SOLARWORLD ++ vorab Q-Zahlen 5/11 + gab es einen Aktienrückkauf im 3-Q ? ++ (Seite 6113)
eröffnet am 02.11.07 13:32:40 von
neuester Beitrag 24.03.23 19:13:18 von
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Photovoltaik-Forschung und -Entwicklung:
Innovationen bei Solarzellen und Modulen
Noch ist der solare Beitrag zur deutschen Stromerzeugung relativ gering. Wachstumsraten der Photovoltaikindustrie von jährlich etwa 30% lassen aber erwarten, dass er rasch steigen wird. Die politischen Rahmenbedingungen in Japan und Deutschland, aber auch in den USA und Spanien führten zu einer langfristigen Planungssicherheit und erhöhten so die Investitionsbereitschaft der Industrie, welche die Produktionskapazitäten konsequent ausbaute: Bereits 2004 wurde weltweit ein Gigawatt (GW) Solarstromleistung produziert, noch vor 2020 könnten es 10 GW sein.
Unternehmen und Politik sehen die wirtschaftlichen und ökologischen Chancen der Solarstromtechnologie. Ablesbar ist dies auch an dem breiten und nachhaltigen Engagement in Forschung und Entwicklung. Das ist auch dringend geboten, denn nicht allein die Chancen sind enorm – die Herausforderungen sind es auch. Sollen Solarstromanlagen energiewirtschaftlich relevant werden, müssen die Photovoltaik-Fertigungskapazitäten stark ausgeweitet werden und die Kosten weiter sinken.
Links: Antwort auf die Herausforderungen des Photovoltaik-Marktes aus dem Labor: Ein etwa 20 µm dünnes Solarmodul wird vom Silizium-Substrat abgelöst. Die Dünnschicht-Solarzellen aus einkristallinem Silizium „wachsen“ auf einem Silizium-Substrat, das mehrfach verwendet werden kann. Rechts: Neue Fertigungstechnologien halten Einzug in die industrielle Produktion: berührungslose Methode zur Kontaktbildung (Fotos: ISFH)
Die sehr dynamische Branche und die Energieforschung stellen sich diesen Herausforderungen. Schon jetzt zeichnet sich eine ganze Reihe von Neuerungen ab, die in den nächsten Jahren Realität werden können.
Zunächst werden die weiterhin großen Entwicklungspotenziale der derzeit dominierenden Silizium-Wafer-Technologie aufgezeigt, danach Innovationen in der Modultechnik beschrieben und zum Abschluss Dünnschicht-Technologien dargestellt, die ihre Möglichkeiten in den nächsten Jahren unter Beweis stellen können.
Die Kosten für Solarstromanlagen wurden in den letzten 15 Jahren mehr als halbiert, die Kosten für Solarmodule sanken etwa um den Faktor vier - eine Erfolgsgeschichte für die marktbeherrschenden Silizium-Wafer-Solarzellen. Diese Entwicklung lässt sich jedoch nicht beliebig fortschreiben, grundlegende Innovationen sind gefragt: Aus Kostengründen und wegen aktuell knapper Fertigungskapazitäten zur Herstellung von Silizium optimierten Forschung und Industrie klassische Solarzellen, um höchste Leistungen pro eingesetztem Gramm Silizium zu erreichen.
I. Solarzellen aus Silizium-Wafern:
Entwicklungspotenziale nutzen
Solarzellen aus kristallinem Silizium nutzen das häufigste Element der Erdkruste und basieren auf einer relativ einfachen Technologie. Sie haben sich mit einem Marktanteil von mehr als 90% durchgesetzt. Mit den aktuellen Technologieinnovationen werden effiziente Fertigungsprozesse im Gigawatt-Maßstab vorbereitet.
Links: Bei polykristallinem Silizium lässt sich die Oberfläche mit einer sauren Lösung strukturieren. Rechts: In Pyramidenform texturierte Oberfläche aus monokristallinem Silizium. Die Struktur wird mit einer alkalischen Lösung geätzt. Grafiken: BINE Informationsdienst.
Vom Silizium zur Solarzelle
Zum Verständnis der weiteren Ausführungen werden die notwendigen Schritte bei der Herstellung klassischer Solarzellen skizziert:
Schmelzen, Schneiden und Reinigen: Das stark gereinigte Silizium wird eingeschmolzen und erstarrt anschließend je nach Kristallisationsverfahren als Einkristall (monokristallines Silizium) oder als Festkörper mit Bereichen verschiedener Kristallorientierung (polykristallines Silizium). Geschnitten in quadratische Scheiben von typischerweise 100 mm bis 210 mm Kantenlänge und 0,2 mm bis 0,3 mm Dicke ist es Ausgangsmaterial für die Herstellung kristalliner Silizium-Solarzellen. Dieser so genannte Silizium-Wafer wird dann von allen Seiten angeätzt und gereinigt. Dabei wird der oberflächennahe Bereich entfernt, der durch das Schneiden des Siliziums geschädigt wurde.
Absorption maximieren: Gleichzeitig können die Silizium- Kristalle bei der Ätzung ausgerichtet werden (Oberflächentextur). Bei monokristallinen Wafern entstehen auf der Oberfläche zufällig verteilte Pyramiden. Bei polykristallinen Wafern mit Oberflächenbereichen, die in verschiedene Richtungen orientiert sind, entstehen unabhängig von der Kristallorientierung zufällige Oberflächenstrukturen.
p-n-Übergang: Nach der nasschemischen Ätze und Reinigung wird Phosphor bis in eine Tiefe von zirka einem halben bis einem Mikrometer in den Wafer eingebracht (diffundiert). Dazu wird er in einem Ofen bei 800° C bis 1000° C einer phosphorhaltigen Atmosphäre ausgesetzt. Die mit Phosphor durchsetzte (dotierte) Siliziumschicht ist im Gegensatz zum positiv leitfähigen Ausgangswafer (p-Basis) negativ leitfähig (n+-Emitter). Die Solarzelle weist nun einen so genannten pn-Übergang auf, der für die Trennung der durch Licht erzeugten Ladungsträger verantwortlich ist. Durch Lichteinstrahlung werden positive und negative Ladungsträger freigesetzt und es fließt elektrischer Strom (Photoeffekt).
Zwischenschritte: Bei der Diffusion bildet sich auf dem Wafer eine Oxidschicht, welche durch eine Flusssäurebehandlung entfernt werden muss. Außerdem findet die Diffusion an allen phosphorexponierten Stellen des Wafers statt, so dass die negativ dotierte Schicht (Emitter) in der Regel auch über die Kanten bis zur Rückseite reicht. Um einen Kurzschluss in der Solarzelle zu vermeiden, müssen diese Emitter-Bereiche entfernt oder vom Emitter auf der Vorderseite getrennt werden. Dies geschieht in der Regel durch Ätzen der Kanten in einem Plasma.
Reflexion minimieren, Kontakt herstellen: Vor der Kontaktierung der beiden Pole des p-n-Übergangs wird die Vorderseite mit einer Antireflexschicht (ARC) vergütet, meist aus Siliziumnitrid. Schließlich werden auf der Vorder- und Rückseite Metallkontakte aufgedruckt; hinten als ganzflächige Schicht aus Aluminium und vorne in Form von dünnen "Fingern" aus Silber, um möglichst wenig Lichtabschattung durch die Kontakte zu erhalten. Die Kontaktierung selbst erfolgt in einem Schritt bei Temperaturen um 800° C. Dabei sintert das Silber durch die Antireflexschicht und kontaktiert den Emitter, während sich gleichzeitig das Aluminium auf der Rückseite mit dem Silizium vermischt und eine hoch dotierte positive Oberflächenschicht erzeugt (Back Surface Field, BSF), was die Verluste an der Solarzellenrückseite reduziert.
Links: Legende zu den Grafiken. Rechts: Schema einer konventionellen Silizium-Solarzelle, in der Struktur wie sie heute in großen Stückzahlen produziert wird. Grafik: BINE Informationsdienst
Verluste vermeiden, Wirkungsgrad steigern
Solarzellen aus Silizium-Wafern zeichnen sich im Vergleich zu anderen Zellen durch relativ hohe Wirkungsgrade aus. Auf diese Weise industriell produzierte Solarzellen wandeln Sonnenlicht in elektrischen Strom mit einer Effizienz von 15,0 % (polykristalline Solarzellen) bzw. 16,5 % (monokristalline Solarzellen) um. Hohe Wirkungsgrade können letztlich nur erzielt werden, indem die Verluste minimiert werden. Auch klassische Solarzellen (Silizium-Wafer + einfacher pn-Übergang) können theoretisch Wirkungsgrade bis über 30% erreichen. Optische Verluste, Verluste durch Rekombination der durch Licht erzeugten Ladungsträger sowie elektrische Widerstandsverluste verhindern dies jedoch.
Die Entwicklung zielt darauf, diese Verluste zu verringern, doch die Maßnahmen wechsel-wirken teilweise kontra-produktiv, so kann beispiels-weise eine Reduktion optischer Verluste zur Erhöhung elektrischer Verluste führen.
Elementare Verlustmechanismen in Solarzellen, die zwar nicht vollständig aber teilweise beachtlich reduziert werden können. Grafik: BINE Informationsdienst.
Optimierte monokristalline Solarzellen industriell produziert
Höhere Wirkungsgrade erreichen Solarzellen mit ausgefeilteren Strukturen. Beispielsweise haben die Saturn-Solarzellen von BP Solar geringere Abschattungsverluste, weil die Frontkontakte "vergraben" werden. Per Laser werden Vertiefungen geschnitten, in denen der Frontkontakt chemisch abgeschieden wird. Damit werden in der Produktion Wirkungsgrade von über 17 % erreicht. Bei der HIT-Solarzelle von Sanyo wird das sehr gute Absorptionsvermögen und die passivierende Wirkung des amorphen Siliziums mit den guten elektronischen Eigenschaften von monokristallinem Silizium kombiniert. Der Emitter besteht aus einer sehr dünnen amorphen Silizium-Schicht, während die Basis aus einem (negativ leitenden) monokristallinen Silizium-Wafer besteht. In der Produktion erreichen die nur 200 µm dicken Solarzellen gut 18,5 % Wirkungsgrad. Auch die A-300-Solarzellen von SunPower basieren auf einem negativ leitenden Silizium-Wafer. Hier ist allerdings der Emitter auf die Rückseite diffundiert und alle Kontakte sind ebenfalls hinten angeordnet, so dass es auf der Vorderseite zu keiner Abschattung durch Metallbahnen kommt (Rückseitenzellen). In der Pilotlinie von SunPower werden Wirkungsgrade von über 21 % erreicht.
Links: Saturn-Solarzelle: Per Laserschnitte eingebrachte Gräben lassen die Frontkontakte "in der Versenkung verschwinden". Mitte: HIT-Solarzelle: Sandwich-Konstruktion mit kristallinem Silizium-Wafer zwischen zwei sehr dünnen Schichten aus amorphem Silizium. Rechts: Rückseitenzelle (z.B. A-300 von SunPower): Auf der Rückseite wechseln sich Basis- und Emitterbereiche ab und können kontaktiert werden. Frontseitenkontakte entfallen. Grafiken: BINE Informationsdienst.
Labor-Wirkungsgrade bereits über 20 %
Das Institut für Solarenergieforschung Hameln (ISFH) verfolgt ein Konzept, welches gleichfalls die Abschattung durch Frontkontakte minimieren will. Durch schräges Aufdampfen entstehen auf den Flanken von Gräben elektrische Kontakte, die den Lichteinfall praktisch nicht mehr behindern. Im Labor wurden bereits Wirkungsgrade über 20 % erzielt. Auch mit dem Konzept des Fraunhofer ISE werden Wirkungsgrade jenseits der 20 %-Marke erreicht – unter Verwendung industrietauglicher Techniken. Es basiert auf einem Rückseitenkontakt, der nur punktuell hergestellt wird, um den größten Teil der Rückseite mit einer Schicht aus einer dielektrischen Siliziumverbindung (Siliziumoxid, -nitrid oder -carbid) zu vergüten. Dies führt zu besseren Ergebnissen als ein ganzflächiges Aluminium-Rückseitenfeld und kann gleichzeitig auf sehr viel dünneren Wafern verwendet werden, welche sich bei ganzflächiger Aluminiumbeschichtung stark verbiegen würden.
Links: OECO-Solarzelle: MIS-n+p-Solarzelle mit mechanisch erzeugter Oberflächenstruktur, die Frontkontakte werden ohne Masken schräg bedampft und bieten dem Licht wenig Widerstand. Rechts: Solarzelle mit punktuellem Rückseitenkontakt: Durch eine dielektrische Schicht ist die Rückseite optimal passiviert, die Kontaktierung erfolgt nur punktuell und mit lokalen BSF.
Grafiken: BINE Informationsdienst.
Verluste minimieren
Bei allen beschriebenen optimierten Solarzellenkonzepten werden monokristalline Silizium-Wafer verwendet, mit teils hohen Ansprüchen an die Materialqualität. Bei manchen Konzepten kommt man nicht ohne aufwändige und teure Verfahrensschritte aus. Die Konzepte sind meist (noch) nicht auf die kostengünstigeren multikristallinen Silizium-Wafer übertragbar.
