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Antwort auf Beitrag Nr.: 34.109.072 von bossi1 am 16.05.08 12:01:27Ziehen oder Sägen – ein Systemvergleich

Am Anfang werden die Weichen gestellt: Bereits die Waferfertigung legt Kosten und elektrische Eigenschaften einer Solarzelle fest. Die Welt ist eine Scheibe – zumindest gilt dies für die Welt der Photovoltaik. Wafer sind der Anfang und zunehmend auch – dem Recycling sei Dank – die Reinkarnation einer Solarzelle. Die grauen Scheiben haben, wenn sie die Waferproduzenten verlassen, mit 55 % bereits über die Hälfte der Modulkosten verursacht. Sie haben auch die meisten elektrischen Qualitäten einer Solarzelle unwiderruflich fixiert – Schwächen in der Waferfertigung sind durch die weiteren Verfahrensschritte der Solarzellenfertigung nur schwer oder gar nicht auszugleichen.
Umso erstaunlicher mutet es an, dass in der Photovoltaik zwei grundsätzlich unterschiedliche Verfahren Anwendung finden, die sich im Endergebnis um bis zu 1 % absolut im Wirkungsgrad unterscheiden: Sägen und Ziehen, oft auch – nicht ganz korrekt – Czochralski und EFG genannt. Anlass genug, sich intensiver mit der im großtechnischen Umfang angewandten Waferproduktion zu befassen.

Trend geht zu größeren Ingots

Der globale Photovoltaikmarkt wird von der kristallinen Siliziumtechnologie beherrscht. Ihr Marktanteil beträgt seit Jahren deutlich über 90 % und es sieht nicht so aus, als wenn sich das kurz- oder mittelfristig ändert. Sowohl multi- als auch monokristallines Material stehen nach aufwendigen Schmelz- und Kristallisierungsverfahren als so genannte Ingots oder Blöcke zur Verfügung. Die Ingots, die PV Crystalox Solar AG wie andere Waferproduzenten auch – zu nennen sind hier ASi, Deutsche Solar und Scanwafer – selbst herstellt, werden nach dem Erkalten oben und unten abgeschnitten. Diese so genannten Top-and-Tails sind mit Metallen und Sauerstoff so verunreinigt, dass sie für die Waferfertigung nicht in Frage kommen, sondern günstigstenfalls als Recyclingmaterial später dem Schmelzprozess wieder zugeführt werden. Aus den so beschnittenen Ingots sägen die Waferproduzenten nun »Blöcke« – die beim monokristallinen Silizium aber aus unerfindlichen Gründen weiter »Ingots« heißen. Für diesen auch »Quadrierung« genannten Fertigungsschritt gibt es drei Verfahren: das inzwischen in die Jahre gekommene Außentrennsägen mit diamantbeschichteten Kreissägen weicht zunehmend dem Bandsägen oder dem Zerteilen mittels Sägedraht.

Die Ingots, die den Schmelzofen verlassen, haben ein Gewicht von 270 bis 300 kg. »Der Trend geht aber stark in Richtung 400 kg, weil daraus mehr Blöcke zu schneiden sind«, beschreibt Stefan Thiel, Vertriebsleiter der PV Silicon AG die aktuelle Entwicklung. Dabei ist die Frage noch nicht entschieden, ob die Ingots dadurch höher oder breiter werden sollen. »Beides hat Vor- und Nachteile«, sagt Thiel: »Die Frage ist, bei welcher Form mehr Verunreinigungen im Material zu erwarten sind. Geht man in die Höhe, könnten die Verluste durch Top-and-Tails relativ geringer sein. Geht man in die Breite, dann eventuell aber auch relativ geringer, weil die Verunreinigungen auch aus der Tiegeloberfläche herrühren. Das muss noch untersucht werden.«

Sägeschäden an den Kanten

Die Quadrierung ist ein Eingriff mit Folgen. Sie macht aus dem ursprünglich runden monokristallinen Ingot einen quadratischen mit abgerundeten Ecken und aus dem eckigen multikristallinen Groß-Ingot 16 oder 25 Blöcke mit quadratischem Querschnitt. Da anschließend die Blöcke quer zur Längsrichtung in Wafer zerteilt werden, handelt es sich bei den Quadrierungs-Sägeflächen also um die Kantenflächen der zukünftigen Wafer. Mit fatalen Folgen, denn jede Sägerei geht bis zu einer gewissen Eindringtiefe an die Substanz des Wafers – sie produziert beispielsweise kleine Risse. Genau diese Risse aber gefährden weit mehr als andere die Stabilität des Wafers. »Eine Überbeanspruchung vorausgesetzt, führen nämlich die langen Rissen an den Kanten des Wafers zum Bruch«, erklärt Alexander Lawerenz, der zurzeit das Solarzentrum Erfurt, ein Fachbereich des CIS Institutes für Mikrosensorik gGmbH, kommissarisch leitet und mit seinen Mitarbeitern die Vorgänge beim Sägen der Blöcke und der Wafer untersucht hat.

Silizium ist ein äußerst sprödes Material. Anders als bei Metallen pflanzt sich ein Riss im Material nicht langsam fort. »Silizium kennt keinen Ermüdungseffekt, sondern versagt plötzlich und komplett«, fährt Lawerenz fort. Risse bekommt der Wafer zwar auch durch das eigentliche Sägen der Einzelscheiben, also auf der Wafervor und - rückseite, aber entscheidend für das plötzliche Versagen beim Handling in der Zellenproduktion sind die Kantenrisse. Waferhersteller sind deshalb bemüht, die Einwirkungen des Quadrierungssägens zu beseitigen. Wie? Hier schweigen die Fachleute. Es ist davon auszugehen, dass sowohl an den Sägeparametern gedreht als auch aufwändig nachgearbeitet wird – hier bieten sich alle oberflächenverbessernden Verfahren wie Läppen, Schleifen oder Ätzen an.

Eigentlich wird nicht »gesägt«

Die so behandelten Blöcke sind nun bereit zum Scheibensägen. Bei PV Silicon kleben jetzt Produktionshelfer die Si-Blöcke auf rechteckige Glasscheiben. Sie stabilisieren die Wafer im Sägeprozess und halten insbesondere die Einzelwafer, wenn sie fertig gesägt aus der Maschine kommen. Nachdem der Klebstoff durch eine Infrarotbehandlung ausgehärtet ist, werden die Sägemaschinen mit jeweils acht Blöcken bestückt und der Sägedraht in das Rollensystem eingefädelt. Der Draht ist mit etwa 140 μm nur unwesentlich dicker als ein menschliches Haar, bei monokristallinem Material reichen120 μm Drahtstärke. Dann geht es los – in den nächsten fünf bis sieben Stunden zerschneidet der hauchdünne Stahl-Kupfer-Draht mit beachtenswerter Präzision die harten Si-Blöcke. Dabei vollzieht der Draht in der Regel keine Pendelbewegung, die allgemein mit dem Begriff Sägen verbunden wird, sondern bewegt sich fortlaufend mit einer Geschwindigkeit von 10 bis 15 m/s durch das Material – also über 50 km/h. Und das auch nur einmal – ein aufwändiges Rollensystem sorgt dafür, dass der Draht nacheinander alle Sägekanäle durchläuft. »Für die acht Blöcke spannen wir normalerweise eine Rolle mit 400 km Draht ein«, sagt Thiel.

