Wie bitte? Weebit Nano - Next-Gen Memory Solution!
eröffnet am 10.11.21 12:36:45 von
neuester Beitrag 30.04.24 08:25:36 von
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Q3 FY24 Quarterly Activities Report
https://hotcopper.com.au/threads/ann-weebit-nano-q3-fy24-act…[/Weebit Nano treibt die Verhandlungen mit Partnern und Kunden voran;
demonstriert die Robustheit von ReRAM
Technologietransfer zu DB HiTek verläuft nach Plan
Q3 FY24 Vierteljährlicher Tätigkeitsberichtb]
Appendix 4D and Interim Report
https://hotcopper.com.au/threads/ann-appendix-4d-and-interim…
Passend dazu eine grafische Darstellung über die benötigten Temperaturstabilitäten:
Weebit Nano demonstrates performance of its ReRAM under extended automotive conditions
"Das Weebit ReRAM-Modul im 130-nm-CMOS-Prozess (S130) von SkyWater Technology wurde bereits vollständig für Temperaturen von bis zu 125 Grad Celsius qualifiziert – die für Automobilanwendungen der Klasse 1 spezifizierte Temperatur. Im Rahmen der kontinuierlichen Bemühungen von Weebit, Leistung bei höheren Temperaturen und höherer Ausdauer zu demonstrieren, demonstriert das Unternehmen nun Folgendes:Hohe Lebensdauer: 100.000 Zyklen*
Hochtemperaturstabilität: 150 Grad Celsius lebenslanger Betrieb, einschließlich Zyklen und Aufbewahrung"
Link
Zusammenfassung
Vorteile für die HalbleiterindustrieDie Integration von ReRAM in den BCD-Prozess von DB HiTek bringt mehrere wichtige Vorteile für das Halbleiter-Ökosystem mit sich.
Kosteneffiziente Herstellung: Die ReRAM-Technologie von Weebit erfordert nur 2 zusätzliche Masken im Herstellungsprozess, im Vergleich zu mehr als 10 solcher Masken für Flash. Dies hat direkte Auswirkungen auf die Herstellungskosten und die Zykluszeit. Darüber hinaus reduziert die monolithische Integration den Bedarf an externen Komponenten, was die Herstellung rationalisiert und die Produktionskosten senkt. Diese Kosteneffizienz entspricht den Anforderungen der Industrie an effiziente und wirtschaftliche Lösungen.
Verbesserte Systemintegration: Die Integration von ReRAM in den BCD-Prozess ermöglicht die nahtlose Koexistenz von analogen, digitalen und Leistungskomponenten auf einem einzigen Chip. Dies vereinfacht nicht nur den Designprozess, sondern trägt auch zu kompakteren und effizienteren elektronischen Systemen bei.
Energie-Effizienz: Die Nutzung der stromsparenden Eigenschaften von ReRAM in Verbindung mit den Energieverwaltungsfunktionen des BCD-Prozesses verbessert die Gesamtenergieeffizienz. Dies ist vor allem bei mobilen Anwendungen wichtig, bei denen der Stromverbrauch eine entscheidende Rolle spielt.
Vielseitigkeit und Anpassungsfähigkeit: Die Zusammenarbeit ermöglicht Halbleiterentwicklern die flexible Anpassung integrierter Schaltungen an spezifische Anwendungsanforderungen. Die Anpassungsfähigkeit von ReRAM stellt sicher, dass die Technologie auf die unterschiedlichen Bedürfnisse der verschiedenen Branchen zugeschnitten werden kann.
Anwendungen und Zukunftspotenzial:
Die Integration von ReRAM in das BCD-Verfahren birgt ein großes Potenzial für verschiedene Anwendungen. Verbrauchergeräte wie Smartphones, Tablets und Wearables können von der verbesserten Energieeffizienz und den platzsparenden Eigenschaften von ReRAM in BCD-Prozessen profitieren. Die Robustheit von ReRAM bei hohen Temperaturen und die Integration in das BCD-Energiemanagement machen es für industrielle Steuersysteme, Automatisierung und Robotik sehr geeignet. IoT-Geräte mit ihrer kompakten Größe und ihrem geringen Energiebedarf könnten erheblich von der Integration von ReRAM in den BCD-Prozess profitieren. Die Integration von ReRAM in den BCD-Prozess bietet auch eine leistungsstarke und effiziente Speicherlösung für die wachsende Landschaft der IoT-Anwendungen.