II. Auf dem Weg zu neuen Solarzellenkonzepten
Um möglichst viel Licht in die Solarzelle zu bekommen, müssen auch die Vorderseitenkontakte möglichst klein sein. Damit steigt allerdings ihr elektrischer Widerstand. Alternativen sind vergrabene Kontakte oder das Verlegen aller Kontakte auf die Rückseite. Um die Kontaktierung der negativ dotierten Schicht (Emitter) auf die Rückseite zu führen, müssen sehr viele Löcher in den Wafer gebohrt werden. Bei der Diffusion werden die Flanken dieser Löcher dann ebenfalls zu Emittergebieten und der Emitter wird von der Rückseite erreichbar. Dieses Emitter-Wrap-Through (EWT) genannte Verfahren ist allerdings sehr aufwändig. Stattdessen kann der Emitter auch auf die Rückseite diffundiert werden, wie bei der A-300. Allerdings muss hier sehr hochwertiges und deshalb teures Silizium eingesetzt werden, um die Rekombination in der darüber liegenden, dem Licht zugewandten Basis zu begrenzen.
Vorderseite (links) und Rückseite (rechts) einer EWT-Solarzelle, bei der die frontseitigen elektrischen Kontakte an sehr vielen Punkten auf die Solarzellenrückseite geführt werden.
Grafiken: BINE Informationsdienst.
Einen Mittelweg bietet das Metal-Wrap-Through-Konzept (MWT): Lediglich die für die Verschaltung im Modul nötigen Lötbahnen, welche einen großen Teil der metallisierten Fläche auf der Vorderseite ausmachen, werden auf die Rückseite verlegt und haben über in den Wafer gebohrte Löcher Verbindung zum Emitterkontakt auf der Vorderseite. Diese Solarzellen stellen weniger Anforderungen an die Materialqualität als eine Rückseitenzelle und sind einfacher herzustellen als eine EWT-Zelle. Deshalb verfolgen Solarzellenhersteller wie Shell Solar, Photovoltech, Sharp oder Q-Cells diesen Ansatz.
Spezielles Solar-Silizium als kostengünstiges Ausgangsmaterial
Eine Kostenrechnung für die Fertigung von Silizium-Solarzellen zeigt, dass der Wafer den mit Abstand größten Anteil ausmacht.
Derzeit wird Silizium verwendet, dessen Qualität den Ansprüchen der Mikroelektronik entspricht. Durch Vereinfachungen des Reinigungsverfahrens soll ein spezielles Solar-Silizium gewonnen werden, das bei geringerer Qualität und niedrigeren Herstellungskosten auf die Ansprüche der Photovoltaik abgestimmt ist.
Kostenstruktur bei der Fertigung von Silizium-Solarzellen. (Quelle: Deutsche Cell)
Dieses Solarsilizium muss aber besonders behandelt werden, um die vermehrt enthaltenen Störstellen soweit möglich zu inaktivieren, damit Ladungsträgerverluste aufgrund von Rekombinationseffekten minimiert werden.
Materialverluste beim Sägen von Wafern
Auch das Kristallisationsverfahren hat starken Einfluss auf die potenzielle Leistung und die Kosten eines Wafers. Monokristalline Wafer sind teurer als polykristalline, weil das Kristallisationsverfahren (Czochralski) aufwändiger ist und bei der Herstellung quadratischer Wafer aus den grundsätzlich runden Kristallen viel Material weggeschnitten wird. Da polykristalline Wafer aus quadratischen Säulen geschnitten werden, die wiederum aus quadratischen Blöcken stammen, bleibt weit weniger Material ungenutzt. Allerdings gehen auch hier 40 bis 50 Prozent des Siliziums beim Sägen der Wafer verloren.
Solarzellen vom Band[/b]
Wafer aus bandgezogenem Silizium sind hier im Vorteil: Beim EFG-Verfahren (edgedefined film-fed growth) wird ein achteckiges Silizium-Rohr direkt aus der Schmelze gezogen und anschließend per Laser in Scheiben geschnitten.
Beim String-Ribbon-Verfahren werden zwei Drähte durch flüssiges Silizium gezogen und das Silizium erstarrt in Form eines Bandes, das dann in Scheiben geschnitten wird. Auch beim RGS-Verfahren (ribbon growth on substrate) entsteht ein Band aus Silizium. Allerdings wird es erzeugt, indem ein Trägermaterial unter einem Tiegel mit flüssigem Silizium hinweg bewegt wird. So wird Silizium mitgezogen und kann dann auf dem Substrat kristallisieren.
Links und Mitte: Anlagen für flächig gezogenes Silizium nach dem String-Ribbon-Verfahren und fertige Solarzellen (Quelle: Evergreen Solar). Rechts: Flächig gezogenes Silizium nach dem EFG-Verfahren (Quelle: Schott Solar)
Doch bislang gilt: Je einfacher und kostengünstiger das Kristallisationsverfahren desto geringer die elektronische Qualität der Silizium-Wafer. Ein anderer Weg zur Kostenreduktion sind dünnere Wafer, die bei gleicher Fläche weniger Silizium benötigen. Während die Standarddicke kristalliner Silizium-Wafer lange bei 330 µm lag, werden heute bereits vielfach 270 µm oder sogar 240 µm dünne Wafer eingesetzt, und das Ziel sind 150 µm.
Je dünner die Solarzelle, desto weniger Silizium und Energie wird für die Herstellung benötigt. Links: 80 µm dünner Wafer mit Testsolarzellen (Quelle: Fraunhofer ISE). Rechts: Industriell gefertigte 150 µm-Solarzelle. (Quelle: Deutsche Cell)
Neue Fertigungsschritte für die Industrielle Serienfertigung
Im Hinblick auf eine Serienfertigung im Gigawatt-Maßstab wird eine höchst effiziente Fertigungstechnik immer bedeutsamer. Hierfür werden auch neue Fertigungsschritte entwickelt wie die Plasma- und PVD-Verfahren, Alternativen zur Nasschemie, der Einsatz von Lasern, die Entwicklung von Durchlaufprozessen und sehr schnelle Prozesse mit geringer Zykluszeit. So wurden z. B. Alternativen zur Kantenisolation mittels Plasma-Ätzen entwickelt. Auch ein Verfahren zum Ätzen der kompletten Rückseite wird erprobt, bei dem die Wafer über eine Ätzflüssigkeit schwimmen.
Der Einsatz von Lasern bringt ebenfalls neue Möglichkeiten. Künftig sollen Synergien mit Technologien aus der Dünnschicht-Photovoltaik aber auch der Glas- und Display-Industrie genutzt werden.
Links: Neue Produktionstechnik: Ein Lasergraben trennt Emitter und Basis. (Quelle: Fraunhofer ISE)
So wird derzeit die Sputtertechnik, die sich für die großflächige Beschichtung von Architekturglas etabliert hat, an die Anforderungen der ARC-Beschichtung von Solarzellen angepasst.
III. Perspektiven für Forschung und Entwicklung
Um Rohstoffe einzusparen werden die Herstellung von dünneren Wafern und ihre Verarbeitung zu Solarzellen untersucht. Auch werden immer größere Waferformate eingesetzt: Der bisherige Standard (125x125 mm2) wird derzeit vom Format 156x156 mm2 abgelöst und ein neues Format (210x210 mm2) steht kurz vor der Einführung. Die Effizienz günstiger Siliziummaterialien und Prozesse kann gesteigert werden, z. B. mit Getter- und Passivierschritten zur Materialverbesserung. Auch die Oberfläche von multikristallinem Silizium könnte mit geeigneten Prozessen passiviert und texturiert werden. Die Solarzellen der nächsten Generation werden sicher auch effizientere Kontaktstrukturen aufweisen. So wird an Feinliniensiebdruck und vergrabenen Kontakten, an der Kontaktierung großer dünner Wafer, neuartigen Rückseitenkontaktierungen und kompletten Rückseitenzellen gearbeitet.
Orientierung der Solarzellen-Fertigung am Solarmodul
Die Entwicklung neuer Konzepte und Produktionstechniken in der Solarzellenfertigung zielt aber auch auf Verbesserungen in der Weiterverarbeitung. Modulorientierte Solarzellenstrukturen, wie die erwähnten Rückseitenkontaktsolarzellen, aber auch übergreifende Ansätze integrierter Solarzellen-Modul-Konzepte werden zusätzlich Synergien der verschiedenen Wertschöpfungsschritte bringen. Das niederländische Forschungsinstitut ECN hat beispielsweise das Konzept der MWT-Zelle dahin gehend erweitert, dass die Solarzellen bei der Modulverschaltung auf eine Art Leiterplatte mit Kontaktstiften aufgesteckt werden können.
Mit der Solarmodultechnik wird sich der zweite Solar-Report zu den Photovoltaik-Innovationen befassen, zum Abschluss der Serie ist ein Beitrag über Dünnschicht-Solartechnik geplant.
Das komplette BINE Themeninfo III/05 kann beim BINE Informationsdienst www.bine.info heruntergeladen werden unter http://bine.info/pdf/publikation/themen0305internetx.pdf. Der Solarserver dankt dem BINE Informationsdienst und Herrn Dr. Ralf Lüdemann für die Rechte zur Internetpublikation.
Autor "Solarzellen aus Silizium-Wafern": Dr. Ralf Lüdemann, Deutsche Cell GmbH.
Redaktion: Johannes Lang (BINE Informationsdienst), Rolf Hug (Solarserver).
... Informationen & Daten aus erster Hand (2006). Der Autor arbeitet bei Solarworld / Deutsche Cell
Photovoltaik-Forschung und -Entwicklung:
Innovationen bei Solarzellen und Modulen
Noch ist der solare Beitrag zur deutschen Stromerzeugung relativ gering. Wachstumsraten der Photovoltaikindustrie von jährlich etwa 30% lassen aber erwarten, dass er rasch steigen wird. Die politischen Rahmenbedingungen in Japan und Deutschland, aber auch in den USA und Spanien führten zu einer langfristigen Planungssicherheit und erhöhten so die Investitionsbereitschaft der Industrie, welche die Produktionskapazitäten konsequent ausbaute: Bereits 2004 wurde weltweit ein Gigawatt (GW) Solarstromleistung produziert, noch vor 2020 könnten es 10 GW sein.
Unternehmen und Politik sehen die wirtschaftlichen und ökologischen Chancen der Solarstromtechnologie. Ablesbar ist dies auch an dem breiten und nachhaltigen Engagement in Forschung und Entwicklung. Das ist auch dringend geboten, denn nicht allein die Chancen sind enorm – die Herausforderungen sind es auch. Sollen Solarstromanlagen energiewirtschaftlich relevant werden, müssen die Photovoltaik-Fertigungskapazitäten stark ausgeweitet werden und die Kosten weiter sinken.
Links: Antwort auf die Herausforderungen des Photovoltaik-Marktes aus dem Labor: Ein etwa 20 µm dünnes Solarmodul wird vom Silizium-Substrat abgelöst. Die Dünnschicht-Solarzellen aus einkristallinem Silizium „wachsen“ auf einem Silizium-Substrat, das mehrfach verwendet werden kann. Rechts: Neue Fertigungstechnologien halten Einzug in die industrielle Produktion: berührungslose Methode zur Kontaktbildung (Fotos: ISFH)
Die sehr dynamische Branche und die Energieforschung stellen sich diesen Herausforderungen. Schon jetzt zeichnet sich eine ganze Reihe von Neuerungen ab, die in den nächsten Jahren Realität werden können.
Zunächst werden die weiterhin großen Entwicklungspotenziale der derzeit dominierenden Silizium-Wafer-Technologie aufgezeigt, danach Innovationen in der Modultechnik beschrieben und zum Abschluss Dünnschicht-Technologien dargestellt, die ihre Möglichkeiten in den nächsten Jahren unter Beweis stellen können.
Die Kosten für Solarstromanlagen wurden in den letzten 15 Jahren mehr als halbiert, die Kosten für Solarmodule sanken etwa um den Faktor vier - eine Erfolgsgeschichte für die marktbeherrschenden Silizium-Wafer-Solarzellen. Diese Entwicklung lässt sich jedoch nicht beliebig fortschreiben, grundlegende Innovationen sind gefragt: Aus Kostengründen und wegen aktuell knapper Fertigungskapazitäten zur Herstellung von Silizium optimierten Forschung und Industrie klassische Solarzellen, um höchste Leistungen pro eingesetztem Gramm Silizium zu erreichen.
I. Solarzellen aus Silizium-Wafern:
Entwicklungspotenziale nutzen
Solarzellen aus kristallinem Silizium nutzen das häufigste Element der Erdkruste und basieren auf einer relativ einfachen Technologie. Sie haben sich mit einem Marktanteil von mehr als 90% durchgesetzt. Mit den aktuellen Technologieinnovationen werden effiziente Fertigungsprozesse im Gigawatt-Maßstab vorbereitet.