Streng genommen kommt der Draht mit dem eigentlichen Si-Block nicht in Berührung. »Eigentlich ist das Wafersägen gar kein Sägen, sondern ein Trennläppen«, stellt Lawerenz richtig. Denn der Draht schneidet nicht in das Si-Material – dafür ist er viel zu weich. Die Sägestellen werden vielmehr mit einem Gemisch aus Glykol oder Öl und Siliziumcarbid-Körnern besprüht, bei den Waferfachleuten »Slurry« genannt. Dieses Siliziumcarbid ist eine Keramik und das eigentlich abrasive Medium – genauer gesagt: die großen Körner des Karbids. Denn nur sie berühren gleichzeitig den Sägedraht, der sich in einem winzigen Abstand zur Sägefläche bewegt, und das Siliziummaterial. Die Körner werden vom sich bewegenden Draht und Slurry erfasst und umgewälzt. Dabei reissen sie winzige Materialpartikel aus dem Si-Block. Auf diesem Wege kommt es innerhalb mehrerer Stunden zu einer Durchtrennung des Blockes.

Der kürzeren Darstellung wegen und um sich dem allgemeinen Sprachgebrauch der Branche anzupassen, sei aber in der weiteren Darstellung vom »Sägen« die Rede.

Gut gekörnt ist halb getrennt

Die genaue Betrachtung des Trennvorganges verdeutlicht, warum es auf die Zusammensetzung des sündhaft teuren Siliziumcarbids im besonderen Maße ankommt. Da nur die Körner zwischen 15 bis 25 μm Durchmesser an dem Trennvorgang beteiligt sind, muss durch Kontrollen im laufenden Prozess sichergestellt werden, dass genügend Karbidkörner dieser Größe vorhanden sind. Ihre Anzahl verringert sich nämlich durch die massive Gewalteinwirkung ständig: durch Abplatzungen werden sie kleiner. Etwa 10 % der Slurry muss aus diesem Grunde nach jedem Sägedurchgang ersetzt werden.

Noch etwas anderes wird deutlich: Mikroskopisch betrachtet erfährt das Siliziummaterial brachiale Gewalt. Die großen Körner des Siliziumcarbids (SiC), die durch den durchjagenden Draht beschleunigt werden, benehmen sich wie ein Elefant im Porzellanladen. Sie wirken nämlich nicht nur in Trennrichtung – also Richtung des fortlaufenden Materialabtrags, sondern hinterlassen auch links und rechts vom Trennspalt eine wild zerklüftete Oberfläche mit tiefen Einkerbungen und Rissen.

Das sind die berüchtigten »Sägeschäden«, die bei der Zellenprozessierung als erster Verfahrensschritt weggeätzt werden müssen – Damage-edging genannt. Vorrangig geht es darum, die Risse zu beseitigen, die zwar – anders als die Kantenrisse – nicht so sehr mechanisch als elektrisch ein Problem darstellen. Die Fachleute unterscheiden dabei zwischen den relativ harmlosen lateralen Rissen, die sich beim Eindruck des SiC-Kornes seitlich ins Si-Material ausdehnen und den Medianrissen, die in die Tiefe gehen. Medianrisse sind dabei tiefer als die Eindrücke der Körner, die beim Abrollen der Körner auf der Oberfläche der Wafer entstehen. Gelingt es nicht, diese Risse beim Damage-edging zu beseitigen, droht an den Rissgrenzen erhöhte Rekombination der freien Ladungsträger mit den Löchern. Außerdem ist mit einer erhöhten Anzahl von so genannten »Shunts« zu rechnen – unerwünschte lokale Kurzschlüsse. Beide Erscheinungen gehen zu Lasten des Wirkungsgrades einer Solarzelle, sind also in höchstem Maße unerwünscht.

Dickenabweichung im Griff

Die Qualität eines Wafers hängt – außer von der Reinheit der Schmelze – im wesentlichen von den Sägeschäden ab beziehungsweise von der Möglichkeit, sie in nachgelagerten Verfahrensschritten zu beseitigen. Mit einer anderen Beeinträchtigung durch das Sägen kann man jedoch ganz gut leben: der Dickenabweichung. Die Zeit, die der Sägedraht in den Si-Blöcken verbringt, also seine Wirklebens- oder Standzeit, ist mit 20 Sekunden zwar extrem kurz, aber immer noch lang genug, um Verschleisserscheinungen zu zeigen. Der Draht wird beim Durchlauf durch die Si-Blöcke – jeder mit etwa 500 Sägekanälen – nämlich dünner. In der Praxis bedeutet das, dass der Sägespalt in Richtung der Drahtbewegung abnimmt. Dazu kommen unterschiedliche Druckverhältnisse im Sägekanal und eine ungleiche Verteilung der SiC-Körner. »Wir haben festgestellt, dass sich die wichtigen großen Körner am Ein- und am Austritt des Drahtes in den Sägekanal häufen«, klärt Lawerenz auf. In der Mitte des Sägekanals sei die Verteilung eine andere. Diese Faktoren zusammen bedingen, dass der Wafer in Wirklichkeit nicht planparallel, sonder keilförmig geschnitten wird. Thiel gibt die Dickenabweichung durch den Verschleiß des Drahtes mit »einigen wenigen Mikrometern« an und beurteilt sie als vernachlässigbar. Eine Alternative wäre, den Sägedraht nicht fortlaufend, sondern in einer Pendelbewegung durch den Siliziumblock zu führen. »Das würde zwar die Dickenabweichungen verringern, aber zu größeren Sägespuren auf der Oberfläche führen«, urteilt Thiel. Er kann dieses Verfahren zwar anbieten, es wird jedoch so gut wie nie genutzt.


7 m hoher, achteckiger EFG-Schmelztiegel: Die flüssige Si-Schmelze steigt durch die Kapillarkräfte im Spalt auf u. verfestigt sich an der Oberkante des Graphitteils zu einer dünnen Si-Röhre. Der obere Teil bewegt sich mit einer Geschwindigkeit von ca. 2cm/min nach oben und zieht weiteres Silizium nach.
Foto: Schott Solar


Neben dem Drahtverschleiß gibt es noch andere Faktoren, die beim Sägen eines Wafers zu Dickenabweichungen führen können. Das Messen der »Total-Thickness-Variation« gehört deshalb zu den Standardübungen jeder Wafer-Qualitätsprüfung.

Gesägte Wafer liefern die besseren Zellen

Im Vergleich zu dem Endprodukt wirkt die konventionelle Waferfertigung durch das Drahtsägen beinahe schon archaisch – von High-Tech ist wenig zu spüren, Mechanik bestimmt den Prozess, die Slurry schmiert und spritzt. Erst nach diversen Reinigungsbädern zeigt der Wafer seine schöne Kristallstruktur und der Laie ahnt, dass er es hier mit einer Zukunftstechnologie zu tun hat.

