffanteile auf, die aus der verwendeten Graphitform herrühren. Ähnliches gilt für die beim SR-Verfahren verwendeten Ziehdrähte, die für Verunreinigungen und sowie verschiedene Korndichten des Si-Materials verantwortlich sind.

Sparsam gegen effektiv?

Somit reduziert sich der Systemvergleich auf eine simple Überlegung: Wiegt die Materialeinsparung der Folienziehverfahren den geringeren Wirkungsgrad auf? Und: Wie groß ist das Potenzial der konkurrierenden Verfahren.

Daran, dass beim Sägen von Czochralski-Material jede Menge Silizium im wahrsten Sinnen des Wortes verpulvert wird, wird sich nichts Grundlegendes ändern. Die Verfechter dieser Technologie setzen aber auf die Entspannung auf den Rohstoffmärkten. »Immer kann das Silizium nicht so knapp und teuer bleiben«, heißt es bei einem großen Waferproduzenten, »wenn sich die Lage beim Rohsilizium normalisiert, dann spielt die Materialeinsparung keine große Rolle mehr. Dann zählt die erzielbare elektrische Performance.«

Hoffmann hingegen sieht die Schere zwischen beiden Technologien in der Rohstofffrage weiter auseinander gehen. Er hält es für möglich, die Materialeinsparung gegenüber dem Sägen innerhalb der nächsten 20 Jahre auf bis zu 50 % zu steigern. Zu erreichen wäre dies mit noch größeren Oktagon-Durchmessern und dünneren Wafern. »Wir arbeiten intensiv auf 200 μm Waferdicke in der Serienproduktion hin«, sagt Hoffmann, »aber bis dahin wird es wohl noch drei bis vier Jahre dauern.« Das Verfahren habe das Potenzial, so der Schott Solar-Geschäftsführer, den spezifischen Si-Verbrauch von derzeit 10 g/Wp bis zum Jahre 2020 auf nur noch 4g/Wp zu senken. Der konventionellen Waferfertigung traut Hoffmann Vergleichbares nicht zu.

Hinsichtlich der erreichbaren Abmessungen sieht Hoffmann »sein« Material nicht im Nachteil, sondern gleichauf mit den gesägten Wafern: »Wir können 100 μm Materialdicke erreichen.« Dem Forschungsbedarf in Sachen elektrischer Eigenschaften ist sich Hoffmann bewußt: »Das EFG-Material zeigt eine starke Variation der Lebensdauer der Minoritätsträger, außerdem einen geringeren Wirkungsgrad. Beides zu verbessern, ist das Ziel unserer momentanen Forschungsanstrengungen.« Sollte das gelingen, dürfte das Folienziehverfahren sich durchsetzen – das Materialargument wiegt schwerer, als es die Czochralski-Verfechter momentan wahrhaben wollen. Ohne eine vergleichbare, elektrische Performance aber könnte dieser Vorteil von EFG und SR auf lange Sicht seine Wirkung verlieren.


Dieser Text wurde von Jörn Iken exklusiv für Sonne Wind & Wärme geschrieben und erschien in der Ausgabe 06/2006.

[bossi1]

Goldman Raises Second-Half WTI Oil Forecast to $141

By Stephen Voss and Alexander Kwiatkowski

May 16 (Bloomberg) -- Goldman Sachs Group Inc., the world's biggest securities firm by market value, raised its New York crude-oil price forecast for the second half of this year by 32 percent, citing supply constraints.

Goldman now forecasts West Texas Intermediate, the benchmark crude grade traded in New York, will average $141 a barrel in the second half of the year, up from its previous forecast of $107. Prices will rise further in 2009, averaging $148 a barrel, the bank said.

``Supply constraints and a lack of scaleable substitutes are set to continue driving the long end of the oil curve higher,'' Goldman analysts including Peter Oppenheimer and Jeffrey Currie in London wrote in a report dated today.