Links: Bei polykristallinem Silizium lässt sich die Oberfläche mit einer sauren Lösung strukturieren. Rechts: In Pyramidenform texturierte Oberfläche aus monokristallinem Silizium. Die Struktur wird mit einer alkalischen Lösung geätzt. Grafiken: BINE Informationsdienst.
Vom Silizium zur Solarzelle
Zum Verständnis der weiteren Ausführungen werden die notwendigen Schritte bei der Herstellung klassischer Solarzellen skizziert:
Schmelzen, Schneiden und Reinigen: Das stark gereinigte Silizium wird eingeschmolzen und erstarrt anschließend je nach Kristallisationsverfahren als Einkristall (monokristallines Silizium) oder als Festkörper mit Bereichen verschiedener Kristallorientierung (polykristallines Silizium). Geschnitten in quadratische Scheiben von typischerweise 100 mm bis 210 mm Kantenlänge und 0,2 mm bis 0,3 mm Dicke ist es Ausgangsmaterial für die Herstellung kristalliner Silizium-Solarzellen. Dieser so genannte Silizium-Wafer wird dann von allen Seiten angeätzt und gereinigt. Dabei wird der oberflächennahe Bereich entfernt, der durch das Schneiden des Siliziums geschädigt wurde.
Absorption maximieren: Gleichzeitig können die Silizium- Kristalle bei der Ätzung ausgerichtet werden (Oberflächentextur). Bei monokristallinen Wafern entstehen auf der Oberfläche zufällig verteilte Pyramiden. Bei polykristallinen Wafern mit Oberflächenbereichen, die in verschiedene Richtungen orientiert sind, entstehen unabhängig von der Kristallorientierung zufällige Oberflächenstrukturen.
p-n-Übergang: Nach der nasschemischen Ätze und Reinigung wird Phosphor bis in eine Tiefe von zirka einem halben bis einem Mikrometer in den Wafer eingebracht (diffundiert). Dazu wird er in einem Ofen bei 800° C bis 1000° C einer phosphorhaltigen Atmosphäre ausgesetzt. Die mit Phosphor durchsetzte (dotierte) Siliziumschicht ist im Gegensatz zum positiv leitfähigen Ausgangswafer (p-Basis) negativ leitfähig (n+-Emitter). Die Solarzelle weist nun einen so genannten pn-Übergang auf, der für die Trennung der durch Licht erzeugten Ladungsträger verantwortlich ist. Durch Lichteinstrahlung werden positive und negative Ladungsträger freigesetzt und es fließt elektrischer Strom (Photoeffekt).
Zwischenschritte: Bei der Diffusion bildet sich auf dem Wafer eine Oxidschicht, welche durch eine Flusssäurebehandlung entfernt werden muss. Außerdem findet die Diffusion an allen phosphorexponierten Stellen des Wafers statt, so dass die negativ dotierte Schicht (Emitter) in der Regel auch über die Kanten bis zur Rückseite reicht. Um einen Kurzschluss in der Solarzelle zu vermeiden, müssen diese Emitter-Bereiche entfernt oder vom Emitter auf der Vorderseite getrennt werden. Dies geschieht in der Regel durch Ätzen der Kanten in einem Plasma.
Reflexion minimieren, Kontakt herstellen: Vor der Kontaktierung der beiden Pole des p-n-Übergangs wird die Vorderseite mit einer Antireflexschicht (ARC) vergütet, meist aus Siliziumnitrid. Schließlich werden auf der Vorder- und Rückseite Metallkontakte aufgedruckt; hinten als ganzflächige Schicht aus Aluminium und vorne in Form von dünnen "Fingern" aus Silber, um möglichst wenig Lichtabschattung durch die Kontakte zu erhalten. Die Kontaktierung selbst erfolgt in einem Schritt bei Temperaturen um 800° C. Dabei sintert das Silber durch die Antireflexschicht und kontaktiert den Emitter, während sich gleichzeitig das Aluminium auf der Rückseite mit dem Silizium vermischt und eine hoch dotierte positive Oberflächenschicht erzeugt (Back Surface Field, BSF), was die Verluste an der Solarzellenrückseite reduziert.
Links: Legende zu den Grafiken. Rechts: Schema einer konventionellen Silizium-Solarzelle, in der Struktur wie sie heute in großen Stückzahlen produziert wird. Grafik: BINE Informationsdienst
Verluste vermeiden, Wirkungsgrad steigern
Solarzellen aus Silizium-Wafern zeichnen sich im Vergleich zu anderen Zellen durch relativ hohe Wirkungsgrade aus. Auf diese Weise industriell produzierte Solarzellen wandeln Sonnenlicht in elektrischen Strom mit einer Effizienz von 15,0 % (polykristalline Solarzellen) bzw. 16,5 % (monokristalline Solarzellen) um. Hohe Wirkungsgrade können letztlich nur erzielt werden, indem die Verluste minimiert werden. Auch klassische Solarzellen (Silizium-Wafer + einfacher pn-Übergang) können theoretisch Wirkungsgrade bis über 30% erreichen. Optische Verluste, Verluste durch Rekombination der durch Licht erzeugten Ladungsträger sowie elektrische Widerstandsverluste verhindern dies jedoch.
Die Entwicklung zielt darauf, diese Verluste zu verringern, doch die Maßnahmen wechsel-wirken teilweise kontra-produktiv, so kann beispiels-weise eine Reduktion optischer Verluste zur Erhöhung elektrischer Verluste führen.
Elementare Verlustmechanismen in Solarzellen, die zwar nicht vollständig aber teilweise beachtlich reduziert werden können. Grafik: BINE Informationsdienst.
Optimierte monokristalline Solarzellen industriell produziert
Höhere Wirkungsgrade erreichen Solarzellen mit ausgefeilteren Strukturen. Beispielsweise haben die Saturn-Solarzellen von BP Solar geringere Abschattungsverluste, weil die Frontkontakte "vergraben" werden. Per Laser werden Vertiefungen geschnitten, in denen der Frontkontakt chemisch abgeschieden wird. Damit werden in der Produktion Wirkungsgrade von über 17 % erreicht. Bei der HIT-Solarzelle von Sanyo wird das sehr gute Absorptionsvermögen und die passivierende Wirkung des amorphen Siliziums mit den guten elektronischen Eigenschaften von monokristallinem Silizium kombiniert. Der Emitter besteht aus einer sehr dünnen amorphen Silizium-Schicht, während die Basis aus einem (negativ leitenden) monokristallinen Silizium-Wafer besteht. In der Produktion erreichen die nur 200 µm dicken Solarzellen gut 18,5 % Wirkungsgrad. Auch die A-300-Solarzellen von SunPower basieren auf einem negativ leitenden Silizium-Wafer. Hier ist allerdings der Emitter auf die Rückseite diffundiert und alle Kontakte sind ebenfalls hinten angeordnet, so dass es auf der Vorderseite zu keiner Abschattung durch Metallbahnen kommt (Rückseitenzellen). In der Pilotlinie von SunPower werden Wirkungsgrade von über 21 % erreicht.
Links: Saturn-Solarzelle: Per Laserschnitte eingebrachte Gräben lassen die Frontkontakte "in der Versenkung verschwinden". Mitte: HIT-Solarzelle: Sandwich-Konstruktion mit kristallinem Silizium-Wafer zwischen zwei sehr dünnen Schichten aus amorphem Silizium. Rechts: Rückseitenzelle (z.B. A-300 von SunPower): Auf der Rückseite wechseln sich Basis- und Emitterbereiche ab und können kontaktiert werden. Frontseitenkontakte entfallen. Grafiken: BINE Informationsdienst.
Labor-Wirkungsgrade bereits über 20 %
Das Institut für Solarenergieforschung Hameln (ISFH) verfolgt ein Konzept, welches gleichfalls die Abschattung durch Frontkontakte minimieren will. Durch schräges Aufdampfen entstehen auf den Flanken von Gräben elektrische Kontakte, die den Lichteinfall praktisch nicht mehr behindern. Im Labor wurden bereits Wirkungsgrade über 20 % erzielt. Auch mit dem Konzept des Fraunhofer ISE werden Wirkungsgrade jenseits der 20 %-Marke erreicht – unter Verwendung industrietauglicher Techniken. Es basiert auf einem Rückseitenkontakt, der nur punktuell hergestellt wird, um den größten Teil der Rückseite mit einer Schicht aus einer dielektrischen Siliziumverbindung (Siliziumoxid, -nitrid oder -carbid) zu vergüten. Dies führt zu besseren Ergebnissen als ein ganzflächiges Aluminium-Rückseitenfeld und kann gleichzeitig auf sehr viel dünneren Wafern verwendet werden, welche sich bei ganzflächiger Aluminiumbeschichtung stark verbiegen würden.
Links: OECO-Solarzelle: MIS-n+p-Solarzelle mit mechanisch erzeugter Oberflächenstruktur, die Frontkontakte werden ohne Masken schräg bedampft und bieten dem Licht wenig Widerstand. Rechts: Solarzelle mit punktuellem Rückseitenkontakt: Durch eine dielektrische Schicht ist die Rückseite optimal passiviert, die Kontaktierung erfolgt nur punktuell und mit lokalen BSF.
Grafiken: BINE Informationsdienst.
Verluste minimieren
Bei allen beschriebenen optimierten Solarzellenkonzepten werden monokristalline Silizium-Wafer verwendet, mit teils hohen Ansprüchen an die Materialqualität. Bei manchen Konzepten kommt man nicht ohne aufwändige und teure Verfahrensschritte aus. Die Konzepte sind meist (noch) nicht auf die kostengünstigeren multikristallinen Silizium-Wafer übertragbar.
II. Auf dem Weg zu neuen Solarzellenkonzepten
Um möglichst viel Licht in die Solarzelle zu bekommen, müssen auch die Vorderseitenkontakte möglichst klein sein. Damit steigt allerdings ihr elektrischer Widerstand. Alternativen sind vergrabene Kontakte oder das Verlegen aller Kontakte auf die Rückseite. Um die Kontaktierung der negativ dotierten Schicht (Emitter) auf die Rückseite zu führen, müssen sehr viele Löcher in den Wafer gebohrt werden. Bei der Diffusion werden die Flanken dieser Löcher dann ebenfalls zu Emittergebieten und der Emitter wird von der Rückseite erreichbar. Dieses Emitter-Wrap-Through (EWT) genannte Verfahren ist allerdings sehr aufwändig. Stattdessen kann der Emitter auch auf die Rückseite diffundiert werden, wie bei der A-300. Allerdings muss hier sehr hochwertiges und deshalb teures Silizium eingesetzt werden, um die Rekombination in der darüber liegenden, dem Licht zugewandten Basis zu begrenzen.
Vorderseite (links) und Rückseite (rechts) einer EWT-Solarzelle, bei der die frontseitigen elektrischen Kontakte an sehr vielen Punkten auf die Solarzellenrückseite geführt werden.
Grafiken: BINE Informationsdienst.
Einen Mittelweg bietet das Metal-Wrap-Through-Konzept (MWT): Lediglich die für die Verschaltung im Modul nötigen Lötbahnen, welche einen großen Teil der metallisierten Fläche auf der Vorderseite ausmachen, werden auf die Rückseite verlegt und haben über in den Wafer gebohrte Löcher Verbindung zum Emitterkontakt auf der Vorderseite. Diese Solarzellen stellen weniger Anforderungen an die Materialqualität als eine Rückseitenzelle und sind einfacher herzustellen als eine EWT-Zelle. Deshalb verfolgen Solarzellenhersteller wie Shell Solar, Photovoltech, Sharp oder Q-Cells diesen Ansatz.
Spezielles Solar-Silizium als kostengünstiges Ausgangsmaterial
Eine Kostenrechnung für die Fertigung von Silizium-Solarzellen zeigt, dass der Wafer den mit Abstand größten Anteil ausmacht.
Derzeit wird Silizium verwendet, dessen Qualität den Ansprüchen der Mikroelektronik entspricht. Durch Vereinfachungen des Reinigungsverfahrens soll ein spezielles Solar-Silizium gewonnen werden, das bei geringerer Qualität und niedrigeren Herstellungskosten auf die Ansprüche der Photovoltaik abgestimmt ist.
Kostenstruktur bei der Fertigung von Silizium-Solarzellen. (Quelle: Deutsche Cell)
Dieses Solarsilizium muss aber besonders behandelt werden, um die vermehrt enthaltenen Störstellen soweit möglich zu inaktivieren, damit Ladungsträgerverluste aufgrund von Rekombinationseffekten minimiert werden.
Materialverluste beim Sägen von Wafern
Auch das Kristallisationsverfahren hat starken Einfluss auf die potenzielle Leistung und die Kosten eines Wafers. Monokristalline Wafer sind teurer als polykristalline, weil das Kristallisationsverfahren (Czochralski) aufwändiger ist und bei der Herstellung quadratischer Wafer aus den grundsätzlich runden Kristallen viel Material weggeschnitten wird. Da polykristalline Wafer aus quadratischen Säulen geschnitten werden, die wiederum aus quadratischen Blöcken stammen, bleibt weit weniger Material ungenutzt. Allerdings gehen auch hier 40 bis 50 Prozent des Siliziums beim Sägen der Wafer verloren.
