Aixtron - Die Perle im Technologiebereich (Seite 4743)
eröffnet am 14.07.04 15:26:35 von
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Marktkap. 285,56 Mio. €
Statistik
Eröffnungskurs 3,16 €
Tageshoch 3,23 €
Tagestief 3,14 €
52-Wo. Hoch 3,85 €
52-Wo. Tief 2,36 €
Jahreshoch 3,43 €
Jahrestief 2,44 €
Vortag
AIXTRON Xetra 3,18 €
AIXTRON Nasdaq 3,69 $
TecDAX 743,16
Nasdaq Comp. 2.287,04
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Northrop Grumman verzeichnet Erfolg bei GaN HEMT-Bauelementen mit Thomas Swan MOCVD System
Aachen, 23. Februar 2006 – Innerhalb kurzer Zeit erzielte die Northrop Grumman Corporation mit ihrer neuen Thomas Swan Close Coupled Showerhead MOCVD-Anlage hervorragende Materialqualität und Homogenität bei Hochfrequenztransistoren (High Electron Mobility Transistors oder „HEMTs“).
In seinem Werk in Linthicum, USA, stellt das Unternehmen mit dem CCS MOCVD-System mit einer Reaktorkonfiguration von 7x3“ Wafern elektrische Bauteile auf Basis von AlGaN/GaN auf SiC zur Forschung, Entwicklung und Produktion her.
GaN-basierende Halbleiter zeigen heute - nach Ihrem Siegeszug in der Optoelektronik - auch großes Potential in der Mikroelektronik. In beiden Bereichen ist MOCVD die bevorzugte Herstellungs-Technologie für die Forschung und Produktion. Speziell der Thomas Swan CCS Reaktor ist für viele führende Forschungslabors und Produktionswerke das System der Wahl. Die überlegene Leistung der Bauelemente, die auf GaN- und SiC-Halbleitern basieren, prädestiniert sie für den Einsatz in einer breiten Palette von elektronischen Anwendungen der nächsten Generation; hierzu gehören beispielsweise Stromwandler und -regler in Fahrzeugen sowie Radar für die Luftfahrt und Verteidigung. In der Telekommunikation werden diese Bauelemente, die leistungsstärkere und effizientere Verstärker ermöglichen, in drahtlosen 3G/4G Basisstationsverstärker eingesetzt.
Dr. Debora Partlow, Leiterin der Gallium Nitrid (GaN)-Technologie bei Northrop Grumman Electronic Systems, bestätigt: „Wir sind sehr zufrieden mit dem Thomas Swan CCS System, dessen außergewöhnliche Leistungsfähigkeit sich schnell bestätigt hat. Materialqualität und Kapazität entsprechen völlig unseren Erwartungen. Unsere Mitarbeiter schätzen die für das CCS System typische Ergonomie und Wartungsfreundlichkeit. Zusätzlich bietet das System eine hohe Prozessflexibilität, die unsere Forschung und Entwicklung wesentlich erleichtert. Diese Faktoren sowie der hervorragende Support vor Ort haben dazu geführt, dass wir unserem Entwicklungsplan für die HEMT-Bauelemente weit voraus sind.
Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON AG sagt: „Northrop Grumman ist für uns ein Schlüsselkunde, und wir freuen uns, dass unser CCS-System seine Leistungsfähigkeit bei der Herstellung anspruchsvoller mikroelektronischer Bauelemente mit großer Bandlücke erneut unter Beweis gestellt hat. Dieser Erfolg ist der engen Zusammenarbeit von unseren Prozess- und Serviceingenieuren mit den Experten von Northrop Grumman Electronic Systems zu verdanken. Unser Team wird Northrop Grumman weiterhin unterstützend zur Seite stehen, bis die Entwicklungsphase der HEMT-Bauelemente abgeschlossen ist und die Produktion aufgenommen werden kann.“
Die Begriffe Close Coupled Showerhead und CCS sind Warenzeichen.
Aachen, 23. Februar 2006 – Innerhalb kurzer Zeit erzielte die Northrop Grumman Corporation mit ihrer neuen Thomas Swan Close Coupled Showerhead MOCVD-Anlage hervorragende Materialqualität und Homogenität bei Hochfrequenztransistoren (High Electron Mobility Transistors oder „HEMTs“).
