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     404  0 Kommentare VisIC Technologies kooperiert mit TSMC, um die fortschrittlichsten 1200 V-GaN-basierten Stromversorgungslösungen der Branche anzubieten

    TEL AVIV, Israel, February 6, 2018 /PRNewswire/ --

    VisIC Technologies entwickelt und vermarktet effiziente GaN-basierte Stromversorgungskomponenten für Energieumwandlungssysteme. Sie testen derzeit die ersten 1200 V-GaN-Module der Branche und geben eine wichtige Fertigungspartnerschaft mit TSMC bekannt, die im vergangenen Jahr ihre "GaN on Silicon"-Technologien veröffentlichten. Die technischen Muster werden jetzt mit Hauptkunden konzipiert, und während der PCIM China 2018 Shanghai werden Präsentationen für den Handel stattfinden.

         (Logo: https://mma.prnewswire.com/media/638428/VisIC_Logo.jpg )

         (Photo: https://mma.prnewswire.com/media/638427/VisIC_1200V_module.jpg )

    Dieses extrem schnelle Netzschaltmodul arbeitet mit dem höchsten Wirkungsgrad der Branche und ermöglicht kleine, aber effiziente xEV-Ladegeräte und USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung).

    Das neue VisIC-Modul basiert auf dem 650D "GaN on Silicon"-Prozess von TSMC und nutzt die Breitbandabstandstechnologie, die die Welt der xEV-Leistungselektronik und der Stromversorgung für Rechenzentren revolutioniert. Der "GaN on Silicon"-Prozess von TSMC bietet darüber hinaus hohe Produktionszahlen und schnelle Anlauffähigkeiten, während das GaN-Transistordesign von VisIC beispiellose Leistung zur Verfügung stellt. Die Schaltzeit von weniger als 10 Nanosekunden wird durch ein HEMT-Design (High Electron Mobility Transistor) gewährleistet, bei dem Elektronen in einem 2-dimensionalen Quantenschacht fließen. Dies unterscheidet sich grundlegend vom Elektronenfluss in SiC-MOSFETs.

    Mit 1200 V-Nennspannung bietet das GaN-Modul einen typischen Widerstand von nur 40 mΩ. Zielanwendungen sind Stromrichter für Motorantriebe, dreiphasige Stromversorgungen und andere Anwendungen, die eine Stromschaltung bis 50 A erfordern.

    Das 1200 V-GaN-Element von VisIC ist ein Halbbrückenmodul, das GaN-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) mit Gegentakt-, Überstrom- und Übertemperaturschutz in einem einzigen Gehäuse integriert. Das Design nutzt die Vorteile der innovativen Advanced Low Loss Switch (ALL-Switch©)-Technologie von VisIC, die ein patentiertes, hochdichtes Lateral-Layout verwendet, das zu einer schnellen Schaltleistung und niedrigem RDS(on) führt.

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    PR Newswire (dt.)
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    VisIC Technologies kooperiert mit TSMC, um die fortschrittlichsten 1200 V-GaN-basierten Stromversorgungslösungen der Branche anzubieten TEL AVIV, Israel, February 6, 2018 /PRNewswire/ - VisIC Technologies entwickelt und vermarktet effiziente GaN-basierte Stromversorgungskomponenten für Energieumwandlungssysteme. Sie testen derzeit die ersten 1200 V-GaN-Module der Branche und geben …