Solarzellen vom Band[/b]
Wafer aus bandgezogenem Silizium sind hier im Vorteil: Beim EFG-Verfahren (edgedefined film-fed growth) wird ein achteckiges Silizium-Rohr direkt aus der Schmelze gezogen und anschließend per Laser in Scheiben geschnitten.
Beim String-Ribbon-Verfahren werden zwei Drähte durch flüssiges Silizium gezogen und das Silizium erstarrt in Form eines Bandes, das dann in Scheiben geschnitten wird. Auch beim RGS-Verfahren (ribbon growth on substrate) entsteht ein Band aus Silizium. Allerdings wird es erzeugt, indem ein Trägermaterial unter einem Tiegel mit flüssigem Silizium hinweg bewegt wird. So wird Silizium mitgezogen und kann dann auf dem Substrat kristallisieren.
Links und Mitte: Anlagen für flächig gezogenes Silizium nach dem String-Ribbon-Verfahren und fertige Solarzellen (Quelle: Evergreen Solar). Rechts: Flächig gezogenes Silizium nach dem EFG-Verfahren (Quelle: Schott Solar)
Doch bislang gilt: Je einfacher und kostengünstiger das Kristallisationsverfahren desto geringer die elektronische Qualität der Silizium-Wafer. Ein anderer Weg zur Kostenreduktion sind dünnere Wafer, die bei gleicher Fläche weniger Silizium benötigen. Während die Standarddicke kristalliner Silizium-Wafer lange bei 330 µm lag, werden heute bereits vielfach 270 µm oder sogar 240 µm dünne Wafer eingesetzt, und das Ziel sind 150 µm.
Je dünner die Solarzelle, desto weniger Silizium und Energie wird für die Herstellung benötigt. Links: 80 µm dünner Wafer mit Testsolarzellen (Quelle: Fraunhofer ISE). Rechts: Industriell gefertigte 150 µm-Solarzelle. (Quelle: Deutsche Cell)
Neue Fertigungsschritte für die Industrielle Serienfertigung
Im Hinblick auf eine Serienfertigung im Gigawatt-Maßstab wird eine höchst effiziente Fertigungstechnik immer bedeutsamer. Hierfür werden auch neue Fertigungsschritte entwickelt wie die Plasma- und PVD-Verfahren, Alternativen zur Nasschemie, der Einsatz von Lasern, die Entwicklung von Durchlaufprozessen und sehr schnelle Prozesse mit geringer Zykluszeit. So wurden z. B. Alternativen zur Kantenisolation mittels Plasma-Ätzen entwickelt. Auch ein Verfahren zum Ätzen der kompletten Rückseite wird erprobt, bei dem die Wafer über eine Ätzflüssigkeit schwimmen.
Der Einsatz von Lasern bringt ebenfalls neue Möglichkeiten. Künftig sollen Synergien mit Technologien aus der Dünnschicht-Photovoltaik aber auch der Glas- und Display-Industrie genutzt werden.
Links: Neue Produktionstechnik: Ein Lasergraben trennt Emitter und Basis. (Quelle: Fraunhofer ISE)
So wird derzeit die Sputtertechnik, die sich für die großflächige Beschichtung von Architekturglas etabliert hat, an die Anforderungen der ARC-Beschichtung von Solarzellen angepasst.
III. Perspektiven für Forschung und Entwicklung
Um Rohstoffe einzusparen werden die Herstellung von dünneren Wafern und ihre Verarbeitung zu Solarzellen untersucht. Auch werden immer größere Waferformate eingesetzt: Der bisherige Standard (125x125 mm2) wird derzeit vom Format 156x156 mm2 abgelöst und ein neues Format (210x210 mm2) steht kurz vor der Einführung. Die Effizienz günstiger Siliziummaterialien und Prozesse kann gesteigert werden, z. B. mit Getter- und Passivierschritten zur Materialverbesserung. Auch die Oberfläche von multikristallinem Silizium könnte mit geeigneten Prozessen passiviert und texturiert werden. Die Solarzellen der nächsten Generation werden sicher auch effizientere Kontaktstrukturen aufweisen. So wird an Feinliniensiebdruck und vergrabenen Kontakten, an der Kontaktierung großer dünner Wafer, neuartigen Rückseitenkontaktierungen und kompletten Rückseitenzellen gearbeitet.
Orientierung der Solarzellen-Fertigung am Solarmodul
Die Entwicklung neuer Konzepte und Produktionstechniken in der Solarzellenfertigung zielt aber auch auf Verbesserungen in der Weiterverarbeitung. Modulorientierte Solarzellenstrukturen, wie die erwähnten Rückseitenkontaktsolarzellen, aber auch übergreifende Ansätze integrierter Solarzellen-Modul-Konzepte werden zusätzlich Synergien der verschiedenen Wertschöpfungsschritte bringen. Das niederländische Forschungsinstitut ECN hat beispielsweise das Konzept der MWT-Zelle dahin gehend erweitert, dass die Solarzellen bei der Modulverschaltung auf eine Art Leiterplatte mit Kontaktstiften aufgesteckt werden können.
Mit der Solarmodultechnik wird sich der zweite Solar-Report zu den Photovoltaik-Innovationen befassen, zum Abschluss der Serie ist ein Beitrag über Dünnschicht-Solartechnik geplant.
Das komplette BINE Themeninfo III/05 kann beim BINE Informationsdienst www.bine.info heruntergeladen werden unter http://bine.info/pdf/publikation/themen0305internetx.pdf. Der Solarserver dankt dem BINE Informationsdienst und Herrn Dr. Ralf Lüdemann für die Rechte zur Internetpublikation.
Autor "Solarzellen aus Silizium-Wafern": Dr. Ralf Lüdemann, Deutsche Cell GmbH.
Redaktion: Johannes Lang (BINE Informationsdienst), Rolf Hug (Solarserver).
... Informationen & Daten aus erster Hand (2006). Der Autor arbeitet bei Solarworld / Deutsche Cell
Antwort auf Beitrag Nr.: 32.897.622 von bossi1 am 29.12.07 22:22:52Mit zwei niederländischen Partnern will der Konzern eine neue Wafertechnologie umsetzen, die den Rohstoffeinsatz optimiert ...
Joint Venture baut Pilotanlage für RGS-Wafer ...etwas ausführlicher
09.03.2006: Nach sechs Jahren intensiver Forschung ist es so weit: Das niederländische Forschungsinstitut Energy Research Center of the Netherlands (ECN) gründete mit den Investoren Deutsche Solar AG (einem Tochterunternehmen der Solarworld AG) und der niederländischen Investmentgesellschaft Sunergy Investco ein Joint Venture, um ein neues Fertigungsprinzip der Silizium sparenden Ribbon-Growth-on-Substrate-Wafertechnologie (RGS) umzusetzen.
Das neue Unternehmen heißt RGS Development BV und hat seinen Sitz in den Niederlanden. Bis Anfang 2007 soll eine Pilotfertigung für Siliziumwafer – das Vorprodukt zur Solarzelle – auf RGS-Basis errichtet werden, die bereits für einen möglichen Ausbau auf 50 Megawatt (MW) Jahreskapazität ausgelegt ist. Zur Investitionssumme für diese Pilotfertigung möchte Geschäftsführer Axel Schönecker jedoch keine Zahlen nennen. Bewährt sich das Fertigungsprinzip im Test, wollen die Investoren so schnell wie möglich noch vor Ende 2007 weitere Produktionslinien aufbauen.
Die RGS-Technik wurde einst von der Bayer AG entwickelt, die wiederum im August 2000 ihre Wafer-Sparte an Solarworld verkaufte. Bei dem Verfahren werden die Wafer als Folien durch das Aufbringen von Silizium auf ein Trägersubstrat gewonnen. Die anfängliche Materialstärke soll 300 Mikrometer betragen, etwas mehr also als bei konventionellen Zell-Rohlingen. Weil jedoch das aufwändige Sägen der Siliziumblöcke entfällt, wird trotzdem sehr viel Zeit und vor allem Material gespart.
Demzufolge verspricht die RGS-Waferproduktion auch, die Kosten zu senken. Geschäftsführer Schönecker prophezeit eine Reduktion bis zu 50 Prozent. Zudem wird man bei dem neuen Joint Venture weiter an der Erhöhung der Ausbeute feilen. Bereits im Juni 2005 meldete ECN von Laborzellen mit Wirkungsgraden bis 12,3 Prozent, was bereits in die Nähe guter polykristalliner Solarzellen rückt.
William P. Hirshman
© PHOTON, 2006
http://www.photon.de/news_archiv/details.aspx?cat=News_Archi…
-----------
Products: Custom Equipment - GT Solar
Dendritic Growth Furnace
Mono-Crystalline Ribbon, High Output Efficiency and Low Cost
Silicon Ribbon Puller
Thin single crystal silicon ribbon growth is based on the properties of dendritic growth and the formation of minimal surfaces. Two parallel dendrites up to 2" apart are pulled continuously from the silicon melt. A silicon web forms between them resulting in a ribbon of about 0.3 mm thickness used for the production of high efficiency solar cells.
The performance of these cells is indistinguishable from that of cells fabricated from Czochralski grown silicon. The wafering process is reduced to cutting the ribbon into pieces of appropriate length, which greatly reduces the overall cost of solar cells. GT Solar designs and manufactures this furnace on exclusive basis for one customer. The complexity of the growth process with precise temperature and motion control demonstrates GT Solar's expertise to build complicated and fully automated production equipment.
This equipment was custom designed and manufactured by GT solely for its customers' use, and is not commercialized for resale.
http://www.gtsolar.com/products/dgf.php
-------------
... die oben im Bild nach Kundenauftrag (?) von GT Solar gefertigte Anlage ist für Monokristalline Solarzellen (nach Czochralski) ausgelegt, das von Solarworld in den US-Werken verwendet wird. Die für Schott Solar gebauten RGS Anlagen waren jedoch für Mulikristalline Solarzellen ausgelegt. Das Pilotprojekt war bis max. 50 MW für Anfang 2007 ausgelegt (Nachricht fehlt) und könnte ggf. auch in den USA (Hillsboro) eingesetzt werden. Es wird hier von bis zu 50% Kostensenkung gesprochen. Bei Erfolg des Pilotprojektes wurden noch weitere Produktionslinien ankündigt im Photon Artikel.
Joint Venture baut Pilotanlage für RGS-Wafer ...etwas ausführlicher
09.03.2006: Nach sechs Jahren intensiver Forschung ist es so weit: Das niederländische Forschungsinstitut Energy Research Center of the Netherlands (ECN) gründete mit den Investoren Deutsche Solar AG (einem Tochterunternehmen der Solarworld AG) und der niederländischen Investmentgesellschaft Sunergy Investco ein Joint Venture, um ein neues Fertigungsprinzip der Silizium sparenden Ribbon-Growth-on-Substrate-Wafertechnologie (RGS) umzusetzen.
Das neue Unternehmen heißt RGS Development BV und hat seinen Sitz in den Niederlanden. Bis Anfang 2007 soll eine Pilotfertigung für Siliziumwafer – das Vorprodukt zur Solarzelle – auf RGS-Basis errichtet werden, die bereits für einen möglichen Ausbau auf 50 Megawatt (MW) Jahreskapazität ausgelegt ist. Zur Investitionssumme für diese Pilotfertigung möchte Geschäftsführer Axel Schönecker jedoch keine Zahlen nennen. Bewährt sich das Fertigungsprinzip im Test, wollen die Investoren so schnell wie möglich noch vor Ende 2007 weitere Produktionslinien aufbauen.
Die RGS-Technik wurde einst von der Bayer AG entwickelt, die wiederum im August 2000 ihre Wafer-Sparte an Solarworld verkaufte. Bei dem Verfahren werden die Wafer als Folien durch das Aufbringen von Silizium auf ein Trägersubstrat gewonnen. Die anfängliche Materialstärke soll 300 Mikrometer betragen, etwas mehr also als bei konventionellen Zell-Rohlingen. Weil jedoch das aufwändige Sägen der Siliziumblöcke entfällt, wird trotzdem sehr viel Zeit und vor allem Material gespart.
Demzufolge verspricht die RGS-Waferproduktion auch, die Kosten zu senken. Geschäftsführer Schönecker prophezeit eine Reduktion bis zu 50 Prozent. Zudem wird man bei dem neuen Joint Venture weiter an der Erhöhung der Ausbeute feilen. Bereits im Juni 2005 meldete ECN von Laborzellen mit Wirkungsgraden bis 12,3 Prozent, was bereits in die Nähe guter polykristalliner Solarzellen rückt.