In seinem Werk in Linthicum, USA, stellt das Unternehmen mit dem CCS MOCVD-System mit einer Reaktorkonfiguration von 7x3“ Wafern elektrische Bauteile auf Basis von AlGaN/GaN auf SiC zur Forschung, Entwicklung und Produktion her.
GaN-basierende Halbleiter zeigen heute - nach Ihrem Siegeszug in der Optoelektronik - auch großes Potential in der Mikroelektronik. In beiden Bereichen ist MOCVD die bevorzugte Herstellungs-Technologie für die Forschung und Produktion. Speziell der Thomas Swan CCS Reaktor ist für viele führende Forschungslabors und Produktionswerke das System der Wahl. Die überlegene Leistung der Bauelemente, die auf GaN- und SiC-Halbleitern basieren, prädestiniert sie für den Einsatz in einer breiten Palette von elektronischen Anwendungen der nächsten Generation; hierzu gehören beispielsweise Stromwandler und -regler in Fahrzeugen sowie Radar für die Luftfahrt und Verteidigung. In der Telekommunikation werden diese Bauelemente, die leistungsstärkere und effizientere Verstärker ermöglichen, in drahtlosen 3G/4G Basisstationsverstärker eingesetzt.
Dr. Debora Partlow, Leiterin der Gallium Nitrid (GaN)-Technologie bei Northrop Grumman Electronic Systems, bestätigt: „Wir sind sehr zufrieden mit dem Thomas Swan CCS System, dessen außergewöhnliche Leistungsfähigkeit sich schnell bestätigt hat. Materialqualität und Kapazität entsprechen völlig unseren Erwartungen. Unsere Mitarbeiter schätzen die für das CCS System typische Ergonomie und Wartungsfreundlichkeit. Zusätzlich bietet das System eine hohe Prozessflexibilität, die unsere Forschung und Entwicklung wesentlich erleichtert. Diese Faktoren sowie der hervorragende Support vor Ort haben dazu geführt, dass wir unserem Entwicklungsplan für die HEMT-Bauelemente weit voraus sind.
Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON AG sagt: „Northrop Grumman ist für uns ein Schlüsselkunde, und wir freuen uns, dass unser CCS-System seine Leistungsfähigkeit bei der Herstellung anspruchsvoller mikroelektronischer Bauelemente mit großer Bandlücke erneut unter Beweis gestellt hat. Dieser Erfolg ist der engen Zusammenarbeit von unseren Prozess- und Serviceingenieuren mit den Experten von Northrop Grumman Electronic Systems zu verdanken. Unser Team wird Northrop Grumman weiterhin unterstützend zur Seite stehen, bis die Entwicklungsphase der HEMT-Bauelemente abgeschlossen ist und die Produktion aufgenommen werden kann.“
Die Begriffe Close Coupled Showerhead und CCS sind Warenzeichen.
AIXTRON erhält ersten Auftrag vom indischen CEERI Pilani-Institut für eine F&E Anlage
Aachen, 8. Februar 2006 – Die AIXTRON AG kann einen neuen Erfolg vorweisen: Den ersten Auftrag für eine Multiwafer-MOCVD-Forschungsanlage in Indien.
Der Thomas Swan Close Coupled Showerhead (CCS)-Reaktor, der eine Kapazität von 3x2” Wafern hat, wurde vom Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI) in Pilani, Rajasthan, in Auftrag gegeben – einem der herausragenden indischen Forschungsinstitute. Spezifiziert war ein spezieller MOCVD-Reaktor, der für die Forschung an III-V-Halbleitern auf Basis von GaAs, InP und III-Nitrid-Schichten geeignet ist.
Der neue Reaktor wird deshalb eine Schlüsselrolle in den zukünftigen strategischen III-V-Forschungsprojekten des Instituts spielen. Das dabei erworbene Know-how soll im Rahmen von Gemeinschaftsprojekten in Indien und darüber hinaus verwendet werden.
CEERI Pilani gehört zu den innovativsten Forschungsinstituten Indiens und ist ein Teil des Forschungsrates CSIR (Council of Scientific and Industrial Research) in Neu Delhi. Das Institut wurde vor über 50 Jahren gegründet und hat seitdem das Wachstum des Elektronikbereichs in Indien tatkräftig vorangebracht; nicht nur durch den Aufbau der erforderlichen Infrastruktur, sondern auch durch die erfahrenen Mitarbeiter, die Forschung und Entwicklung in drei wichtigen Bereichen betreiben: Elektronische Systeme, Mikrowellenröhren und Halbleiterbauelemente.