Der erste Eindruck ist aber nicht ganz falsch. Ob Trennläppen oder Sägen – der Prozess hat als Hauptnachteil genau den, der ins Auge springt: den exzessiven Materialverbrauch. Noch bevor die eigentliche Waferfertigung beginnt, sind durch das Abschneiden der Top-and-Tails schon bis zu 30 % des Materials verloren. Weitere Materialverluste stellen sich beim Quadrieren ein. Von dem verbleibendem Material schließlich geht durch das Trennen erneut über 40 % verloren, da der Sägespalt in der Regel 180 – 200 μm breit ist und die Waferdicke aktuell bei 240 μm liegt. Die Slurry ist zwar stark mit Silizium angereichert, bisher ist aber kein wirtschaftliches Verfahren bekannt, dass die Rückgewinnung des Siliziums aus diesem Trennschlamm erlaubt. Die Waferproduzenten behelfen sich zurzeit mit der Zwischenlagerung der ausgedienten Slurry, bis sich irgendwann das Recyceln lohnt.

Lässt man außer Acht, dass Top-and-Tails in einem energieintensiven Verfahren recycelt werden können, muss man also feststellen, dass nur etwa ein Drittel des ursprünglich vorhandenen Siliziums tatsächlich in die Zellenproduktion einfließt.

Für einen Waferfachmann wie Alexander Lawerenz vom SolarZentrum Erfurt ist dennoch das »Trennläppen zurzeit konkurrenzlos« und auch PV-Silicon-Mann Stefan Thiel betont: »Wir setzen auf die Technologie nicht ohne Grund. Sie birgt einfach das größere Potenzial.« Begründet wird diese Sichtweise von beiden mit einem in der Photovoltaik dämmebrechenden Argument: dem höheren Wirkungsgrad. Tatsächlich ist der Wirkungsgrad von Solarzellen, die aus gesägten Wafern hervorgegangen sind, rund 0,5 – 1 % absolut höher als bei konkurrierenden Verfahren.

Elegant und hauchdünn

Die Bezeichnung »konkurrierend« verdient eigentlich nur eine Technologie: Das Ziehen von Si-Folien nach dem EFG- und dem SR-Verfahren. EFG steht dabei für »Edge-defined Film-fed Groth« und SR für »String-Ribbon«. Von über vierzig verschiedenen Folienziehtechniken haben es allein diese beiden bis zur großindustriellen Anwendung gebracht. Als Protagonisten dieser Verfahren können die Unternehmen Schott Solar (EFG) sowie Evergreen (SR) gelten.

Das EFG-Verfahren wurde in den USA für den Solarbereich vor etwa 20 Jahren entwickelt und hat 2003 Eingang in die Smart Solar Fab des Unternehmens Schott Solar – damals noch RWE Schott Solar – gefunden. Das Verfahren arbeitet mit der Kapillarkraft von flüssigem Silizium. In der Schmelze befindet sich ein Formteil aus Graphit, dessen wesentliches Element ein Spalt ist, in dem aufgrund der Kapillarkräfte flüssiges Silizium aufsteigt. Von oben nähert sich dem Spalt nun eine Keimfolie, bis sich ein so genannter Meniskus – bezeichnet die gekrümmte Oberfläche einer Flüssigkeit - ausbildet, der nach oben durch die Keimfolie und nach unten durch den Graphitspalt begrenzt wird. Nun wird die Keimfolie mit einer Geschwindigkeit von etwa 2 cm/min nach oben gezogen. An der Unterseite der Keimfolie erstarrt das flüssige Silizium zu einer Folie. Höhere Ziehgeschwindigkeiten führen zu starken Verspannungen und hohen Versetzungsdichten – das sind Gitterfehler im Kristall, die die elektrische Leitfähigkeit herabsetzen.

Um das Verfahren optimal auszunutzen, hat der Graphitspalt in der Draufsicht die Form eines Achtecks, eines Oktagons. Bislang üblich sind in der Smart Fab Ziehhöhen von sieben Metern – es entsteht also Hohlkörper mit dem Querschnitt eines Oktagons, einer Kantenlänge von 125 mm und einer Wandstärke von aktuell 300 μm. Aus diesem Hohlkörper lassen sich nun mit einem Laser Siliziumscheiben im 5-Zoll-Format herausschneiden und als Wafer für die Zellenfertigung verwenden.

Die Herstellung von EFG-Folien erfordert eine äußerst genaue Kontrolle der Temperatur. Die Siliziumschmelze darf nicht so kalt sein, dass bereits an der Oberkante des Formspaltes die Kristallisation einsetzt, aber andererseits kalt genug, um an der Keimfolie zu erstarren. Patric Geiger, der in seiner Dissertation an der Uni Konstanz den Ziehprozess eingehend untersuchte, gibt die erforderliche Temperaturstabilisierung mit +/- 1 Grad Celsius an – auch für erfahrenen Verfahrensingenieure ist das keine triviale Aufgabe.

Unempfindlicher, aber aufwändiger

Das grundlegende Prinzip des SR-Verfahrens versteht jeder, der schon einmal Seifenblasen fabriziert hat. Zwei hitzebeständige Drähte werden unter Argon-Atmosphäre durch ein Bad mit flüssigem Silizium gezogen. Dabei bildet sich zwischen den Drähten eine Siliziumhaut, die als fest-flüssige Grenzschicht wie eine Keimfolie wirkt. Der etwa 7 mm hohe Meniskus sorgt für einen stabilen Ziehprozess, der ähnlich wie der EFG-Prozess mit einer Geschwindigkeit von 1 bis 2 cm/min verläuft. Die Dicke der Folie hängt von der Geschwindigkeit ab, mit der die Drähte durch die Schmelze gezogen werden.

Das SR-Verfahren hat 2001 die Politphase hinter sich gelassen und wird von Evergreen in industriellem Maßstab eingesetzt. Ein grundsätzlicher Vorteil gegenüber der EFG-Methode besteht in der geringeren Temperaturempfindlichkeit. Der SR-Prozess muss auf +/- 10 °C stabil gehalten werden – das ist immerhin eine Zehnerpotenz unempfindlicher als der EFG-Prozess. Trotz dieser relativ großen Toleranz ist das Abkühlprofl einer der entscheidenden Parameter des Verfahrens – immerhin verringert sich die Temperatur des Siliziums von 1.412 °C innerhalb kurzer Zeit auf Raumtemperatur. In dieser schnellen Abkühlung liegt die Hauptursache für Verspannungen, die zu unebenen Wafern und erhöhter Bruchanfälligkeit führen können. Außerdem ergeben sich durch variierende Prozessparameter unterschiedliche Materialdicken, die sich in einer welligen Oberfläche – mit bloßem Auge erkennbar – bemerkbar machen. Das gilt im Übrigen auch für das EFG-Verfahren.

Die Produktivität des SR-Verfahrens ist geringer als die der EFG-Technik. Während bei letzterer ein Ofen acht Waferbänder erzeugt – nämlich die acht Seiten des Oktagons mit jeweils sieben Metern Länge – sind es bei SR-Verfahren lediglich zwei Bänder

Sparsam mit Material und Wirkungsgrad

So sehr sich EFG- und SR-Verfahren auch unterscheiden, haben sie doch den Hauptvorteil sowie den Hauptnachteil gemeinsam: Sie sparen einerseits in erheblichem Umfang Material ein, führen andererseits – wie bereits erwähnt – zu schlechteren Wirkungsgraden.