William P. Hirshman
© PHOTON, 2006
http://www.photon.de/news_archiv/details.aspx?cat=News_Archi…
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Products: Custom Equipment - GT Solar
Dendritic Growth Furnace
Mono-Crystalline Ribbon, High Output Efficiency and Low Cost
Silicon Ribbon Puller
Thin single crystal silicon ribbon growth is based on the properties of dendritic growth and the formation of minimal surfaces. Two parallel dendrites up to 2" apart are pulled continuously from the silicon melt. A silicon web forms between them resulting in a ribbon of about 0.3 mm thickness used for the production of high efficiency solar cells.
The performance of these cells is indistinguishable from that of cells fabricated from Czochralski grown silicon. The wafering process is reduced to cutting the ribbon into pieces of appropriate length, which greatly reduces the overall cost of solar cells. GT Solar designs and manufactures this furnace on exclusive basis for one customer. The complexity of the growth process with precise temperature and motion control demonstrates GT Solar's expertise to build complicated and fully automated production equipment.
This equipment was custom designed and manufactured by GT solely for its customers' use, and is not commercialized for resale.
http://www.gtsolar.com/products/dgf.php
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... die oben im Bild nach Kundenauftrag (?) von GT Solar gefertigte Anlage ist für Monokristalline Solarzellen (nach Czochralski) ausgelegt, das von Solarworld in den US-Werken verwendet wird. Die für Schott Solar gebauten RGS Anlagen waren jedoch für Mulikristalline Solarzellen ausgelegt. Das Pilotprojekt war bis max. 50 MW für Anfang 2007 ausgelegt (Nachricht fehlt) und könnte ggf. auch in den USA (Hillsboro) eingesetzt werden. Es wird hier von bis zu 50% Kostensenkung gesprochen. Bei Erfolg des Pilotprojektes wurden noch weitere Produktionslinien ankündigt im Photon Artikel.
Antwort auf Beitrag Nr.: 32.920.430 von bossi1 am 02.01.08 22:08:10An FA´s Stelle, würde ich trotzdem erstmal gerichtlich klagen!
Ein nicht ganz ernst gemeinter Rückblick auf das aufregende Jahr ...
WELT ONLINE - 31. Dez. 2007
Ausgelöst wird alles durch einen Artikel des "Mallorca-Magazins": Bei der Eröffnung eines neuen Solarworld-Kraftwerks auf der Lieblingsinsel der Deutschen ...
Der Artikel kam in der Ausgabe vom 28.12.2007 des Mallorca Magazins. Das Datum hat für die Spanier die gleiche Bedeutung wie für uns der 1. April und man schickt gerne am "Día de Inocentes" wie bei uns "unwissende" in den April.
WELT ONLINE - 31. Dez. 2007
Ausgelöst wird alles durch einen Artikel des "Mallorca-Magazins": Bei der Eröffnung eines neuen Solarworld-Kraftwerks auf der Lieblingsinsel der Deutschen ...
Der Artikel kam in der Ausgabe vom 28.12.2007 des Mallorca Magazins. Das Datum hat für die Spanier die gleiche Bedeutung wie für uns der 1. April und man schickt gerne am "Día de Inocentes" wie bei uns "unwissende" in den April.
Antwort auf Beitrag Nr.: 32.898.373 von lieberlong am 30.12.07 00:29:52Hallo lieberlong, Bossi, Wombel, ....& Co.,
ich wünsch Euch einen guten Rutsch in ein weiteres erfolgreiches Jahr 2008.
Wenn wir jedes Jahr ca. 70% PLUS bei Solarworld machen, bin ich jedenfalls zufrieden.
Wenn das so weitergeht, kann ich dann bald zm Arbeiten aufhören.
ich finde es übrigens sehr gut, dass heuer der Newsflow seitens SWV etwas abflachte. Nachdem ich den herrn A. persönlich kenn, hab ich großes Vertrauen. Und mittlerweile ist die Gefahr zunehmenden Wettbewerbs nicht zu unterschätzen. Dann ist Schweigen Gold und Reden nur Silber!!
Ich erwarte (wie ihr vermutlich auch) sehr gute Überraschungen Anfang des Jahres. Da werden sich manche verm. noch wundern. Im Laufe des Jahres sind die Richtungen ja mehrmals angesprochen worden. Ihr wissst ja Bescheid, und andere müssen halt auch "am Ball bleiben" ....gelle?
PS: Ich verkaufe kein Stück SWV!!!!!
ich wünsch Euch einen guten Rutsch in ein weiteres erfolgreiches Jahr 2008.
Wenn wir jedes Jahr ca. 70% PLUS bei Solarworld machen, bin ich jedenfalls zufrieden.
Wenn das so weitergeht, kann ich dann bald zm Arbeiten aufhören
.ich finde es übrigens sehr gut, dass heuer der Newsflow seitens SWV etwas abflachte. Nachdem ich den herrn A. persönlich kenn, hab ich großes Vertrauen. Und mittlerweile ist die Gefahr zunehmenden Wettbewerbs nicht zu unterschätzen. Dann ist Schweigen Gold und Reden nur Silber!!
Ich erwarte (wie ihr vermutlich auch) sehr gute Überraschungen Anfang des Jahres. Da werden sich manche verm. noch wundern. Im Laufe des Jahres sind die Richtungen ja mehrmals angesprochen worden. Ihr wissst ja Bescheid, und andere müssen halt auch "am Ball bleiben" ....gelle?
PS: Ich verkaufe kein Stück SWV!!!!!
Trading Spotlight
Antwort auf Beitrag Nr.: 32.897.873 von bossi1 am 29.12.07 22:57:44Allen ein gutes und erfolgreiches neues Jahr
Die Fakten für 2008 auf jetzigem Stand:
1.: Hillsboro/Camarillo laufen nach derzeitig abgeschlossener Aufbau-/Umzugsphase auf "vorläufiger" Volllast! Heisst nichts anderes, als grösster Wafer- und Zellproduzent in den USA next year und das in einem Wahljahr, in deren Verlauf die Weichen in Richtung EE im weiter gestellt werden dürften!
2.: Hochfahrphase der eigenen Siliziumproduktion (JSSI) auf vorläufig 850t, abgesehen von den anderen Silizium-liefer-Kontrakten
3.: Weiterer zusätzlicher Cashflow durch die bis jetzt bekannten Langfristaufträge in Höhe von 5 Mrd. Euro!
4.: Weiterer Ausbau zur GigaFab in Freiberg (500 MW-Ausbau in der "alten" Halle, gleichzeitig Neubau einer neuen 500 MW-Produktionsstrecke), abgeschlossen voraussichtlich Mitte 2009, wobei Synergien schon in 2008 wirksam werden dürften!
5.: Zügiger Fortschritt und weiterer Ausbau des Südkorea-JV´s und gleichzeitiger Fertigstellung des grössten PV-Parks Südkoreas.
usw!!!
Alles "nur" bisher kommunizierte Fakten. Weiterer Newsflow wird mit Sicherheit bald folgen!
Auf ein weiteres ertragreiches Jahr 2008, wünsche ich allen investierten einen guten Rutsch ins neue Jahr!
Danke Dir bossi für diesen sehr informativen Thread!
Die Fakten für 2008 auf jetzigem Stand:
1.: Hillsboro/Camarillo laufen nach derzeitig abgeschlossener Aufbau-/Umzugsphase auf "vorläufiger" Volllast! Heisst nichts anderes, als grösster Wafer- und Zellproduzent in den USA next year und das in einem Wahljahr, in deren Verlauf die Weichen in Richtung EE im weiter gestellt werden dürften!
2.: Hochfahrphase der eigenen Siliziumproduktion (JSSI) auf vorläufig 850t, abgesehen von den anderen Silizium-liefer-Kontrakten
3.: Weiterer zusätzlicher Cashflow durch die bis jetzt bekannten Langfristaufträge in Höhe von 5 Mrd. Euro!
4.: Weiterer Ausbau zur GigaFab in Freiberg (500 MW-Ausbau in der "alten" Halle, gleichzeitig Neubau einer neuen 500 MW-Produktionsstrecke), abgeschlossen voraussichtlich Mitte 2009, wobei Synergien schon in 2008 wirksam werden dürften!
5.: Zügiger Fortschritt und weiterer Ausbau des Südkorea-JV´s und gleichzeitiger Fertigstellung des grössten PV-Parks Südkoreas.
usw!!!
Alles "nur" bisher kommunizierte Fakten. Weiterer Newsflow wird mit Sicherheit bald folgen!
Auf ein weiteres ertragreiches Jahr 2008, wünsche ich allen investierten einen guten Rutsch ins neue Jahr!
Danke Dir bossi für diesen sehr informativen Thread!
Antwort auf Beitrag Nr.: 32.889.030 von Wombel_III am 28.12.07 16:45:57Dein Zitat "Solarworld will sich Anfang 2008 zur Silizium Versorgung äußern ... ist die unterschwellige Hoffnung, die auch ich hege, daß Solarworld nicht "nur" mit einer weiteren Expansion des JSSI "daherkommt"
Hi Wombel,
bei Apple gab es 2007 ein Feuerwerk an interessanten Neuigkeiten und das hat sich schon 2006 klar abgezeichnet. Der Kurs ist in 2007 über 125% gestiegen, die Wachstums Story hat auch für 2008 weiter Nahrung. Etwas ähnliches sieht man z.Z. bei Solarworld für 2008/2009. In der Silizium Geschichte bei SWV "könnte" wie bei Apple´s iPod richtig "Musik" stecken. Q-Cells und Solon haben es 2007 vorgemacht.
Allen ein gutes und erfolgreiches neues Jahr, bossi
Hi Wombel,
bei Apple gab es 2007 ein Feuerwerk an interessanten Neuigkeiten und das hat sich schon 2006 klar abgezeichnet. Der Kurs ist in 2007 über 125% gestiegen, die Wachstums Story hat auch für 2008 weiter Nahrung. Etwas ähnliches sieht man z.Z. bei Solarworld für 2008/2009. In der Silizium Geschichte bei SWV "könnte" wie bei Apple´s iPod richtig "Musik" stecken. Q-Cells und Solon haben es 2007 vorgemacht.
Allen ein gutes und erfolgreiches neues Jahr, bossi
Antwort auf Beitrag Nr.: 32.888.719 von bossi1 am 28.12.07 16:15:18.
GT Equipment Technologies, Inc. ...
GT Equipment Technologies, Inc. licenses groundbreaking silicon feedstock production technology to SolarWorld AG
Nashua, New Hampshire, USA — November 28, 2001
GT Equipment Technologies, Inc. (GTi) and their photovoltaic equipment division, GT Solar Technologies, of Nashua, NH, license a new groundbreaking feedstock production technology to SolarWorld AG.
Frank Asbeck, CEO of SolarWorld, announced the Joint Venture at the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition in Munich. GTi's innovative technique is an integral part of a project, initiated by Deutsche Solar, a subsidiary of SolarWorld AG, to put an end to the chronic shortage of silicon feedstock for solar cell production.
"We are very pleased to help overcome a major problem of the photovoltaic industry," says Kedar Gupta, President and CEO of GTi. "Everybody is talking about problems with the supply of feedstock and little has been done to solve that problem. We look forward to working with our new partner and to actively contribute to the commercial success of the photovoltaic industry."
Kedar Gupta further states: "Development research for this project was partly funded by an SBIR project from the National Science Foundation. The new advanced technology incorporates a unique method of depositing silicon on hot walls of silicon tubes or other shapes. This process is inherently energy efficient and extremely cost effective compared to the current methods."
GTi is a leading manufacturing and technology company offering a variety of semiconductor and photovoltaic equipment. For more information visit the company's website at www.gtequipment.com. GT Solar provides turnkey solutions to photovoltaic manufacturers worldwide. These include the GTs-WAFFAB™, GTs-CELFAB™, and GTs-MODFAB™ wafer, cell and module turnkey manufacturing lines. In the three years since its inception, GT Solar has become one of the largest suppliers of manufacturing equipment to the PV industry by developing new solutions that reduce the cost of PV manufacturing. For more information on GT Solar, visit the company's website at www.gtsolar.com.
SolarWorld AG is a fast growing German company dedicated to manufacture and market photovoltaic products worldwide by integrating all components of the solar value chain, from feedstock to module production, from trade with solar panels to the construction of solar power plants. For more information on SolarWorld AG visit the company's website at www.solarworld.de.
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GT Solar Delivers HEM Furnaces to Deutsche Solar
Nashua, New Hampshire, USA. — April 29, 2002
GT Solar Technologies, a leading manufacturer of photovoltaic (PV) wafer, cell and module manufacturing equipment, will deliver multiple units of its GT-MX225 HEM furnace to SolarWorld AG subsidiary, Deutsche Solar. The value of the contract is in excess of $6 million.
The HEM furnaces will be installed at Deutsche Solar's Freiberg, Germany facility as part of the company's ongoing growth. The HEM (Heat Exchanger Method) is a crystal growth process for growing multicrystalline silicon ingots, which are further manufactured to produce electricity-producing solar cells, a key high growth product in the solar energy industry now growing over 35% annually.
"It required only a couple of growth runs to put the HEM furnace into full operational mode after installation." said Dr. Armin Mueller, Head of Production Crystallization and Research & Development at Deutsche Solar. "From then on we produced ingots that fully met our specifications."
