ROHM und Toshiba vereinbaren Kooperation bei der Herstellung von Leistungshalbleitern

Ein Plan von ROHM Co., Ltd. (“ROHM”) und der Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba Electronic Devices & Storage”) zur Kooperation bei der Herstellung von Leistungshalbleitern und zur Erhöhung des Produktionsvolumens wurde jetzt vom japanischen Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie (MITI) als Beitrag zu dem von der japanischen Regierung angestrebten Ziel einer sicheren und stabilen Versorgung mit Halbleitern anerkannt und wird vom MITI gefördert. ROHM und Toshiba Electronic Devices & Storage werden jeweils erhebliche Investitionen in Siliziumkarbid- (SiC-) und Silizium- (Si-) Leistungsbauelemente tätigen, ihre Lieferkapazitäten deutlich steigern und die Produktionskapazitäten der jeweils anderen Partei ergänzend nutzen.

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Leistungshalbleiter sind unverzichtbare Komponenten für Stromversorgungen und deren Management in elektronischen Geräten aller Art und damit letztlich für das Erreichen einer kohlenstofffreien, kohlenstoffneutralen Gesellschaft. Die derzeitige Nachfrage dürfte weiter zunehmen. In Automobilanwendungen ist die Entwicklung von kompakteren und leichteren elektrischen Antriebssträngen mit höherem Wirkungsgrad parallel zur schnellen Elektrifizierung von Fahrzeugen bereits weit fortgeschritten. In Industrieanwendungen sind eine stabile Versorgung mit Leistungshalbleitern und verbesserte Eigenschaften dieser Bauelemente wichtige Voraussetzungen für eine zunehmende Automatisierung und erhöhte Wirkungsgradanforderungen.

Vor diesem Hintergrund hat ROHM eine Management-Vision formuliert: “Wir konzentrieren uns auf Leistungs- und Analoglösungen und lösen gesellschaftliche Probleme dadurch, dass wir einen Beitrag zu den Anforderungen unserer Kunden in Bezug auf Energieeinsparungen und die Miniaturisierung ihrer Produkte leisten.” Das Unternehmen intensiviert seine Bemühungen um eine kohlenstofffreie Zukunft. Seit der weltweit ersten Massenproduktion von SiC-MOSFETs hat ROHM laufend neue, branchenführende Technologien entwickelt. Dazu gehören die neuesten SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM, die in zahlreichen Elektrofahrzeugen und Industrieanlagen zur Anwendung kommen werden. Eines der von ROHM priorisierten Projekte ist der SiC-Geschäftsbereich, in den aggressiv und kontinuierlich investiert wird, um die Produktionskapazität von SiC-Bauelementen zu erhöhen und die stark wachsende Nachfrage zu decken.