Zum Materialverbrauch: »Es ist gut, eine Technologie zu haben, die nicht 50 % Materialkosten verursacht«, sagt etwa Unternehmenssprecher Stefan Dietrich vom Zellenproduzenten Q.Cells, der in einem Joint Venture mit Evergreen das SR-Verfahren in Deutschland etablieren will. Ähnlich äußert sich Winfried Hoffmann, Generalbevollmächtigter der Schott Solar GmbH, die in Alzenau die Smart Fab mit einer EFG-Produktion betreibt: »Der große Vorteil dieses Prozesses liegt in der Materialeinsparung. Wir verbrauchen rund 30 % weniger Material als die gesägten Waferscheiben. Hinzu kommt, dass der Prozess schneller abläuft.«

Zu den elektrischen Eigenschaften: So unbestritten wie die Vorteile im Materialeinsatz sind auch die Nachteile der Folienziehverfahren, wenn es um den erreichbaren Zellen-Wirkungsgrad geht. Das Defizit sei verfahrensimmanent, erklärt Waferfachmann Lawerenz:

»Der gegenüber Czochralski-Silizium niedrigere Wirkungsgrad resultiert aus der hohen Defektkonzentration im Foliensilizium. Das wiederum lässt sich mit Einfluss der Fremdmaterialien im Verfahren erklären.« Flüssiges Silizium ist hochreaktiv und stürzt sich begierig auf das Material, mit dem es in den Ziehverfahren in Berührung kommt. So weisen EFG-Wafer unerwünscht hohe Kohlenstoffanteile auf, die aus der verwendeten Graphitform herrühren. Ähnliches gilt für die beim SR-Verfahren verwendeten Ziehdrähte, die für Verunreinigungen und sowie verschiedene Korndichten des Si-Materials verantwortlich sind.

Sparsam gegen effektiv?

Somit reduziert sich der Systemvergleich auf eine simple Überlegung: Wiegt die Materialeinsparung der Folienziehverfahren den geringeren Wirkungsgrad auf? Und: Wie groß ist das Potenzial der konkurrierenden Verfahren.

Daran, dass beim Sägen von Czochralski-Material jede Menge Silizium im wahrsten Sinnen des Wortes verpulvert wird, wird sich nichts Grundlegendes ändern. Die Verfechter dieser Technologie setzen aber auf die Entspannung auf den Rohstoffmärkten. »Immer kann das Silizium nicht so knapp und teuer bleiben«, heißt es bei einem großen Waferproduzenten, »wenn sich die Lage beim Rohsilizium normalisiert, dann spielt die Materialeinsparung keine große Rolle mehr. Dann zählt die erzielbare elektrische Performance.«

Hoffmann hingegen sieht die Schere zwischen beiden Technologien in der Rohstofffrage weiter auseinander gehen. Er hält es für möglich, die Materialeinsparung gegenüber dem Sägen innerhalb der nächsten 20 Jahre auf bis zu 50 % zu steigern. Zu erreichen wäre dies mit noch größeren Oktagon-Durchmessern und dünneren Wafern. »Wir arbeiten intensiv auf 200 μm Waferdicke in der Serienproduktion hin«, sagt Hoffmann, »aber bis dahin wird es wohl noch drei bis vier Jahre dauern.« Das Verfahren habe das Potenzial, so der Schott Solar-Geschäftsführer, den spezifischen Si-Verbrauch von derzeit 10 g/Wp bis zum Jahre 2020 auf nur noch 4g/Wp zu senken. Der konventionellen Waferfertigung traut Hoffmann Vergleichbares nicht zu.

Hinsichtlich der erreichbaren Abmessungen sieht Hoffmann »sein« Material nicht im Nachteil, sondern gleichauf mit den gesägten Wafern: »Wir können 100 μm Materialdicke erreichen.« Dem Forschungsbedarf in Sachen elektrischer Eigenschaften ist sich Hoffmann bewußt: »Das EFG-Material zeigt eine starke Variation der Lebensdauer der Minoritätsträger, außerdem einen geringeren Wirkungsgrad. Beides zu verbessern, ist das Ziel unserer momentanen Forschungsanstrengungen.« Sollte das gelingen, dürfte das Folienziehverfahren sich durchsetzen – das Materialargument wiegt schwerer, als es die Czochralski-Verfechter momentan wahrhaben wollen. Ohne eine vergleichbare, elektrische Performance aber könnte dieser Vorteil von EFG und SR auf lange Sicht seine Wirkung verlieren.


Dieser Text wurde von Jörn Iken exklusiv für Sonne Wind & Wärme geschrieben und erschien in der Ausgabe 06/2006.
Antwort auf Beitrag Nr.: 34.114.232 von lieberlong am 16.05.08 21:06:01Interessanter Artikel zum Ziehen oder Sägen in der Waferherstellung. ;)

Eigentlich wird nicht »gesägt ...

Die so behandelten Blöcke sind nun bereit zum Scheibensägen. Bei PV Silicon kleben jetzt Produktionshelfer die Si-Blöcke auf rechteckige Glasscheiben. Sie stabilisieren die Wafer im Sägeprozess und halten insbesondere die Einzelwafer, wenn sie fertig gesägt aus der Maschine kommen. Nachdem der Klebstoff durch eine Infrarotbehandlung ausgehärtet ist, werden die Sägemaschinen mit jeweils acht Blöcken bestückt und der Sägedraht in das Rollensystem eingefädelt. Der Draht ist mit etwa 140 μm nur unwesentlich dicker als ein menschliches Haar, bei monokristallinem Material reichen120 μm Drahtstärke. Dann geht es los – in den nächsten fünf bis sieben Stunden zerschneidet der hauchdünne Stahl-Kupfer-Draht mit beachtenswerter Präzision die harten Si-Blöcke. Dabei vollzieht der Draht in der Regel keine Pendelbewegung, die allgemein mit dem Begriff Sägen verbunden wird, sondern bewegt sich fortlaufend mit einer Geschwindigkeit von 10 bis 15 m/s durch das Material – also über 50 km/h. Und das auch nur einmal – ein aufwändiges Rollensystem sorgt dafür, dass der Draht nacheinander alle Sägekanäle durchläuft. »Für die acht Blöcke spannen wir normalerweise eine Rolle mit 400 km Draht ein«, sagt Thiel.
:rolleyes:


Sägen? :confused:
Warum nicht schneiden mit "Laser und Wasser" ...
pdf Artikel mit 14 Seiten.

http://www.synova.ch/pdf/2000_LEF.pdf
Antwort auf Beitrag Nr.: 34.117.650 von bossi1 am 17.05.08 20:04:04
Streng genommen kommt der Draht mit dem eigentlichen Si-Block nicht in Berührung. »Eigentlich ist das Wafersägen gar kein Sägen, sondern ein Trennläppen«, stellt Lawerenz richtig. Denn der Draht schneidet nicht in das Si-Material – dafür ist er viel zu weich. Die Sägestellen werden vielmehr mit einem Gemisch aus Glykol oder Öl und Siliziumcarbid-Körnern besprüht, bei den Waferfachleuten »Slurry« genannt. Dieses Siliziumcarbid ist eine Keramik und das eigentlich abrasive Medium – genauer gesagt: die großen Körner des Karbids. Denn nur sie berühren gleichzeitig den Sägedraht, der sich in einem winzigen Abstand zur Sägefläche bewegt, und das Siliziummaterial. Die Körner werden vom sich bewegenden Draht und Slurry erfasst und umgewälzt. Dabei reissen sie winzige Materialpartikel aus dem Si-Block. Auf diesem Wege kommt es innerhalb mehrerer Stunden zu einer Durchtrennung des Blockes.