"Our systems are proven and come on line quickly," explained Keith Matthei, Vice President of GT Solar. "Our experience in manufacturing PV equipment initially attracts customers like Deutsche Solar. They quickly develop confidence in the HEM manufacturing process and that enables them to move on to focus on other critical business issues."
Deutsche Solar chose GT Solar's HEM furnaces after comprehensively testing one GT HEM furnace, which successfully displayed the proven capabilities of the equipment. GT Solar's HEM furnaces currently produce nearly one-third of the world's polycrystalline cells. The HEM furnaces' output, combined with the output of other silicon growth furnaces built by GT, yield close to 50% of the world's polycrystalline silicon material production of the solar industry.
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GT Solar Silicon Generating Technology Implemented in Germany
Nashua, New Hampshire, USA. — June 10, 2002
Technology developed by GT Solar, a leading photovoltaic (PV) OEM equipment manufacturer, is the key component of a joint venture between two German companies.
The technology, developed in partnership with SolarWorld AG, is an effort to end the chronic shortage of silicon feedstock for solar cell production.
Silicon, the vital, raw material of the PV industry has been historically supplied as a relatively expensive byproduct from the electronics industry. With the continued growth of the solar industry, demand is beginning to outweigh supply. GT Solar innovated a new method of generating the much needed material.
Developed last year, GT Solar's technology is an advanced method of deriving silicon from silan gas. With this technology, silan gas, which consists of silicon and hydrogen, is decomposed in tube-type reactors. The silicon from the silan is precipitated on the walls of silicon tubes. That material can them be used in a variety of molten cell manufacturing technologies including GT Solar's HEM Furnace.
The recently announced joint venture, between Degussa AG and SolarWorld AG will make use of this technology. Degussa will produce the silan gas, which is not readily available, while SolarWorld will produce the raw silicon material from the gas using GT Solar's previously licensed technology.
"We are pleased that SolarWorld in conjunction with Degussa is taking advantage of this technology to address the supply of feedstock," said Kedar Gupta, President and CEO of GT Equipment Technologies, GT Solar's parent company. "Use of this technology will help ensure the unfettered growth of the solar PV industry."
"GT Solar has proven their ability to tackle a difficult, technical problem in a creative and resourceful way," said Boris Klebensberger, COO or SolarWorld. "This new technology will make the production of solar silicon substantially more efficient and cost-effective, eventually driving down costs in all segments of the PV industry."
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Products: Custom Equipment
EFG Growth Furnace
Polysilicon Growth, Continuous Feed High Efficiency
Photo courtesy of Schott Solar
The Edge-Defined Film-Fed Growth Technique is another extremely efficient method to produce polycrystalline silicon for the solar cell production. From the molten silicon, hollow, multi-sided tube is grown to a length of more than 20 feet (6 m). The wall thickness of the tube is about 0.3 mm. Square shaped wafers are laser-cut from the tube for solar cell production. Polysilicon material is fed continuously into the crucible to replace silicon that has been solidified to form the tube. The tube is pulled through a die and an argon gas barrier directly into the atmosphere resulting in high efficiency growth. GT Solar builds these pullers exclusively for a customer who is a leading manufacturer of solar cells.
This equipment was custom designed and manufactured by GT solely for its customers' use, and is not commercialized for resale.
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01.12.2005
SolarWorld will Silizium sparen
Mit zwei niederländischen Partnern will der Konzern eine neue Wafertechnologie umsetzen, die den Rohstoffeinsatz optimiert.
(SolarWorld , 22.11.2005) – Die SolarWorld AG verstärkt ihre Aktivitäten für den effizienten Einsatz des Rohstoffs Silizium in der Solarproduktion. Die Freiberger Konzerntochter Deutsche Solar AG wird zusammen mit zwei niederländischen Partnern eine eigen entwickelte, innovative und Material sparende Technologie zur Gewinnung von Solarwafern aus Silizium umsetzen. Solarwafer sind das Vorprodukt zur Herstellung von Solarzellen. Dazu hat die Deutsche Solar AG, einer der international größten Hersteller von Solarsiliziumwafern, mit dem niederländischen Forschungsinstitut ECN (Energy Research Center of the Netherlands) und der Investmentgesellschaft Sunergy Investco die RGS Development BV mit Sitz in den Niederlanden gegründet. Das Jointventure wird bis Anfang 2007 eine Pilotanlage zur Produktion der innovativen und Ressourcen sparenden Siliziumwafer aufbauen.
Innovatives RGS-Verfahren reduziert Siliziumbedarf auf 60 Prozent
"Bei dem von uns entwickelten Ribbon-Growth-on-Substrate (RGS)-Verfahren geht es darum, die Solarwafer als Folien durch das Aufbringen von Silizium auf ein Trägermaterial zu gewinnen und damit das heute gängige aufwändige Sägen von Siliziumblöcken zu vermeiden", erläutert Prof. Dr. Peter Woditsch, Vorstandssprecher der Deutsche Solar AG, die neue Technologie. "Wir erwarten, dass sich durch den industriellen Einsatz der RGS-Technologie der Siliziumbedarf auf 60 Prozent reduzieren lässt. Das kann zusammen mit dem Abbau weiterer Produktionskosten zu nennenswerten Kosteneinsparungen in der Waferproduktion führen." Mit dem RGS-Prozess können Wafer außerdem schneller produziert werden als bisher. "In die Entwicklung dieses neuen Verfahrens sind mehrere Jahre der intensiven Forschung geflossen", sagt Prof. Woditsch weiter. Die Patente für diese zukunftsweisende Technologie sind durch die Deutsche Solar AG "exklusiv" in die RGS Development BV eingebracht worden.
Diversifizierung der Rohstoffaktivitäten
Das Investment in das neue Unternehmen ist Teil der Konzernstrategie, die Rohstoffversorgung und -verwendung nachhaltig und rational zu organisieren. Neben dem externen Einkauf sorgt das interne Recycling fuer einen wichtigen Beitrag zum konzerneigenen Rohstoffbedarf. Eine Vielzahl von Maßnahmen entlang der gesamten solaren Produktionskette dienen ferner dem sparsamen Rohstoffeinsatz und der Erhöhung der Ausbeuten.
Quelle: SolarWorld AG
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GT Equipment Technologies ist ein vielseitiges Unternehmen nicht nur bei Silizium, sondern auch als Ausrüster für PV-Solartechnik. Neben Maschinen zur Herstellung von Ingots, Wafer etc. wird im "Kundenauftrag" für Schott Solar auch die erforderliche Technik für das Ribbon-Growth-on-Substrate (RGS) Verfahren gebaut. Nach Aussage von GT Solar ist das JSSI Silizium für "verschiedene" Techniken zur Solarzellenproduktionen aus der "Silizumschmelze" geeignet, wie das bei der RGS der Fall ist. Eine interessante Aussage von der GT Solar Homepage. Die Pilotanlage bei RGS sollte schon Anfang 2007 fertig sein, erstes JSSI Silizium wurde bereits produziert und zu (RGS?) Zellen verarbeitet. Ab 2008 wird JSSI dann 850 to Silizium im Jahr herstellen.
S2, bossi
PS: Bei GT Solar ist ein 200 Mio. USD Börsengang geplant.
GT Equipment Technologies, Inc. ...
GT Equipment Technologies, Inc. licenses groundbreaking silicon feedstock production technology to SolarWorld AG
Nashua, New Hampshire, USA — November 28, 2001
GT Equipment Technologies, Inc. (GTi) and their photovoltaic equipment division, GT Solar Technologies, of Nashua, NH, license a new groundbreaking feedstock production technology to SolarWorld AG.
Frank Asbeck, CEO of SolarWorld, announced the Joint Venture at the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition in Munich. GTi's innovative technique is an integral part of a project, initiated by Deutsche Solar, a subsidiary of SolarWorld AG, to put an end to the chronic shortage of silicon feedstock for solar cell production.
"We are very pleased to help overcome a major problem of the photovoltaic industry," says Kedar Gupta, President and CEO of GTi. "Everybody is talking about problems with the supply of feedstock and little has been done to solve that problem. We look forward to working with our new partner and to actively contribute to the commercial success of the photovoltaic industry."
Kedar Gupta further states: "Development research for this project was partly funded by an SBIR project from the National Science Foundation. The new advanced technology incorporates a unique method of depositing silicon on hot walls of silicon tubes or other shapes. This process is inherently energy efficient and extremely cost effective compared to the current methods."
GTi is a leading manufacturing and technology company offering a variety of semiconductor and photovoltaic equipment. For more information visit the company's website at www.gtequipment.com. GT Solar provides turnkey solutions to photovoltaic manufacturers worldwide. These include the GTs-WAFFAB™, GTs-CELFAB™, and GTs-MODFAB™ wafer, cell and module turnkey manufacturing lines. In the three years since its inception, GT Solar has become one of the largest suppliers of manufacturing equipment to the PV industry by developing new solutions that reduce the cost of PV manufacturing. For more information on GT Solar, visit the company's website at www.gtsolar.com.
SolarWorld AG is a fast growing German company dedicated to manufacture and market photovoltaic products worldwide by integrating all components of the solar value chain, from feedstock to module production, from trade with solar panels to the construction of solar power plants. For more information on SolarWorld AG visit the company's website at www.solarworld.de.
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GT Solar Delivers HEM Furnaces to Deutsche Solar
Nashua, New Hampshire, USA. — April 29, 2002
GT Solar Technologies, a leading manufacturer of photovoltaic (PV) wafer, cell and module manufacturing equipment, will deliver multiple units of its GT-MX225 HEM furnace to SolarWorld AG subsidiary, Deutsche Solar. The value of the contract is in excess of $6 million.
The HEM furnaces will be installed at Deutsche Solar's Freiberg, Germany facility as part of the company's ongoing growth. The HEM (Heat Exchanger Method) is a crystal growth process for growing multicrystalline silicon ingots, which are further manufactured to produce electricity-producing solar cells, a key high growth product in the solar energy industry now growing over 35% annually.
"It required only a couple of growth runs to put the HEM furnace into full operational mode after installation." said Dr. Armin Mueller, Head of Production Crystallization and Research & Development at Deutsche Solar. "From then on we produced ingots that fully met our specifications."
"Our systems are proven and come on line quickly," explained Keith Matthei, Vice President of GT Solar. "Our experience in manufacturing PV equipment initially attracts customers like Deutsche Solar. They quickly develop confidence in the HEM manufacturing process and that enables them to move on to focus on other critical business issues."
Deutsche Solar chose GT Solar's HEM furnaces after comprehensively testing one GT HEM furnace, which successfully displayed the proven capabilities of the equipment. GT Solar's HEM furnaces currently produce nearly one-third of the world's polycrystalline cells. The HEM furnaces' output, combined with the output of other silicon growth furnaces built by GT, yield close to 50% of the world's polycrystalline silicon material production of the solar industry.
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GT Solar Silicon Generating Technology Implemented in Germany
Nashua, New Hampshire, USA. — June 10, 2002
Technology developed by GT Solar, a leading photovoltaic (PV) OEM equipment manufacturer, is the key component of a joint venture between two German companies.
The technology, developed in partnership with SolarWorld AG, is an effort to end the chronic shortage of silicon feedstock for solar cell production.
Silicon, the vital, raw material of the PV industry has been historically supplied as a relatively expensive byproduct from the electronics industry. With the continued growth of the solar industry, demand is beginning to outweigh supply. GT Solar innovated a new method of generating the much needed material.
Developed last year, GT Solar's technology is an advanced method of deriving silicon from silan gas. With this technology, silan gas, which consists of silicon and hydrogen, is decomposed in tube-type reactors. The silicon from the silan is precipitated on the walls of silicon tubes. That material can them be used in a variety of molten cell manufacturing technologies including GT Solar's HEM Furnace.
The recently announced joint venture, between Degussa AG and SolarWorld AG will make use of this technology. Degussa will produce the silan gas, which is not readily available, while SolarWorld will produce the raw silicon material from the gas using GT Solar's previously licensed technology.
"We are pleased that SolarWorld in conjunction with Degussa is taking advantage of this technology to address the supply of feedstock," said Kedar Gupta, President and CEO of GT Equipment Technologies, GT Solar's parent company. "Use of this technology will help ensure the unfettered growth of the solar PV industry."
"GT Solar has proven their ability to tackle a difficult, technical problem in a creative and resourceful way," said Boris Klebensberger, COO or SolarWorld. "This new technology will make the production of solar silicon substantially more efficient and cost-effective, eventually driving down costs in all segments of the PV industry."
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Products: Custom Equipment
EFG Growth Furnace
Polysilicon Growth, Continuous Feed High Efficiency
Photo courtesy of Schott Solar
The Edge-Defined Film-Fed Growth Technique is another extremely efficient method to produce polycrystalline silicon for the solar cell production. From the molten silicon, hollow, multi-sided tube is grown to a length of more than 20 feet (6 m). The wall thickness of the tube is about 0.3 mm. Square shaped wafers are laser-cut from the tube for solar cell production. Polysilicon material is fed continuously into the crucible to replace silicon that has been solidified to form the tube. The tube is pulled through a die and an argon gas barrier directly into the atmosphere resulting in high efficiency growth. GT Solar builds these pullers exclusively for a customer who is a leading manufacturer of solar cells.
