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Aixtron - Die Perle im Technologiebereich (Seite 4525)


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der 1. tag im tecdax verlaeuft doch sehr enttaeuschend. ich hatte zumindest damit gerechnet, dass man sich deutlich an €4 heranbewegt. aber ist nix! quasi +- null
Naja,

laut Bundesanzeiger bauen die Hedgefonds in den letzten Wochen ja auch wieder ihre short-posis aus.
2 Antworten
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Antwort auf Beitrag Nr.: 54.587.019 von BarbieQ am 22.03.17 09:46:34Der deutsche Halbleiter-Maschinenbauer Aixtron hat heute einen weiteren Auftrag von einem Elektronikkonzern aus Japan vermeldet.
Der japanische Konzern Sumitomo hatte Aixtron damit beauftragt, eine Anlage für die Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid zu liefern

http://www.it-times.de/news/aixtron-auftrag-von-sumitomo-electric-fur-hochfrequenz-bauelemente-aus-japan-123276/
Kleine Schritte
AIXTRON erhält weiteren Auftrag von Sumitomo für GaN-on-SiC-Produktionstechnologie

Japanischer Konzern reagiert auf stetig steigende Marktnachfrage bei Anwendungen für den RF-Datentransfer

Herzogenrath, 22. März 2017 – AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass das Unternehmen eine CRIUS MOCVD-Anlage mit 4-Zoll-Waferkonfiguration an den japanischen Konzern Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI) zur Ausweitung der Produktion von GaN-on-SiC- (Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-) Bauelementen zur Anwendung im RF-Datentransfer geliefert hat. Diese werden unter anderem für das zukünftige Mobilfunknetzwerk 5G benötigt. Die Anlage wurde im 4. Quartal 2016 in Betrieb genommen.

SEDI verfügt über langjährige Erfahrung mit AIXTRON’s Close Coupled Showerhead-Technologie, die eine leichte Skalierbarkeit ermöglicht. Darüber hinaus besitzt die Anlage von AIXTRON einen ausgezeichneten Ruf für äußerst gleichmäßig beschichtete 4-Zoll-Wafer und präzise Prozesskontrolle, die besonders wichtig für die Bauelemente-Produktion auf Basis kostenintensiver Siliziumkarbid-Wafer ist. Die neue Kammer ist mit optionalen Funktionen wie dynamischer Spaltverstellung, der ARGUS in-situ Temperaturkontrolle sowie dem Messsystem Epicurve TT ausgerüstet. Die Überwachungseinheit ARGUS liefert ein vollständiges Wafer-Mapping in Echtzeit für eine optimale Kontrolle des Wachstumsprozesses. Eine höhere Flexibilität wird möglich durch die Anpassung der Prozesslücke zwischen Showerhead und Substrat.

Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. genießt in der Branche hohes Ansehen für die Herstellung hochwertiger Hochfrequenz-Komponenten. Das Unternehmen bietet für Radar- und Mobilfunk-Basisstationen sowie allgemeine Anwendungen bereits eine Reihe von High Electron Mobility Transistor-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid an. Diese GaN-auf-SiC HEMT-Bauelemente erzielen eine hohe Leistungsverstärkung bei Schaltfrequenzen bis zu 14 GHz HF.



Über Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI)
SEDI produziert eine große Bandbreite von Produkten von Lichtwellenleitern, Kabeln und Komponenten bis hin zu Elektronikbauteilen und Kfz-Teilen. Aufgrund effektiver Forschung und Diversifizierung gehört Sumitomo Electric zu den weltweit führenden Unternehmen in der Informations- und Kommunikationstechnologie. Das Unternehmen ist in über 40 Ländern tätig und beschäftigt 240.000 Mitarbeiter. Sumitomo Electric vermeldete für das im März 2016 zu Ende gegangene Geschäftsjahr Umsätze in Höhe von $ 26,8 Mrd.

Quelle: PR-AIX von heute
... gibt bekannt, dass das Unternehmen eine CRIUS MOCVD-Anlage geliefert hat.

was wird so eine Anlage ca. kosten ?
1 Antwort
Antwort auf Beitrag Nr.: 54.596.181 von SmartCap am 23.03.17 11:20:194 zoll ...

naja - sieht für mich nach research oder apotheken hf-bauelemente ....

baut/verkauft was für min 6 eigentlich besser 8 zoll mit durchsatz - dann wird's spannend für den GaN-powersemi bereich ...
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