***

SiC Procesing AG (natürlich auch bei der Deutschen Solar im Einsatz):

Zum besseren Verständnis des Geschäftsmodells der SiC bietet sich ein kurzer Blick
auf das technische Verfahren, das der Waferherstellung zu Grunde liegt, an. In dem
derzeit gängigen Verfahren der Waferherstellung wird zunächst Reinsilizium aus
Quarz gewonnen und anschließend zu Siliziumblöcken oder Siliziumstäben, so
genannten Ingots, gegossen oder gezogen. Diese Ingots werden mittels eines
mechanischen Sägeprozesses zu Siliziumscheiben, so genannte Wafer, zersägt.
Dieser mechanische Sägeprozess erfolgt nach heutigem Stand der Technik ganz
überwiegend mittels eines Stahlsägedrahtes, der mit hoher Geschwindigkeit von
einer Rolle auf eine zweite Rolle abgespult wird.
Der Ingot ist dabei auf eine Glasplatte geklebt, mit der er durch die Säge geschoben
wird. Neben dem Sägedraht wird eine Sägesuspension bestehend aus Siliziumcarbid
als Sägehilfsmittel und Glykol oder Öl als Kühl- und Trägermittel für das Siliziumcarbid
eingesetzt. Die Sägesuspension wird auf den sich abrollenden Stahlsägedraht
gegeben, wobei das Siliziumcarbid als relativ hartes Element die eigentliche Säge-
leistung erbringt und der Sägedraht lediglich das Siliziumcarbid transportiert. Die
verwendete Sägesuspension muss nach mehrmaliger Anwendung ausgewechselt
und entweder entsorgt oder aufbereitet werden. Die SiC-Gruppe führt diese Aufbe-
reitung der benutzten Sägesuspensionen in einem Verfahren zur Rückgewinnung
der Inhaltsstoffe Siliziumcarbid und Glykol durch. Das nachfolgende Schaubild zeigt
das Prinzip der Drahtsägetechnik bei der Waferherstellung.




http://www.sic-processing.com/k/sicag_/index-sicag-0-folder.…
Antwort auf Beitrag Nr.: 34.118.065 von lieberlong am 17.05.08 23:25:07SiC Procesing AG (natürlich auch bei der Deutschen Solar im Einsatz):

So einer stand "zufällig" gerade vor der DS1000, als wir zur Werksführung waren:



Speziell nochmal zur Firma:

Die Haupttätigkeit der SiC-Gruppe ist die
Rückgewinnung und Aufbereitung der in
den Sägesuspensionen der Waferhersteller
enthaltenen Wertstoffe. Diese Rückge-
winnung und Aufbereitung führt sie in
ihren modernen Anlagen unter Nutzung
der Hydrozyklontechnik durch. Sie nimmt
die gebrauchten Sägesuspensionen von
den Waferherstellern zurück und trennt
in einem aufwändigen Verfahren die
Inhaltsstoffe Siliziumcarbid und Glykol.
Die SiC-Gruppe reinigt beide Wertstoffe
und gibt diese in der Reinform an die
Kunden zurück. Dies bedeutet, dass die
Kunden das rückgewonnene Siliziumcar-
bid und Glykol in der Form erhalten, wie
sie es auch als neuen Rohstoff erwerben
würden, das Siliziumcarbid in großen
Säcken, so genannten Bigbags, und das
Glykol in Containern. Die SiC-Gruppe
übernimmt auch den Weiterverkauf bzw.
die Entsorgung der bei der Rückge-
winnung und Aufbereitung anfallenden
Rest- und Abfallstoffe für ihre Kunden.

Mit ihrem patentgeschützten Verfahren
hat sie nach eigener Einschätzung eine
bis dahin nicht erreichte Ausbeute und
Qualität bei der Rückgewinnung und
Aufbereitung von Siliziumcarbid und
Glykol aus gebrauchten Sägesuspen-
sionen erreicht und in den vergangen
Jahren durch kontinuierliche Verbesse-
rung des Produktionsprozesses um-
fangreiches weiteres Know-how auf-
gebaut. Hierdurch ist die SiC-Gruppe in
der Lage, ihren Kunden einen wesent-
lichen Kostenvorteil zu verschaffen.
Dieser Kostenvorteil beruht auf dem
deutlich verringerten Bedarf der Wafer-
hersteller an neuem Siliziumcarbid und
Glykol aufgrund der hohen Rückge-
winnungsraten des SiC-Verfahrens von
75 - 90 % des verwendbaren Silizium-
carbid und 85 - 95 % Glykol.
Das Verfahren der SiC-Gruppe kann
aufgrund der hohen Qualität der auf-
bereiteten Suspension beliebig oft
wiederholt werden, während bei alter-
nativen Verfahren nach mehreren
Aufbereitungen die Suspension
vollständig ersetzt werden muss.
hallo

könnt ihr mir sagen ob es auf irgend eine weise eine zusammen arbeit von Solarwold und Powerbags gibt??????
Sharp verzehnfacht Produktionskapazität von Dünnschicht-Solarzellen :look:


Sharp-Solar-Produktion im japanischen
Katsuragi

Der Photovoltaik-Hersteller Sharp will bis Oktober 2008 die Produktionskapazität für Dünnschicht-Solarzellen in der japanischen Fabrik Katsuragi von 15 auf 160 Megawatt steigern. Damit baue der Technologiekonzern den strategisch wichtigen Solarbereich als Kerngeschäftsfeld neben LCD-TV und Information Systems weiter aus, so das Unternehmen in einer Pressemitteilung. Mit dem Ausbau der Dünnschicht-Produktionskapazität stärke das Technologieunternehmen die Photovoltaik als strategischen Geschäftsbereich innerhalb des Gesamtunternehmens deutlich. Rund 22 Milliarden Japanische Yen (etwa 135 Millionen Euro) investiere Sharp als Weltmarktführer bei der Herstellung von Solarzellen im kommenden Jahr in den Ausbau des japanischen Solarzellen-Werks Katsuragi. Die Dünnschichttechnologie gewinne innerhalb der Photovoltaik sowohl technologisch als auch durch die wachsende Produktion zunehmend an Relevanz, betont SHARP. Dünnschichtzellen erforderten im Vergleich zu poly- und monokristallinen Zellen weniger Silizium, könnten daher auch kostengünstiger produziert werden und brächten gute Erträge.


Triple Junction-Zellen mit einem Wirkungsgrad von 11 Prozent

"Wir verfolgen sowohl technologisch als auch in der Produktion von Dünnschichtzellen ambitionierte Ziele. In unserer bestehenden Farbrik Katsuragi steigern wir im Laufe des nächsten Jahres nicht nur die Produktionskapazität bei Dünnschichtzellen von 15 auf 160 Megawatt. Darüber hinaus setzen wir hier auf unsere neuen Triple Junction-Zellen, die mit einem gesteigerten Wirkungsgrad von 11 Prozent den Dünnschicht-Markt technologisch anführen", so Peter Thiele, General Manager Sharp Solar Business Group Germany/Austria.


