Aixtron - Die Perle im Technologiebereich (Seite 1092)

[WAlexandro]

Antwort auf Beitrag Nr.: 47.110.114 von Geldwunsch am 05.06.14 16:04:36

Dann hast du ja jetzt recht gute Nachkaufkurse, denke ich.
Wünsche dir viel Glück!

[Geldwunsch]

ich auch *FG*

kaufe heimlich Aixtron zu

[Biologe_1]

...bin auch noch dabei. Grüße aus BaWü!

[upordown]

Oh, sry.

Dann sind wir doch ein paar mehr.



Upordown

[Stefan5]

Antwort auf Beitrag Nr.: 47.097.456 von upordown am 03.06.14 23:30:32

war da nicht noch ein vierter?
Gruß ausem Saarland Stefan...

[upordown]

Ui, super!

Die drei Musketiere sozusagen.

LG

Upordown

[solartec]

Antwort auf Beitrag Nr.: 47.097.144 von upordown am 03.06.14 22:19:11

Paperlapapp - upordown, es gibt mindestens noch einen Dritten...

solartec

[upordown]

Antwort auf Beitrag Nr.: 47.093.860 von WAlexandro am 03.06.14 14:51:30

Hier gibt`s nur noch zwei Optimisten.
Du und ich



Upordown

[WAlexandro]

Sumitomo baut mit AIXTRON Anlage Produktionskapazitäten
zur Herstellung von GaN-auf-SiC-Bauelementen aus



Konzern bereitet sich auf Wachstum des Marktes für HF-Datenübertragung ab 2015 vor

Herzogenrath, 03. Juni 2014 – Die Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI), Japan, hat eine AIXTRON CRIUS® MOCVD-Anlage in einer 4-Zoll-Konfiguration bestellt, um die Produktion von Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-Bauelementen für Anwendungen in der Hochfrequenz-Datenübertragung zu steigern. Der Anlagenkauf wurde im ersten Quartal 2014 abgeschlossen, die Auslieferung an die Electron Devices Division von SEDI in Yokohama erfolgt im dritten Quartal.

Damit bereitet sich SEDI auf einen Nachfrageschub vor, der 2015 beginnen soll. Die Entscheidung für den AIXTRON Reaktor erfolgte aufgrund seines hervorragenden Rufes bei der Herstellung von gleichmäßig beschichteten 4-Zoll-Wafern sowie der präzisen Prozesssteuerung, was besonders wichtig für die Bauelemente-Produktion auf teuren Siliziumkarbid-Wafern ist. Die neue Anlage wird mit Zusatzfunktionalitäten wie der dynamisch einstellbaren Reaktorhöhe, der ARGUS In-Situ-Temperaturkontrolle und dem EpiCurveTT Messtechniksystem ausgestattet sein. Während ARGUS die präzise Temperaturmessung in Echtzeit auf der gesamten Waferoberfläche und damit die optimale Kontrolle des Wachstumsprozesses erlaubt, zeigt sich die erweiterte Flexibilität der Anlage in der Einstellbarkeit des Abstands zwischen Showerhead und Substrat.

Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. genießt in der Branche hohes Ansehen für die Herstellung hochwertiger Hochfrequenz-Komponenten. Das Unternehmen bietet für Radar- und Mobilfunk-Basisstationen sowie allgemeine Anwendungen bereits eine Reihe von High Electron Mobility Transistor-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid an. Diese HEMT-Bauelemente machen erst die hohe Leistungsverstärkung von bis zu 14 GHz RF möglich, die GaN-auf-SiC-Transistoren liefern können.


Quelle: PR-Aixtron von heute

[BlueTornado]

Zitat von WAlexandro: [...]
Außerdem ist das Verhältnis der Weltmarktanteile in den Kursen Veeco - Aixtron bereits mehr als angepreist.
[...]

Öhm, meines Wissens gibts rund 40 Mio Veeco Aktien und 112,4 Mio Aixtron Aktien.
Daraus errechne ich aktuell eine Marktkapitalisierung bei Veeco von ungefähr 960 Mio Euro und bei Aixtron von etwa 1200 Mio Euro. Was ist da jetzt wie genau eingepreist (ich nehme an, dass das gemeint war)? Dass Veeco noch eine Menge Umsatz mit Anlagen zur Festplattenproduktion macht?

Nichts für ungut, aber entweder hab ich ein Brett vorm Kopf oder obige Aussage ist "leicht" an der Realität vorbei...