AIXTRON: Innovativer Schritt im 300-mm-GaN-Forschungsprogramm!
AIXTRON SE und imec treiben mit einem 300-mm-GaN-Forschungsprogramm die Leistungselektronik voran, um kostengünstigere und effizientere Lösungen für Elektrofahrzeuge und Solaranlagen zu schaffen.
Foto: AIXTRON
- AIXTRON SE beteiligt sich an einem 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System.
- Das Programm zielt darauf ab, 300 mm Epitaxiewafer für Anwendungen in der Leistungselektronik bereitzustellen, einschließlich Elektrofahrzeugen und Solaranlagen.
- Imec hat sein GaN-Power-Programm von 200 mm auf 300 mm Wafer erweitert, um die Entwicklung von GaN-HEMTs zu fördern.
- Der Einsatz von 300 mm Substraten soll die Herstellungskosten senken und fortschrittlichere Leistungselektronikbausteine ermöglichen.
- AIXTRON und imec haben eine langjährige Partnerschaft, die die Entwicklung von GaN-Power- und HF-Bauelementen unterstützt.
- Die Zusammenarbeit beschleunigt die Verfügbarkeit von Epitaxie-Rezepturen und Prozessabläufen für Partner, die AIXTRON-MOCVD-Systeme nutzen.
Der nächste wichtige Termin, Veröffentlichung Quartalsfinanzbericht (Stichtag Q3), bei AIXTRON ist am 30.10.2025.
Der Kurs von AIXTRON lag zum Zeitpunkt der Nachricht bei 14,930EUR und lag im Vergleich zum Vortag mit -0,10 % im
Minus.
16 Minuten nach Veröffentlichung des Artikels lag der Kurs bei 14,945EUR das entspricht einem Plus von +0,10 % seit der
Veröffentlichung.
Der Index MDAX stand zu diesem Zeitpunkt bei 31.031,34PKT (+0,07 %).
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