Ein Sprecher des CEERI Pilani sagte: „Ich kenne das Unternehmen AIXTRON und dessen Produkte seit vielen Jahren und habe vollstes Vertrauen in die Technologie. Für unser Forschungsprojekt brauchen wir ein Mehrzwecksystem, das uns nicht nur die Herstellung auf GaAs/InP-basierten Strukturen ermöglicht, sondern auch die von III-N-basierten Schichten – mit einem einzigen System. Nach eingehender Prüfung sind wir zu dem Schluss gekommen, dass die Thomas Swan Anlage die ideale Wahl ist. Es war das einzige System, dass all unsere Anforderungen erfüllt.
Roger Hunter, Geschäftsführer von Thomas Swan Scientific Equipment Ltd., fügte noch hinzu: „Wir freuen uns sehr darüber, dass sich das CEERI entschlossen hat, unsere CCS-Anlagen einzusetzen. Das Thomas Swan System ist einzigartig in seiner Flexibilität, es kann sich den verschiedenen Anforderungen unserer Kunden ideal anpassen. Der Erfolg des 3x2“-CCS-System beweist erneut, dass es eine optimale Forschungsanlage für Märkte wie Indien darstellt – Märkte, die praktikable und vielseitige Entwicklungslösungen benötigen, um schneller technologisches Weltniveau zu erreichen.“
CLOSE COUPLED SHOWERHEAD und CCS sind Warenzeichen.
Aachen, 8. Februar 2006 – Die AIXTRON AG kann einen neuen Erfolg vorweisen: Den ersten Auftrag für eine Multiwafer-MOCVD-Forschungsanlage in Indien.
Der Thomas Swan Close Coupled Showerhead (CCS)-Reaktor, der eine Kapazität von 3x2” Wafern hat, wurde vom Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI) in Pilani, Rajasthan, in Auftrag gegeben – einem der herausragenden indischen Forschungsinstitute. Spezifiziert war ein spezieller MOCVD-Reaktor, der für die Forschung an III-V-Halbleitern auf Basis von GaAs, InP und III-Nitrid-Schichten geeignet ist.
Der neue Reaktor wird deshalb eine Schlüsselrolle in den zukünftigen strategischen III-V-Forschungsprojekten des Instituts spielen. Das dabei erworbene Know-how soll im Rahmen von Gemeinschaftsprojekten in Indien und darüber hinaus verwendet werden.
CEERI Pilani gehört zu den innovativsten Forschungsinstituten Indiens und ist ein Teil des Forschungsrates CSIR (Council of Scientific and Industrial Research) in Neu Delhi. Das Institut wurde vor über 50 Jahren gegründet und hat seitdem das Wachstum des Elektronikbereichs in Indien tatkräftig vorangebracht; nicht nur durch den Aufbau der erforderlichen Infrastruktur, sondern auch durch die erfahrenen Mitarbeiter, die Forschung und Entwicklung in drei wichtigen Bereichen betreiben: Elektronische Systeme, Mikrowellenröhren und Halbleiterbauelemente.
Ein Sprecher des CEERI Pilani sagte: „Ich kenne das Unternehmen AIXTRON und dessen Produkte seit vielen Jahren und habe vollstes Vertrauen in die Technologie. Für unser Forschungsprojekt brauchen wir ein Mehrzwecksystem, das uns nicht nur die Herstellung auf GaAs/InP-basierten Strukturen ermöglicht, sondern auch die von III-N-basierten Schichten – mit einem einzigen System. Nach eingehender Prüfung sind wir zu dem Schluss gekommen, dass die Thomas Swan Anlage die ideale Wahl ist. Es war das einzige System, dass all unsere Anforderungen erfüllt.
Roger Hunter, Geschäftsführer von Thomas Swan Scientific Equipment Ltd., fügte noch hinzu: „Wir freuen uns sehr darüber, dass sich das CEERI entschlossen hat, unsere CCS-Anlagen einzusetzen. Das Thomas Swan System ist einzigartig in seiner Flexibilität, es kann sich den verschiedenen Anforderungen unserer Kunden ideal anpassen. Der Erfolg des 3x2“-CCS-System beweist erneut, dass es eine optimale Forschungsanlage für Märkte wie Indien darstellt – Märkte, die praktikable und vielseitige Entwicklungslösungen benötigen, um schneller technologisches Weltniveau zu erreichen.“
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