Zusammenfassung
Durch die Lizenzierung von Weebits ReRAM zur Integration in den BCD-Prozess von DB HiTek leisten die beiden Unternehmen Pionierarbeit auf dem Weg zu effizienteren, kostengünstigeren und vielseitigeren Halbleiterdesigns. Die Vorteile der kostengünstigen Herstellung, der verbesserten Systemintegration, der Energieeffizienz und der Vielseitigkeit der Anwendungen machen ReRAM in BCD zu einer transformativen Lösung für die Halbleiterindustrie. Wenn die Integration an Schwung gewinnt, können wir eine Welle von Innovationen in verschiedenen Anwendungen erwarten, die letztlich die Zukunft des Halbleiterdesigns prägen werden.
Hier noch ein bisschen technischer Hintergrund zum Deal mit DB HiTek:
https://semiwiki.com/ip/339715-reram-integration-in-bcd-proc…
Noch frohe Weihnachten und einen guten Rutsch!
MfG
https://semiwiki.com/ip/339715-reram-integration-in-bcd-proc…
Noch frohe Weihnachten und einen guten Rutsch!
MfG
https://hotcopper.com.au/threads/ann-investor-presentation.7…
Weebit Nano receives wafers manufactured in GlobalFoundries’ 22FDX process
HOD HASHARON, Israel, Nov. 20, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- Weebit Nano Limited (ASX:WBT),
ein führender Entwickler von fortschrittlichen Speichertechnologien für die globale Halbleiterindustrie, hat die ersten Wafer erhalten, die seinen eingebetteten Resistive Random-Access Memory (ReRAM) enthalten, der auf der 22FDX-Plattform von GlobalFoundries hergestellt wird. Erste Tests der Wafer in diesem fortschrittlichen 22nm FD-SOI (fully depleted silicon on insulator) zeigen positive Ergebnisse auf dem Array.
Dies sind die ersten Wafer mit Weebit ReRAM, die in 22nm gefertigt wurden, einem der stabilsten Prozessknoten der Branche und einer Geometrie, in der eingebetteter Flash nicht realisierbar ist. Die Silizium-Wafer werden weiterhin getestet. Die Wafer werden mit dem 22FDX-Prozess von GlobalFoundries gefertigt, der eine herausragende Leistung für vernetzte und stromsparende Anwendungen wie IoT und Edge-KI bieten soll.
Weebit Nano receives wafers manufactured in GlobalFoundries’ 22FDX process
HOD HASHARON, Israel, Nov. 20, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- Weebit Nano Limited (ASX:WBT),
ein führender Entwickler von fortschrittlichen Speichertechnologien für die globale Halbleiterindustrie, hat die ersten Wafer erhalten, die seinen eingebetteten Resistive Random-Access Memory (ReRAM) enthalten, der auf der 22FDX-Plattform von GlobalFoundries hergestellt wird. Erste Tests der Wafer in diesem fortschrittlichen 22nm FD-SOI (fully depleted silicon on insulator) zeigen positive Ergebnisse auf dem Array.
Dies sind die ersten Wafer mit Weebit ReRAM, die in 22nm gefertigt wurden, einem der stabilsten Prozessknoten der Branche und einer Geometrie, in der eingebetteter Flash nicht realisierbar ist. Die Silizium-Wafer werden weiterhin getestet. Die Wafer werden mit dem 22FDX-Prozess von GlobalFoundries gefertigt, der eine herausragende Leistung für vernetzte und stromsparende Anwendungen wie IoT und Edge-KI bieten soll.
18.03.24 · globenewswire · Weebit Nano |
21.02.24 · globenewswire · Weebit Nano |
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