Neue Chip-Offensive
ASML-Aktie: Kommt jetzt der nächste Kurssprung?
ASML, TSMC, Samsung und Intel treiben die nächste Stufe der EUV-Technologie voran. Ein neues Maskenformat soll Kosten senken und die Fertigung beschleunigen.
- ASML und TSMC planen 12-Zoll-Masken bis 2031
- Größere Masken senken Kosten und erhöhen Effizienz
- Samsung plant DRAM-Einsatz, Intel nutzt High NA bereits
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ASML, TSMC, Samsung und Intel treiben die nächste Entwicklungsstufe der Chipfertigung voran. Im Zentrum steht der Wechsel auf deutlich größere Photomasken für die sogenannte High-NA-EUV-Lithografie. Die Technologie soll die Produktion moderner Chips effizienter machen und damit vor allem der wachsenden Nachfrage nach KI-Halbleitern Rechnung tragen.
12 Zoll statt 6 Zoll
ASML und TSMC haben eine gemeinsame Industrieinitiative gestartet. Ziel ist eine Pilotfertigung für 12-Zoll-Photomasken bis 2031. Ab 2033 könnten entsprechende High-NA-Lithografiesysteme dann für die Fertigung fortschrittlicher Chips bereitstehen.
Derzeit arbeitet die Branche noch mit 6-Zoll-Masken. Größere Masken könnten die Produktivität der Fabriken erhöhen, die Kosten pro Chip senken und Einschränkungen durch das sogenannte Stitching beseitigen. Hersteller könnten damit die Vorteile der High-NA-Technologie umfassender nutzen.
"Wir gehen davon aus, dass sich der Einsatz von EUV mit hoher numerischer Apertur (High NA) im Zuge der Roadmap zur Verkleinerung der Bauelemente schrittweise ausweiten wird, zunächst unter Verwendung der derzeitigen 6-Zoll-Masken und später zusätzlich durch 12-Zoll-Masken", sagte ASML-Chef Christophe Fouquet. Das größere Format ermögliche eine höhere Produktivität der Scanner und helfe der Industrie, kleinere, schnellere und energieeffizientere Chips zu fertigen.
TSMC-Chef C. C. Wei betonte zugleich die Bedeutung der Zusammenarbeit entlang der gesamten Wertschöpfungskette. Nur gemeinsam könne die Industrie komplexe technologische Herausforderungen bewältigen und fortschrittliche Lösungen in großem Maßstab zugänglich machen.
Samsung steigt ein
Auch Samsung will sich an der Initiative beteiligen. Der südkoreanische Konzern plant zudem, High-NA-EUV erstmals für die volumenstarke DRAM-Produktion einzusetzen. Der Start ist für 2028 vorgesehen.
Samsung erwartet von der Technologie eine höhere Auflösung und eine vereinfachte Fertigung. Damit soll High-NA-EUV auch bei der Weiterentwicklung von Speicherchips eine größere Rolle spielen.
"Das Zeitalter der KI verändert die Halbleiterindustrie grundlegend und erhöht die Bedeutung technologischer Innovationen entlang der gesamten Wertschöpfungskette", sagte Samsung-Vizechef Young Hyun Jun. Die Zusammenarbeit mit ASML solle die Grundlage für die nächste Generation der KI- und Halbleitertechnologie schaffen.
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Intel setzt bereits auf High NA
Intel Foundry nutzt High-NA-EUV derweil bereits in der Produktion. Nach Angaben des Unternehmens wurden inzwischen mehr als eine Million Wafer mit der Technologie verarbeitet. Bei ausgewählten Schichten von Intel-18A-Chips kommt High NA bereits zum Einsatz.
Intel setzt aktuell weiterhin auf die etablierten 6-Zoll-Masken und nutzt bei Bedarf Stitching. Gleichzeitig arbeitet der Konzern seit mehr als drei Jahren mit ASML und weiteren Partnern an der Umstellung auf größere Masken.
Damit zeichnet sich ein breiter Schulterschluss der führenden Halbleiterhersteller ab. ASML, TSMC, Samsung und Intel arbeiten gemeinsam daran, High-NA-EUV für die nächste Generation von KI- und Logikchips skalierbar zu machen.
Autorin: Saskia Reh, wallstreetONLINE Redaktion