Know-how der LCD-Fertigung für die Produktion von Dünnschichtsolarzellen

Bereits in diesem Jahr hat Sharp die neu entwickelten Triple Junction Zellen vorgestellt. Dank intensiver Forschung hat der japanische Konzern damit innerhalb weniger Jahre eine Steigerung des Wirkungsgrads um fast drei Prozent erreicht. Dabei kann Sharp als Hersteller von LCD-Panels auf das spezielle Know-how der Oberflächenbeschichtung von Glas zurückgreifen und auf die Produktion der Dünnschichtzellen anwenden. Mit den neu entwickelten Triple-Zellen (zwei amorphe und eine mikrokristalline Siliziumschicht) ist Sharp in der Lage, Dünnschichtmodule mit einem Wirkungsgrad von über 10 Prozent herzustellen.


Gigawatt-Solarfabrik soll bis 2010 in Sakai gebaut werden

Der Ausbau der bestehenden Fabrik Katsuragi sei nur der erste Schritt auf dem Weg zur weiteren Produktions-Steigerung um 1.000 Megawatt mit der neuen Fabrik Sakai im Jahr 2010, betont SHARP. Damit arbeite das Unternehmen zielstrebig auf die Massenproduktion und sinkende Preise der Dünnschichtzellen hin. Mit der weltweit größten Solarfabrik in Sakai entstehe ein über eine Million Quadratmeter großer Industriepark, der auch Platz für Zulieferbetriebe bietet. Sharp nutze die technologischen und infrastrukturellen Synergien und erzielt dadurch eine erhebliche Kostensenkung. Durch die Kombination modernster Fabriken mit vertikal-integrierter Produktion demonstriere Sharp seine Innovationsführerschaft in den Märkten der Zukunft: Consumer Electronics und erneuerbare Energien. :rolleyes:

06.12.2007 Quelle: Sharp Electronics (Europe) GmbH

+++++

Sonnenenergie: Photovoltaik & Solarthermie
Dünne Schichten – hoher Ertrag :look:



Triple-Junction-Zellen erschließen zweistellige Wirkungsgrade
So unterschiedlich wie die Einsatzgebiete von Solarstrom ist das Angebot der Photovoltaik-Technologien. Für jeden Einsatzzweck von Flach- oder Spitzdach über Fassadenlösung bis zur Großanlage gibt es die passende Technologie. Neben den kristallinen Standardmodulen, die zurzeit noch am meisten installiert sind, kommen zunehmend Dünnschichtmodule zum Einsatz. * Marcus van Aacken


Der Wirkungsgrad der Dünnschichtmodule ist grundsätzlich geringer. Bei bestimmten Technologien beträgt er sogar nur die Hälfte. Allerdings gilt das nur für ideal ausgerichtete und beleuchtete Photovoltaikmodule in einer verschattungsfreien Umgebung – eine in der Praxis recht seltene Kombination.

Der zentrale Vorteil der Dünnschichttechnologie gegenüber den kristallinen Solartechnologien liegt in ihrem meist höheren spezifischen Energieertrag. Diese für die Wirtschaftlichkeit entscheidende Größe beschreibt den elektrischen Energieertrag pro installierter Leistung und wird in kWh/kWp (erzeugte Energie in Kilowattstunden pro Kilowatt-Peakleistung) angegeben. Im Detail erhöhen drei Eigenschaften der Dünnschichttechnologie in den meisten Anwendungsfällen den spezifischen Energieertrag:

Zu dem zentralen Vorteil höherer spezifischer Energieerträge kommt der meist günstigere Preis der Dünnschichtmodule. So spiegeln sich die günstigeren Herstellungskosten der Dünnschichttechnik auch im Verkaufspreis von Modul und Photovoltaiksystem wider.

Anwendungen Dünnschichtmodule
Gerade in drei Anwendungsgebieten kann die Dünnschichttechnologie mit ihren speziellen Produkteigenschaften punkten.Hausdächer: Die geringere Anfangsinvestition, die homogene Optik der Dünnschichtmodule sowie die häufig suboptimalen Dach-Bedingungen durch Verschattung und nicht optimale Dachausrichtung machen Dünnschichtmodule häufig zum Preis-Leistungs-Sieger unter den Solarstrommodulen.Großanlagen: Das Preis-Leistungs-Verhältnis ist gerade bei Großanlagen ein wichtiges Argument. Durch geschickte Systemtechnik, das heißt schnelle Installation und eine günstige Gestelltechnik, kann der Wirkungsgradnachteil wettgemacht werden. Der Energieertragsvorteil der Dünnschichttechnologie zeigt sich besonders in warmen Regionen, da hier die hohen Umgebungstemperaturen deutlich weniger Einfluss auf den Ertrag haben. Gebäudeintegration: Auch bei Sonderlösungen wie der Gebäudeintegration kommen Dünnschichtmodule dank ihrer homogenen schwarzen Optik vor allem dort zum Einsatz, wo die Ästhetik eine wichtige Rolle spielt. Durch die Verwendung von Glas als Modulrückseite und mit einer speziellen Laserbearbeitung der Zellen können zum Beispiel die mikroamorphen Dünnschichtmodule von Sharp mit einer Transparenz von 30 Prozent hergestellt werden. Diese semitransparenten Module sind besonders für gebäudeintegrierte Lösungen interessant, bei denen lichtdurchlässige Wände oder Dächer gewünscht sind – wie zum Beispiel an Wintergärten und Fassaden.

Die wichtigsten Dünnschichttechnologien in der Übersicht
Anders als bei mono- und polykristallinen Silizium-Solarzellen, bei denen sich alle Technologien weitgehend ähnlich sind, basieren die Dünnschicht-Zellen auf unterschiedlichen Technologien und Herstellungsverfahren.

Die drei wichtigsten Technologien mit dem größten Potenzial gründen auf Cadmium-Tellurid, Kupfer-Indium-Selenid und amorphem beziehungsweise mikroamorphem Silizium. Hier ein kurzer Überblick:

Cadmium-Tellurid: Dünnschichtsolarzellen auf Cadmium-Tellurid-Basis (CdTe) kommen ohne den zurzeit begrenzt verfügbaren Rohstoff Silizium aus. Wie der Name schon andeutet, enthalten diese Zellen aber das Schwermetall Cadmium. Obwohl die Menge relativ gering ist, gibt es nur wenige Hersteller, die auf diesen Zelltyp setzen. Diese Dünnschichtmodule kommen heute meist in Großanlagen zum Einsatz. Der Wirkungsgrad der ungerahmten Module liegt derzeit bei etwa 9,5 Prozent.Kupfer-Indium-Selenid: Die so genannten CIS-Dünnschichtsolarzellen sind ebenfalls siliziumfrei, verwenden aber Indium, dessen eingeschränkte Verfügbarkeit wahrscheinlich den Ausbau der Produktion begrenzen wird. Zurzeit befinden sich die CIS-Zellen noch in der Entwicklung und sind deshalb noch nicht in großen Mengen auf dem Markt. Ihr Modulwirkungsgrad liegt ebenfalls bei etwa 9,5 Prozent.