This equipment was custom designed and manufactured by GT solely for its customers' use, and is not commercialized for resale.
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01.12.2005
SolarWorld will Silizium sparen
Mit zwei niederländischen Partnern will der Konzern eine neue Wafertechnologie umsetzen, die den Rohstoffeinsatz optimiert.
(SolarWorld , 22.11.2005) – Die SolarWorld AG verstärkt ihre Aktivitäten für den effizienten Einsatz des Rohstoffs Silizium in der Solarproduktion. Die Freiberger Konzerntochter Deutsche Solar AG wird zusammen mit zwei niederländischen Partnern eine eigen entwickelte, innovative und Material sparende Technologie zur Gewinnung von Solarwafern aus Silizium umsetzen. Solarwafer sind das Vorprodukt zur Herstellung von Solarzellen. Dazu hat die Deutsche Solar AG, einer der international größten Hersteller von Solarsiliziumwafern, mit dem niederländischen Forschungsinstitut ECN (Energy Research Center of the Netherlands) und der Investmentgesellschaft Sunergy Investco die RGS Development BV mit Sitz in den Niederlanden gegründet. Das Jointventure wird bis Anfang 2007 eine Pilotanlage zur Produktion der innovativen und Ressourcen sparenden Siliziumwafer aufbauen.
Innovatives RGS-Verfahren reduziert Siliziumbedarf auf 60 Prozent
"Bei dem von uns entwickelten Ribbon-Growth-on-Substrate (RGS)-Verfahren geht es darum, die Solarwafer als Folien durch das Aufbringen von Silizium auf ein Trägermaterial zu gewinnen und damit das heute gängige aufwändige Sägen von Siliziumblöcken zu vermeiden", erläutert Prof. Dr. Peter Woditsch, Vorstandssprecher der Deutsche Solar AG, die neue Technologie. "Wir erwarten, dass sich durch den industriellen Einsatz der RGS-Technologie der Siliziumbedarf auf 60 Prozent reduzieren lässt. Das kann zusammen mit dem Abbau weiterer Produktionskosten zu nennenswerten Kosteneinsparungen in der Waferproduktion führen." Mit dem RGS-Prozess können Wafer außerdem schneller produziert werden als bisher. "In die Entwicklung dieses neuen Verfahrens sind mehrere Jahre der intensiven Forschung geflossen", sagt Prof. Woditsch weiter. Die Patente für diese zukunftsweisende Technologie sind durch die Deutsche Solar AG "exklusiv" in die RGS Development BV eingebracht worden.
Diversifizierung der Rohstoffaktivitäten
Das Investment in das neue Unternehmen ist Teil der Konzernstrategie, die Rohstoffversorgung und -verwendung nachhaltig und rational zu organisieren. Neben dem externen Einkauf sorgt das interne Recycling fuer einen wichtigen Beitrag zum konzerneigenen Rohstoffbedarf. Eine Vielzahl von Maßnahmen entlang der gesamten solaren Produktionskette dienen ferner dem sparsamen Rohstoffeinsatz und der Erhöhung der Ausbeuten.
Quelle: SolarWorld AG
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GT Equipment Technologies ist ein vielseitiges Unternehmen nicht nur bei Silizium, sondern auch als Ausrüster für PV-Solartechnik. Neben Maschinen zur Herstellung von Ingots, Wafer etc. wird im "Kundenauftrag" für Schott Solar auch die erforderliche Technik für das Ribbon-Growth-on-Substrate (RGS) Verfahren gebaut. Nach Aussage von GT Solar ist das JSSI Silizium für "verschiedene" Techniken zur Solarzellenproduktionen aus der "Silizumschmelze" geeignet, wie das bei der RGS der Fall ist. Eine interessante Aussage von der GT Solar Homepage. Die Pilotanlage bei RGS sollte schon Anfang 2007 fertig sein, erstes JSSI Silizium wurde bereits produziert und zu (RGS?) Zellen verarbeitet. Ab 2008 wird JSSI dann 850 to Silizium im Jahr herstellen.
S2, bossi
PS: Bei GT Solar ist ein 200 Mio. USD Börsengang geplant.
Antwort auf Beitrag Nr.: 32.888.719 von bossi1 am 28.12.07 16:15:18.
GT Equipment Technologies, Inc. ...
GT Equipment Technologies, Inc. licenses groundbreaking silicon feedstock production technology to SolarWorld AG
Nashua, New Hampshire, USA — November 28, 2001
GT Equipment Technologies, Inc. (GTi) and their photovoltaic equipment division, GT Solar Technologies, of Nashua, NH, license a new groundbreaking feedstock production technology to SolarWorld AG.
Frank Asbeck, CEO of SolarWorld, announced the Joint Venture at the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition in Munich. GTi's innovative technique is an integral part of a project, initiated by Deutsche Solar, a subsidiary of SolarWorld AG, to put an end to the chronic shortage of silicon feedstock for solar cell production.
"We are very pleased to help overcome a major problem of the photovoltaic industry," says Kedar Gupta, President and CEO of GTi. "Everybody is talking about problems with the supply of feedstock and little has been done to solve that problem. We look forward to working with our new partner and to actively contribute to the commercial success of the photovoltaic industry."
Kedar Gupta further states: "Development research for this project was partly funded by an SBIR project from the National Science Foundation. The new advanced technology incorporates a unique method of depositing silicon on hot walls of silicon tubes or other shapes. This process is inherently energy efficient and extremely cost effective compared to the current methods."
GTi is a leading manufacturing and technology company offering a variety of semiconductor and photovoltaic equipment. For more information visit the company's website at www.gtequipment.com. GT Solar provides turnkey solutions to photovoltaic manufacturers worldwide. These include the GTs-WAFFAB™, GTs-CELFAB™, and GTs-MODFAB™ wafer, cell and module turnkey manufacturing lines. In the three years since its inception, GT Solar has become one of the largest suppliers of manufacturing equipment to the PV industry by developing new solutions that reduce the cost of PV manufacturing. For more information on GT Solar, visit the company's website at www.gtsolar.com.
SolarWorld AG is a fast growing German company dedicated to manufacture and market photovoltaic products worldwide by integrating all components of the solar value chain, from feedstock to module production, from trade with solar panels to the construction of solar power plants. For more information on SolarWorld AG visit the company's website at www.solarworld.de.
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GT Solar Delivers HEM Furnaces to Deutsche Solar
Nashua, New Hampshire, USA. — April 29, 2002
GT Solar Technologies, a leading manufacturer of photovoltaic (PV) wafer, cell and module manufacturing equipment, will deliver multiple units of its GT-MX225 HEM furnace to SolarWorld AG subsidiary, Deutsche Solar. The value of the contract is in excess of $6 million.
The HEM furnaces will be installed at Deutsche Solar's Freiberg, Germany facility as part of the company's ongoing growth. The HEM (Heat Exchanger Method) is a crystal growth process for growing multicrystalline silicon ingots, which are further manufactured to produce electricity-producing solar cells, a key high growth product in the solar energy industry now growing over 35% annually.
"It required only a couple of growth runs to put the HEM furnace into full operational mode after installation." said Dr. Armin Mueller, Head of Production Crystallization and Research & Development at Deutsche Solar. "From then on we produced ingots that fully met our specifications."
"Our systems are proven and come on line quickly," explained Keith Matthei, Vice President of GT Solar. "Our experience in manufacturing PV equipment initially attracts customers like Deutsche Solar. They quickly develop confidence in the HEM manufacturing process and that enables them to move on to focus on other critical business issues."
Deutsche Solar chose GT Solar's HEM furnaces after comprehensively testing one GT HEM furnace, which successfully displayed the proven capabilities of the equipment. GT Solar's HEM furnaces currently produce nearly one-third of the world's polycrystalline cells. The HEM furnaces' output, combined with the output of other silicon growth furnaces built by GT, yield close to 50% of the world's polycrystalline silicon material production of the solar industry.
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GT Solar Silicon Generating Technology Implemented in Germany
Nashua, New Hampshire, USA. — June 10, 2002
Technology developed by GT Solar, a leading photovoltaic (PV) OEM equipment manufacturer, is the key component of a joint venture between two German companies.
The technology, developed in partnership with SolarWorld AG, is an effort to end the chronic shortage of silicon feedstock for solar cell production.
Silicon, the vital, raw material of the PV industry has been historically supplied as a relatively expensive byproduct from the electronics industry. With the continued growth of the solar industry, demand is beginning to outweigh supply. GT Solar innovated a new method of generating the much needed material.
Developed last year, GT Solar's technology is an advanced method of deriving silicon from silan gas. With this technology, silan gas, which consists of silicon and hydrogen, is decomposed in tube-type reactors. The silicon from the silan is precipitated on the walls of silicon tubes. That material can them be used in a variety of molten cell manufacturing technologies including GT Solar's HEM Furnace.
The recently announced joint venture, between Degussa AG and SolarWorld AG will make use of this technology. Degussa will produce the silan gas, which is not readily available, while SolarWorld will produce the raw silicon material from the gas using GT Solar's previously licensed technology.
"We are pleased that SolarWorld in conjunction with Degussa is taking advantage of this technology to address the supply of feedstock," said Kedar Gupta, President and CEO of GT Equipment Technologies, GT Solar's parent company. "Use of this technology will help ensure the unfettered growth of the solar PV industry."
"GT Solar has proven their ability to tackle a difficult, technical problem in a creative and resourceful way," said Boris Klebensberger, COO or SolarWorld. "This new technology will make the production of solar silicon substantially more efficient and cost-effective, eventually driving down costs in all segments of the PV industry."
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Products: Custom Equipment
EFG Growth Furnace
Polysilicon Growth, Continuous Feed High Efficiency
Photo courtesy of Schott Solar
The Edge-Defined Film-Fed Growth Technique is another extremely efficient method to produce polycrystalline silicon for the solar cell production. From the molten silicon, hollow, multi-sided tube is grown to a length of more than 20 feet (6 m). The wall thickness of the tube is about 0.3 mm. Square shaped wafers are laser-cut from the tube for solar cell production. Polysilicon material is fed continuously into the crucible to replace silicon that has been solidified to form the tube. The tube is pulled through a die and an argon gas barrier directly into the atmosphere resulting in high efficiency growth. GT Solar builds these pullers exclusively for a customer who is a leading manufacturer of solar cells.
This equipment was custom designed and manufactured by GT solely for its customers' use, and is not commercialized for resale.
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01.12.2005
SolarWorld will Silizium sparen
Mit zwei niederländischen Partnern will der Konzern eine neue Wafertechnologie umsetzen, die den Rohstoffeinsatz optimiert.
(SolarWorld , 22.11.2005) – Die SolarWorld AG verstärkt ihre Aktivitäten für den effizienten Einsatz des Rohstoffs Silizium in der Solarproduktion. Die Freiberger Konzerntochter Deutsche Solar AG wird zusammen mit zwei niederländischen Partnern eine eigen entwickelte, innovative und Material sparende Technologie zur Gewinnung von Solarwafern aus Silizium umsetzen. Solarwafer sind das Vorprodukt zur Herstellung von Solarzellen. Dazu hat die Deutsche Solar AG, einer der international größten Hersteller von Solarsiliziumwafern, mit dem niederländischen Forschungsinstitut ECN (Energy Research Center of the Netherlands) und der Investmentgesellschaft Sunergy Investco die RGS Development BV mit Sitz in den Niederlanden gegründet. Das Jointventure wird bis Anfang 2007 eine Pilotanlage zur Produktion der innovativen und Ressourcen sparenden Siliziumwafer aufbauen.
Innovatives RGS-Verfahren reduziert Siliziumbedarf auf 60 Prozent
"Bei dem von uns entwickelten Ribbon-Growth-on-Substrate (RGS)-Verfahren geht es darum, die Solarwafer als Folien durch das Aufbringen von Silizium auf ein Trägermaterial zu gewinnen und damit das heute gängige aufwändige Sägen von Siliziumblöcken zu vermeiden", erläutert Prof. Dr. Peter Woditsch, Vorstandssprecher der Deutsche Solar AG, die neue Technologie. "Wir erwarten, dass sich durch den industriellen Einsatz der RGS-Technologie der Siliziumbedarf auf 60 Prozent reduzieren lässt. Das kann zusammen mit dem Abbau weiterer Produktionskosten zu nennenswerten Kosteneinsparungen in der Waferproduktion führen." Mit dem RGS-Prozess können Wafer außerdem schneller produziert werden als bisher. "In die Entwicklung dieses neuen Verfahrens sind mehrere Jahre der intensiven Forschung geflossen", sagt Prof. Woditsch weiter. Die Patente für diese zukunftsweisende Technologie sind durch die Deutsche Solar AG "exklusiv" in die RGS Development BV eingebracht worden.