U.S. President George W. Bush will today ask Saudi Arabia to increase oil production to help lower prices and promote economic growth, White House spokeswoman Dana Perino said. Banks including UBS AG and Sanford C. Bernstein have raised their 2008 forecasts while Goldman Sachs analyst Arjun Murti has said oil may rise to between $150 and $200 within two years.

The trend in the growth of oil supply has fallen to 1 percent per annum, compared with global economic growth of about 3.8 percent, today's Goldman report said. ``Given this imbalance, long-term oil prices will need to rise.''

Third Quarter

The front-month West Texas Intermediate futures contract on the New York Mercantile Exchange has averaged $104.30 a barrel so far this year. In the third quarter, Goldman Sachs forecasts the price will rise to $135.30 and $145.60 in the fourth quarter.

Europe's Brent crude futures contract should rise to $133.80 a barrel in the third quarter of the year and $144.10 in the final period, according to the bank. The front-month Brent contract on the ICE Futures Europe exchange has averaged $102.52 a barrel this year.

The near-term oil market is being driven by ``long-dated'' prices, or the price of oil for delivery 5 years forward, Goldman said. While an increase in U.S. stockpiles and declining demand growth due to the global economic slowdown is creating ``near-term fundamental weakness,'' this is not causing lower prices, according to the bank.

``We do not expect these softer fundamentals to translate into spot price weakness given the strength in long-term prices,'' according to the report. ``We expect the bullish structural market to dominate the bearish cyclical weakness.''

Supply Constraints

Goldman said it was unlikely prices would eventually rise enough to justify large scale investment in alternative sources of fuel, thereby offsetting the discrepancy between supply and demand, because of resource protectionism which constrains supply growth.

Instead, an increase in long-term oil prices is required to suppress demand growth and bring it in line with supply growth, Goldman said. It forecasts the long-date oil price to rise 14 percent to $148 a barrel by early next year.

``Long-term oil prices will need to continue to rise to bring trend oil demand growth in line with trend supply growth,'' the bank said. ``Eventually a price will be reached which incentivizes significant conservation, new technologies and political solutions which will eventually cap the price rises.''

WTI crude for June delivery rose to an intra-day record of $127.43 a barrel in after-hours trading on the New York Mercantile Exchange today.

To contact the reporters on this story: Stephen Voss in London at [e-mail] Kwiatkowski in London at [e-mail]

[bossi1]

Antwort auf Beitrag Nr.: 34.105.191 von lieberlong am 15.05.08 21:45:30

GT Solar: EFG Growth Furnace ...

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Photo courtesy of Schott Solar

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Crystalline EFG-Cell


The wafers, the starting material for the EFG cell, are produced using SCHOTT Solar GmbH's internationally patented EFG (Edge-defined Film-fed Growth) method

In the EFG process, an octagonal tube is pulled directly from the silicon melt, contrary to the common Si-ingot sawing technique.

This 6-meter-long silicon tube has a wall-thickness of 330 µm ub conformity with the thickness of the later cells. A laser cuts the tube into 125 mm x 125 mm wafers.

Module assembly companies world-wide have used EFG-Cells since 1981. Since that time, EFG cells have performed with sustained reliability energy production under extreme climatic conditions in modules up to 300 Wp.


Please find the data sheet:

http://www.schott.com/photovoltaic/english/download/efg_125x…
Data sheet EFG-Cell 125mm x 125mm


Characteristics of the SCHOTT Solar EFG-Cell:


Performance in Modules:
-long duration electrical performance stability
-high light spectrum sensitivity and energy output
-high current output due to fine finger desing (high conductance with reduced shadowing)
-least power deviation of modules ensured by precise matching of cells, sorted 100% in narrow current classes at constant test voltage

Application in Modules:
-Cell suitable for lead free soldering
-Reliabe stringing due to easily solderable low resistance busbars on the front side and 8 large solder pads on the back side
-Front surface compatible with all commercially applied photovoltaic encapsulants due to proprietary Silicon Nitride AR Coating

Appearance:
-Distinctive look in modules due to uniformly dark blue shiny appearance

[bossi1]

SolarWorld's Hillsboro deal ranked among top 10

by Elizabeth Suh, The Oregonian Tuesday May 13, 2008, 3:15 PM
HILLSBORO -- SolarWorld Group's decision to build a plant in Hillsboro has been ranked one of the top 10 site-selection deals in North America in 2007 by Site Selection magazine, a corporate real estate and economic development publication.