Siliziumbasierte Dünnschichtsolarzellen:

Amorphes Silizium (a-Si) ist eine nicht-kristalline Form des Halbleiters Silizium. Vorteil ist, dass es in besonders geringen Schichtdicken aufgedampft werden kann. Dabei sind die üblichen Schichtdicken in etwa um den Faktor 100 kleiner als bei kristallinem Silizium. Ein Rohstoffengpass wie bei kristallinem Silizium ist für die Dünnschichttechnik auf Basis von Silizium daher nicht zu erwarten. Trotz ihrer langen Historie, der vielen Anbieter und des größten Marktanteils, haben die Dünnschichtzellen auf amorpher Silizium-Basis mit rund 6 Prozent den geringsten Modulwirkungsgrad.

Seit zirka zwei Jahren ist die weiterentwickelte Variante auf dem Markt verfügbar, die diesen Nachteil ausgleicht. Die so genannte mikroamorphe Si-Technik (a-Si/μc-Si) weist neben den amorphen Siliziumschichten noch eine mikrokristalline Schicht auf, die den Modulwirkungsgrad auf derzeit bis zu 10 Prozent erhöht.

Vorteile mikroamorpher Silizium-Dünnschichtsolarzellen

Für Hersteller wie Sharp gibt es überzeugende Argumente, auf die siliziumbasierte Dünnschichttechnologie zu setzen. Die neue Dünnschichtzellen-Generation vereint nicht mehr nur zwei, sondern insgesamt drei Zell-Schichten. Während die Tandem-Zellen aus einer mikrokristallinen und einer amorphen Siliziumschicht bestehen, haben die Triple-Junction-Zellen eine mikrokristalline und zwei amorphe Siliziumschichten.

Als Folge der zusätzlichen Schicht ergibt sich eine Steigerung des Wirkungsgrads um bis zu etwa drei Prozentpunkte, was einer Effizienzsteigerung von knapp 40 Prozent entspricht. Dank der homogenen Optik eignen sich die mikroamorphen Dünnschichtmodule für den Einsatz überall dort, wo auch das Erscheinungsbild eine wichtige Rolle spielt.


http://images.google.com/imgres?imgurl=http://www.energy20.n…
Antwort auf Beitrag Nr.: 34.118.154 von lieberlong am 18.05.08 00:38:05SiC Procesing AG (natürlich auch bei der Deutschen Solar im Einsatz)

Da hab ich bei der Werksbesichtung etwas interessantes verpaßt. Ich hab den Thread von @meinolf67 zu SiC gelesen. ;)
20% der PV Parks in Spanien wird "nicht" bis zum 29 September in den Genuß der Einspeise Tarife nach der alten Regulierung kommen. Nach dem Anschluß an das Netz müssen die Parks für diese Tarife registriert werden und das dauert ca. einen Monat. Der Haken dabei?? Das ganze muß für die alten hohen Tarife mit 41 Cent vor dem 29. Sept. 2008 abgeschlossen sein - sonst gibt es mit 31 Cent 26% weniger und nur das ist sicher. Nur wenige garantiern diese Frist bei der Abgabe. España es diferente ...


automatische Übersetzung ...
One of each five photovoltaic plants will not benefit from the present
premiums At least a 20% of the photovoltaic facilities that are being
constructed right now in Spain will not be ready for the 29 of
September of 2008, according to estimations of the sector. It supposes
that the present normative frame and expenses of future the new law
have left outside, of which do not know its terms. The only thing
surely is that the premiums will be smaller.





Noemi Navas/MADRID (19-05-2008)

The time runs against the photovoltaic solar facilities that
are being constructed now in Spain. If the 29 of September of 2008 are
not ready, the present legal frame of Real Decree 661/2007, is not to
them of application and no longer they could accede to the premiums to
which this norm gives right. According to the estimations of the
employer's association of photovoltaic industry ASIF, a 20% of the
solar plants that are in this situation will not at least be able to
have all the inscriptions in order for that moment.

What supposes not to arrive at the date top that marked the
legislation? At the moment, this question is all an incognito.
Although from Industry they confirm that ' those that are not
completed for that moment, they will have to take refuge in new
legislación', the certain thing is that, of this future norm, little
or anything is known and in the ministry they do not comment either.

Real Decree 661/2007 let be of application when the industry arrived
at the 400 installed MW. From here, it fixed a year of transition of
the norm, that turns that day of September, so that the facilities
that already were being constructed finalized. When seeing that the
objective fixed for 2010 had been covered before the norm turned a
year, the Government initiated the writing process of a new law that
regulates the shot development of the sector, that grows to rates of
annual 440%. The rough draft that presented/displayed the previous
holder of the Ministry of Industry fixed an objective of power of
1,200 MW and one progressive reduction of cousins, along with an
automatic slope of the present ones.

Less money by kilowatt But far from relaxing the sector, the threat of
the aim of the legislation has shot to the execution of the projects
of the companies, accelerating even some that were going away to
develop with more calm. The last data of the National Commission of
Energi'a (CNE) mark that already it has installed 800 MW, the double
that when finishing 2007. Not in vain, for that they arrive late, the
future yield depends on the questions without answer: to how much the
kilowatt will be paid? One will be different between great and small
plants for the repayment?

The great doubt will be to determine who will become responsible for
the loss of yield before the investors of the plants that arrive late
for the present premium

Taking like reference the rough draft from the previous
ministry, the new plants installed in ground would as opposed to
receive 31 céntimos by kilovatio/hora produced the 41 céntimos that
received with the previous decree. This supposes a reduction of 26%.

The loss of yield derived from this difference of repayment depends on
the conditions of each project. In principle, it would be logical to
think that a 26% more of time in amortizing their investment in fact
will take but, has much to do with the credit agreement at which they
have arrived with the bank. ' the organizations have made the ratios
of cover of the debt having had in account this premium of decree
661/2007. If this changes, the bank transfers to the company the risk
and reshapes the credit, considering this disminución', explains
Emilio Langle, chief of a main directorate of Aguirre Newman Solar
Gestamp.

The numbers are not small. A project of 10 MW average hill 60 million
and to amortize a 20% that is not financed already is a serious
effort.

But there is another question that glides on this situation: who is
going away to make person in charge of this difference of yield before
the investors of the delayed plants? It will be the distributing
electrical company to take in granting the connection? He will be the
promoter not to calculate the terms well? It can that is not stranger
who these questions end up responding itself in the courts.

THE NUMBER. 26% were the diminution in the repayment that marked the
presented/displayed rough draft the CNE by the previous equipment of
the Ministry of Industry and that the sector rejected.

Protection against avalanches the independent communities are the
competent ones to indeed receive the requests of definitive
inscription of the photovoltaic solar plants and, to approve them and
to register them. This last step is the definitive one to determine
that it enters or not in the regulation of present the real decree.

In this process, that takes place after the effective connection to
network of the installation, usually one takes a month. That is to
say, the date limit to ask for the inscription will be the 28 of
August.

This implies that, in total summer vacations, it is going away to
produce the true avalanche of requests, with the risk of not
fulfilling the terms by the masificación. Some communities already
are putting average to prevent and to make agile this transaction and
to prevent the saturation.

For example, the Meeting of Castile and Leon and the Government of
Aragón have published individual norms that assure that the
facilities that present/display the request and fulfill the
requirements before the 1 of August and the 27 of June, respectively,
will be enrolled for the 29 of September. The term of presentation is
reduced but it is guaranteed that top will be fulfilled the date.

