Wolfspeed setzt auf AIXTRON-Systeme für 200mm-Produktion

EQS-Media / 18.04.2024 / 07:30 CET/CEST Wolfspeed setzt auf AIXTRON-Systeme für 200mm-Produktion Weltweit führender Siliziumkarbid-Hersteller wird AIXTRONs G10-SiC implementieren.

Herzogenrath, 18. April 2024 – AIXTRON (FSE: AIXA) hat heute bekannt gegeben, dass Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF), der weltweit führende Anbieter von Siliziumkarbid-Technologie, im dritten und vierten Quartal 2023 mehrere Aufträge für AIXTRONs G10-SiC erteilt hat, um die Produktion von 200-mm-Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie-Wafern weiter auszubauen.

„Wir freuen uns über die Unterstützung des AIXTRON-Teams beim Ausbau unseres 200mm-Siliziumkarbid-Epitaxie-Programms. Die G10-SiC-Anlage von AIXTRON hat sich als geeignete und zuverlässige Anlage erwiesen, die unseren Bedarf an hochvolumigen Produktionsanlagen auf dem Durham-Campus und später in unserer neuen 200mm-Fabrik, dem John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide (The JP), decken wird“, sagt Elif Balkas, Chief Technology Officer bei Wolfspeed. 

Seit der Markteinführung im September 2022 hat sich AIXTRONs G10-SiC-Anlage schnell zur führenden Anlage für die 150mm- und 200mm-Siliziumkarbid-Epitaxie entwickelt. Mit den neuesten Innovationen von AIXTRON liefert die Anlage die beste Uniformität in ihrer Klasse, kombiniert mit höchster Produktivität, Stabilität in der Produktion und den niedrigsten Betriebskosten.

„Wir sind stolz darauf, dass Wolfspeed unsere G10-SiC als Teil seiner Epitaxie-Lösung für Durham und The JP, der weltweit größten Fabrik für 200mm SiC-Materialien, ausgewählt hat. Die G10-SiC-Anlage ermöglicht eine hervorragende Epitaxie-Leistung in Bezug auf Qualität und Uniformität und bietet gleichzeitig die niedrigsten Betriebskosten auf dem Markt", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

Siliziumkarbid entwickelt sich immer mehr zur bevorzugten Technologie für Elektrofahrzeuge, KI-Rechenzentren, E-Mobility-Lösungen und Ladeinfrastrukturen weltweit. SiC-Halbleiter zeichnen sich durch ihre überragende Leistung aus und bieten im Vergleich zu herkömmlicher Silizium-basierter Leistungselektronik eine deutlich höhere Energieeffizienz – ein wichtiger Beitrag, hin zu einer nachhaltigeren Welt und Zukunft.