In its May issue, Site Selection says it made the rankings based on "investment, high-value jobs, creativity in negotiations and incentives, regional economic impact, competition and speed to market."

The magazine's description of the March 2007 deal cites the $400 million SolarWorld said it will invest in renovating an abandoned high-tech plant and the 1,000 jobs the deal could create. SolarWorld later said it could eventually employ 2,000 people at the Hillsboro plant.

"The most important factors probably were that the facility itself is perfect for our needs, the state of Oregon supports us with property and business energy tax credits, and we will find highly skilled workers in the area," Boris Klebensberger, COO of SolarWorld Group and president of SolarWorld Industries America, told Site Selection about why SolarWorld chose Hillsboro.

The magazine also named Amazon.com's decision to relocate its corporate headquarters within the Seattle area as one of the top 10 North American deals. Site Selection also ranked the top 10 deals outside of North America.

Investments in the top-ranked North American deals ranged from $150 million to $3.7 billion and numbers of jobs ranged from 210 to 3,000.

http://www.oregonlive.com/washingtoncounty/index.ssf/2008/05…

[bossi1]

automatische Übersetzung ...

The employer's association of the solar energy alert on "parón of
September": photovoltaic demand for second half of year does not
exist

The companies of solar generation of electricity fear "parón"
in the sector after summer: there is no demand beyond the 29 of
September, date limit to take refuge in the effective regulation, that
prime Ejugosamentéla electrical generation in special regime. The
Spanish photovoltaic sector takes growing to a wild rate in the last
years. "we are growing around annual 440%", confirms Tomás Diaz,
director of communication and institutional relations of employer's
association ASIF to the Confidential Digitalis.

From the employer's association they have been time recommending to
its associate that reduce this rate drastically, since the
preoccupation by a so abrupt growth of the market is generalized.
"From ASIF we propose an annual growth of 20%", adds Diaz. The solar
panorama it energy becomes gloomy with the Enubarrón' that will
arrive after the summer, when at the end of September the RD 661/2007
is extinguished, that regulates east market and it stimulates it by
means of important premiums to foment the diversification of the
participants in this business. To day of today, "the companies are
working to 2 and 3 turns" to satisfy the enormous demand, comment the
person in charge of communication of the photovoltaic employer's
association. The problem will come in a pair of months, since "there
are no orders for second half of the year", warns.

"the Spanish market will be paralyzed" after receso summer, assures
Diaz, adding that it is a "dramatic situation". This stagnation will
suppose a cut of personnel in the great majority of the companies of
the sector, that have increased their groups remarkably to do in front
of the alluvium of requests of the last months. "It is clear that this
is going to be hard", they recognize ECD from the employer's
association, you lie assure that they go to do all the possible one
for "that he is not painful". The resolution of this conflict happens
through "how it is left the new regulation", according to comment
industralists of the sector to this means.

Who also work to forced marches but they do not share this
preoccupation by the diminution of his portfolio of clients in the
next months are the workers of Solaria, leader in manufacture of solar
panels. "He continues being the same demand that before, we are to the
100% of our productive capacity", assure. "the company does not stop,
we worked 365 days to the year to three turns", reveal to the
Confidential Digitalis. Nevertheless, they, like other manufacturers
who only work with great clients, "are only interested in great parks"
of photovoltaic generation, reason why the demand of its products
counts on a greater guarantee of continuity.

http://elconfidencialdigital.es/Articulo.aspx?IdObjeto=16279