Andalusia has transferred to the territorial delegations of the
Meeting the competitions, so that less projects are accumulated and
allows simultaneously to present/display the request that the putting
in good condition of the installation.

http://www.cincodias.com/articulo/empresas/plantas/fotovolta…
Rückblick: Die SOLARWORLD konnte man splitbereinigt im Mai 2003 noch für 0,25 Euro erwerben. Dies sollte sich aber schnell ändern. Denn die Aktie startete danach zu einer extremen Aufwärtsbewegung. Im September 2005 erreichte die Aktie ein Zwischenhoch bei 17,56 Euro. Im Mai 2006 erreichte die Aktie ein weiteres Zwischenhoch bei 35,42 Euro.

Danach setzte die Aktie schnell bis fast auf das Vorgängerhoch bei 17,46 Euro zurück, wo es dann zu einer weiteren starken Aufwärtswelle kam. Bis auf 48,80 Euro zog der Wert Ende Oktober 2007 an.

Diese Rallye wurde anschließend massiv abverkauft. Bis auf 22,15 Euro wurde der Wert innerhalb weniger Wochen abverkauft. Seit diesem Tief aus dem Januar 2008 zieht der Wert wieder deutlich an. Mitte April durchbrach der Wert sogar schon den Abwärtstrend seit Oktober 2006. Dieser verläuft aktuell bei 30,31 Euro.

Seit dem Trendbruch kommt der Kurs allerdings kaum noch voran. Die Aktie bewegt sich in den letzten Wochen nur seitwärts.

Charttechnischer Ausblick: Aktuell besteht weiterhin in der SOLARWORLD - Aktie die Chance auf eine Rallye bis ca. 48,80 Euro. Allerdings sollte nun bald Kaufinteresse aufkommen. :rolleyes:

Sollte der Wert jedoch auf Wochenschlusskursbasis unter 30,31 Euro per Wochenschlusskurs abfallen, müsste mit starken Abgaben bis ca. 22,15 Euro gerechnet werden. Denn dann würden einige Käufer der letzten Wochen ihre Position wieder schließen.

Kursverlauf vom 11.02.2005 bis 19.05.2008 (log. Kerzendarstellung / 1 Kerze = 1 Woche)

20.05.2008 - 08:30
Verkauf geht in die heiße Phase
Bei Evonik wird es ernst :look:

Der Evonik-Verkauf in die Schlussphase. Frankfurt/Main (RPO). Langsam aber sicher wird es ernst im Hinblick auf den Verkauf einer Minderheitsbeteiligung am Essener Industriekonzern Evonik. Einem Pressebericht zufolge müssen die vier verbliebenen Interessen bis zum 28. Mai ihre Angebote vorlegen.

Das berichtet die "Börsen-Zeitung" unter Berufung auf Verhandlungskreise. Bei der Evonik-Mutter RAG Stiftung war am Dienstagmorgen niemand für eine Stellungnahme zu erreichen.

Für die zum Verkauf stehende Minderheitsbeteiligung gebe es derzeit noch vier interessierte Finanzinvestoren: Bain Capital, Blackstone, CVC und KKR zusammen mit Sal. Oppenheim, hieß es weiter. Nach Auswertung der bindenden Angebote werde die RAG-Stiftung als Herrin des Verfahrens mit zwei Bietern in die finale Verhandlungsrunde eintreten. Bis Ende Juni solle eine Entscheidung fallen.

Ursprünglich wollte die RAG-Stiftung 2008 mit der Trennung von Evonik über einen Börsengang beginnen. Aufgrund der schwierigen Kapitalmarktbedingungen musste das Vorhaben jedoch Anfang April abgeblasen werden. Der Börsengang ist allerdings nur aufgeschoben, denn weitere Tranchen muss die Stiftung gemäß ihrer Satzung zwingend über die Börse veräußern. Langfristig will die Stiftung mit einer Sperrminorität beteiligt bleiben. Aus dem Stiftungsvermögen müssen die Ewigkeitslasten aus dem Steinkohlebergbau gedeckt werden.

Angesichts der positiven Geschäftszahlen für das erste Quartal werde die RAG-Stiftung, die derzeit noch alleinige Eigentümerin von Evonik ist, ihre Preisvorstellungen von mehr als zwei Milliarden Euro für ein 25-Prozent-Paket problemlos durchsetzen können, schreibt das Blatt weiter. Als einer der beiden aussichtsreichsten Kandidaten gelte Blackstone, deren Chef Stephen Schwarzman in den vergangenen Tagen bei Bundesfinanzminister Peer Steinbrück (SPD) vorstellig geworden sein soll.

Evonik umfasst die vom ehemaligen Steinkohlekonzern RAG abgespaltenen Chemie-, Energie- und Immobiliensparten, beschäftigt rund 43.000 Mitarbeiter und erzielt einen Jahresumsatz von rund 15 Milliarden Euro. Im Frühsommer 2007 hatten Gutachter den Unternehmenswert auf mindestens fünf Milliarden Euro veranschlagt. Aus den Verkaufserlösen sollen vom Jahr 2019 an die sogenannten Ewigkeitslasten des Bergbaus zum Beispiel für die Wasserhaltung in den stillgelegten Zechen finanziert werden.

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BlackRock :look:

In 1988, BlackRock was founded as the Financial Management Group within the private equity firm Blackstone Group. Larry Fink, BlackRock’s founder and CEO, had joined Blackstone in 1988 as a partner, along with Ralph Schlosstein, former White House aide under the Carter administration, and Keith Anderson. Before joining Blackstone, Fink was a managing director at First Boston, where he pioneered the mortgage-backed securities market in the United States. In 1992, Fink, Schlosstein and Anderson separated from the Blackstone Group under the name BlackRock and aggressively re-invented it as an independent asset-management company. In 1995, PNC Financial Services Group purchased BlackRock and in 1999, assets under management had grown to $165 billion and the firm decided to go public.

Much of BlackRock's recent growth can be attributed to its acquisitions. On January 28, 2005, BlackRock purchased State Street Research Management, a mutual-fund business that had previously been owned by MetLife. This acquisition added a sizable equity business to BlackRock's funds, which had previously comprised mostly fixed-income securities. On September 29, 2006, BlackRock completed its merger with Merrill Lynch Investment Managers (MLIM), halving PNC's ownership and giving Merrill Lynch a 49-percent stake in the company. On June 26, 2007, BlackRock entered into an agreement to acquire the fund-of-funds business of Quellos Capital Management.[3]

Headquartered in New York City, BlackRock operates 35 offices in 18 countries, among them markets in the United Kingdom, Asia, Australia and Europe.

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Aktionärsstruktur :look:
SolarWorld


Stand 02.04.08 Anteile
Frank H. Asbeck 25,00 %
Fidelity Investments 8,73 %
Fidelity Contrafund 2,75 %
BlackRock Inc./BlackRock Holdco 1, LLC 4,98 %
DWS Investment GmbH 4,93 %
UBS AG 2,96 %
Streubesitz 50,65 %
Summe 100,00 %

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Mit BlackRock (Merrill Lynch) als "möglichem" Käufer für den 25% Evonik Anteil würde auch eine weitere Verbindung zu Solarworld und JSSI entstehen, durch ihren 4,98% Anteil an Solarworld. Mal sehen, ob man dann das Silizium Geschäft unter JSSI mit mehr Nachdruck ausbaut als das unter der RAG möglich war. :rolleyes:
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