Diversifizierung der Rohstoffaktivitäten
Das Investment in das neue Unternehmen ist Teil der Konzernstrategie, die Rohstoffversorgung und -verwendung nachhaltig und rational zu organisieren. Neben dem externen Einkauf sorgt das interne Recycling fuer einen wichtigen Beitrag zum konzerneigenen Rohstoffbedarf. Eine Vielzahl von Maßnahmen entlang der gesamten solaren Produktionskette dienen ferner dem sparsamen Rohstoffeinsatz und der Erhöhung der Ausbeuten.
Quelle: SolarWorld AG
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GT Equipment Technologies ist ein vielseitiges Unternehmen nicht nur bei Silizium, sondern auch als Ausrüster für PV-Solartechnik. Neben Maschinen zur Herstellung von Ingots, Wafer etc. wird im "Kundenauftrag" für Schott Solar auch die erforderliche Technik für das Ribbon-Growth-on-Substrate (RGS) Verfahren gebaut. Nach Aussage von GT Solar ist das JSSI Silizium für "verschiedene" Techniken zur Solarzellenproduktionen aus der "Silizumschmelze" geeignet, wie das bei der RGS der Fall ist. Eine interessante Aussage von der GT Solar Homepage. Die Pilotanlage bei RGS sollte schon Anfang 2007 fertig sein, erstes JSSI Silizium wurde bereits produziert und zu (RGS?) Zellen verarbeitet. Ab 2008 wird JSSI dann 850 to Silizium im Jahr herstellen.
S2, bossi
PS: Bei GT Solar ist ein 200 Mio. USD Börsengang geplant.
GT Equipment Technologies, Inc. ...
GT Equipment Technologies, Inc. licenses groundbreaking silicon feedstock production technology to SolarWorld AG
Nashua, New Hampshire, USA — November 28, 2001
GT Equipment Technologies, Inc. (GTi) and their photovoltaic equipment division, GT Solar Technologies, of Nashua, NH, license a new groundbreaking feedstock production technology to SolarWorld AG.
Frank Asbeck, CEO of SolarWorld, announced the Joint Venture at the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition in Munich. GTi's innovative technique is an integral part of a project, initiated by Deutsche Solar, a subsidiary of SolarWorld AG, to put an end to the chronic shortage of silicon feedstock for solar cell production.
"We are very pleased to help overcome a major problem of the photovoltaic industry," says Kedar Gupta, President and CEO of GTi. "Everybody is talking about problems with the supply of feedstock and little has been done to solve that problem. We look forward to working with our new partner and to actively contribute to the commercial success of the photovoltaic industry."
Kedar Gupta further states: "Development research for this project was partly funded by an SBIR project from the National Science Foundation. The new advanced technology incorporates a unique method of depositing silicon on hot walls of silicon tubes or other shapes. This process is inherently energy efficient and extremely cost effective compared to the current methods."
GTi is a leading manufacturing and technology company offering a variety of semiconductor and photovoltaic equipment. For more information visit the company's website at www.gtequipment.com. GT Solar provides turnkey solutions to photovoltaic manufacturers worldwide. These include the GTs-WAFFAB™, GTs-CELFAB™, and GTs-MODFAB™ wafer, cell and module turnkey manufacturing lines. In the three years since its inception, GT Solar has become one of the largest suppliers of manufacturing equipment to the PV industry by developing new solutions that reduce the cost of PV manufacturing. For more information on GT Solar, visit the company's website at www.gtsolar.com.
SolarWorld AG is a fast growing German company dedicated to manufacture and market photovoltaic products worldwide by integrating all components of the solar value chain, from feedstock to module production, from trade with solar panels to the construction of solar power plants. For more information on SolarWorld AG visit the company's website at www.solarworld.de.
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GT Solar Delivers HEM Furnaces to Deutsche Solar
Nashua, New Hampshire, USA. — April 29, 2002
GT Solar Technologies, a leading manufacturer of photovoltaic (PV) wafer, cell and module manufacturing equipment, will deliver multiple units of its GT-MX225 HEM furnace to SolarWorld AG subsidiary, Deutsche Solar. The value of the contract is in excess of $6 million.
The HEM furnaces will be installed at Deutsche Solar's Freiberg, Germany facility as part of the company's ongoing growth. The HEM (Heat Exchanger Method) is a crystal growth process for growing multicrystalline silicon ingots, which are further manufactured to produce electricity-producing solar cells, a key high growth product in the solar energy industry now growing over 35% annually.
"It required only a couple of growth runs to put the HEM furnace into full operational mode after installation." said Dr. Armin Mueller, Head of Production Crystallization and Research & Development at Deutsche Solar. "From then on we produced ingots that fully met our specifications."
"Our systems are proven and come on line quickly," explained Keith Matthei, Vice President of GT Solar. "Our experience in manufacturing PV equipment initially attracts customers like Deutsche Solar. They quickly develop confidence in the HEM manufacturing process and that enables them to move on to focus on other critical business issues."
Deutsche Solar chose GT Solar's HEM furnaces after comprehensively testing one GT HEM furnace, which successfully displayed the proven capabilities of the equipment. GT Solar's HEM furnaces currently produce nearly one-third of the world's polycrystalline cells. The HEM furnaces' output, combined with the output of other silicon growth furnaces built by GT, yield close to 50% of the world's polycrystalline silicon material production of the solar industry.
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GT Solar Silicon Generating Technology Implemented in Germany
Nashua, New Hampshire, USA. — June 10, 2002
Technology developed by GT Solar, a leading photovoltaic (PV) OEM equipment manufacturer, is the key component of a joint venture between two German companies.
The technology, developed in partnership with SolarWorld AG, is an effort to end the chronic shortage of silicon feedstock for solar cell production.
Silicon, the vital, raw material of the PV industry has been historically supplied as a relatively expensive byproduct from the electronics industry. With the continued growth of the solar industry, demand is beginning to outweigh supply. GT Solar innovated a new method of generating the much needed material.
Developed last year, GT Solar's technology is an advanced method of deriving silicon from silan gas. With this technology, silan gas, which consists of silicon and hydrogen, is decomposed in tube-type reactors. The silicon from the silan is precipitated on the walls of silicon tubes. That material can them be used in a variety of molten cell manufacturing technologies including GT Solar's HEM Furnace.
The recently announced joint venture, between Degussa AG and SolarWorld AG will make use of this technology. Degussa will produce the silan gas, which is not readily available, while SolarWorld will produce the raw silicon material from the gas using GT Solar's previously licensed technology.
"We are pleased that SolarWorld in conjunction with Degussa is taking advantage of this technology to address the supply of feedstock," said Kedar Gupta, President and CEO of GT Equipment Technologies, GT Solar's parent company. "Use of this technology will help ensure the unfettered growth of the solar PV industry."
"GT Solar has proven their ability to tackle a difficult, technical problem in a creative and resourceful way," said Boris Klebensberger, COO or SolarWorld. "This new technology will make the production of solar silicon substantially more efficient and cost-effective, eventually driving down costs in all segments of the PV industry."
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Products: Custom Equipment
EFG Growth Furnace
Polysilicon Growth, Continuous Feed High Efficiency
Photo courtesy of Schott Solar
The Edge-Defined Film-Fed Growth Technique is another extremely efficient method to produce polycrystalline silicon for the solar cell production. From the molten silicon, hollow, multi-sided tube is grown to a length of more than 20 feet (6 m). The wall thickness of the tube is about 0.3 mm. Square shaped wafers are laser-cut from the tube for solar cell production. Polysilicon material is fed continuously into the crucible to replace silicon that has been solidified to form the tube. The tube is pulled through a die and an argon gas barrier directly into the atmosphere resulting in high efficiency growth. GT Solar builds these pullers exclusively for a customer who is a leading manufacturer of solar cells.
This equipment was custom designed and manufactured by GT solely for its customers' use, and is not commercialized for resale.
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01.12.2005
SolarWorld will Silizium sparen
Mit zwei niederländischen Partnern will der Konzern eine neue Wafertechnologie umsetzen, die den Rohstoffeinsatz optimiert.
(SolarWorld , 22.11.2005) – Die SolarWorld AG verstärkt ihre Aktivitäten für den effizienten Einsatz des Rohstoffs Silizium in der Solarproduktion. Die Freiberger Konzerntochter Deutsche Solar AG wird zusammen mit zwei niederländischen Partnern eine eigen entwickelte, innovative und Material sparende Technologie zur Gewinnung von Solarwafern aus Silizium umsetzen. Solarwafer sind das Vorprodukt zur Herstellung von Solarzellen. Dazu hat die Deutsche Solar AG, einer der international größten Hersteller von Solarsiliziumwafern, mit dem niederländischen Forschungsinstitut ECN (Energy Research Center of the Netherlands) und der Investmentgesellschaft Sunergy Investco die RGS Development BV mit Sitz in den Niederlanden gegründet. Das Jointventure wird bis Anfang 2007 eine Pilotanlage zur Produktion der innovativen und Ressourcen sparenden Siliziumwafer aufbauen.
Innovatives RGS-Verfahren reduziert Siliziumbedarf auf 60 Prozent
"Bei dem von uns entwickelten Ribbon-Growth-on-Substrate (RGS)-Verfahren geht es darum, die Solarwafer als Folien durch das Aufbringen von Silizium auf ein Trägermaterial zu gewinnen und damit das heute gängige aufwändige Sägen von Siliziumblöcken zu vermeiden", erläutert Prof. Dr. Peter Woditsch, Vorstandssprecher der Deutsche Solar AG, die neue Technologie. "Wir erwarten, dass sich durch den industriellen Einsatz der RGS-Technologie der Siliziumbedarf auf 60 Prozent reduzieren lässt. Das kann zusammen mit dem Abbau weiterer Produktionskosten zu nennenswerten Kosteneinsparungen in der Waferproduktion führen." Mit dem RGS-Prozess können Wafer außerdem schneller produziert werden als bisher. "In die Entwicklung dieses neuen Verfahrens sind mehrere Jahre der intensiven Forschung geflossen", sagt Prof. Woditsch weiter. Die Patente für diese zukunftsweisende Technologie sind durch die Deutsche Solar AG "exklusiv" in die RGS Development BV eingebracht worden.
Diversifizierung der Rohstoffaktivitäten
Das Investment in das neue Unternehmen ist Teil der Konzernstrategie, die Rohstoffversorgung und -verwendung nachhaltig und rational zu organisieren. Neben dem externen Einkauf sorgt das interne Recycling fuer einen wichtigen Beitrag zum konzerneigenen Rohstoffbedarf. Eine Vielzahl von Maßnahmen entlang der gesamten solaren Produktionskette dienen ferner dem sparsamen Rohstoffeinsatz und der Erhöhung der Ausbeuten.
Quelle: SolarWorld AG
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GT Equipment Technologies ist ein vielseitiges Unternehmen nicht nur bei Silizium, sondern auch als Ausrüster für PV-Solartechnik. Neben Maschinen zur Herstellung von Ingots, Wafer etc. wird im "Kundenauftrag" für Schott Solar auch die erforderliche Technik für das Ribbon-Growth-on-Substrate (RGS) Verfahren gebaut. Nach Aussage von GT Solar ist das JSSI Silizium für "verschiedene" Techniken zur Solarzellenproduktionen aus der "Silizumschmelze" geeignet, wie das bei der RGS der Fall ist. Eine interessante Aussage von der GT Solar Homepage. Die Pilotanlage bei RGS sollte schon Anfang 2007 fertig sein, erstes JSSI Silizium wurde bereits produziert und zu (RGS?) Zellen verarbeitet. Ab 2008 wird JSSI dann 850 to Silizium im Jahr herstellen.
S2, bossi
PS: Bei GT Solar ist ein 200 Mio. USD Börsengang geplant.
Antwort auf Beitrag Nr.: 32.888.719 von bossi1 am 28.12.07 16:15:18Hi bossi1,
sehr schöne chronologische Zusammenfassung der Siliziumaktivitäten btgl. Degussa/GTi! Meinen Respekt!
Die letzten Wochen ließ ich meine Börsenaktivitäten eher ruhen, genauso, wie Jahresanfang. Ich bin positioniert und nun heißt es abwarten.
Dein Zitat "Solarworld will sich Anfang 2008 zur Silizium Versorgung äußern ... ist die unterschwellige Hoffnung, die auch ich hege, daß Solarworld nicht "nur" mit einer weiteren Expansion des JSSI "daherkommt"
Wombel_III
sehr schöne chronologische Zusammenfassung der Siliziumaktivitäten btgl. Degussa/GTi! Meinen Respekt!
Die letzten Wochen ließ ich meine Börsenaktivitäten eher ruhen, genauso, wie Jahresanfang. Ich bin positioniert und nun heißt es abwarten.
Dein Zitat "Solarworld will sich Anfang 2008 zur Silizium Versorgung äußern ... ist die unterschwellige Hoffnung, die auch ich hege, daß Solarworld nicht "nur" mit einer weiteren Expansion des JSSI "daherkommt"
Wombel_III
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