checkAd

     105  0 Kommentare Transphorm erweitert seine Präsenz mit GaN-Anwendungslabor in China - Seite 2

    Wie bereits erwähnt, wird Kenny das neue Labor als General Manager für China leiten. Er bringt mehr als 25 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie mit, davon mehr als ein Jahrzehnt bei Transphorm, wo er den Vertrieb in der APAC-Region leitete. Ihm und seinem Team in Asien ist es zu verdanken, dass Transphorm zahlreiche Kundenbeziehungen in verschiedenen Märkten wie Power Adapters, Rechenzentren, Gaming, Blockchain Computing und erneuerbare Energien aufbauen konnte. Zuvor war Kenny in Vertriebspositionen bei den globalen Halbleiterunternehmen Cree Inc. (jetzt Wolfspeed) und International Rectifier vor deren Übernahme durch Infineon tätig.

    Primit Parikh, Mitbegründer und Präsident von Transphorm, sagte zu Kennys neuer Rolle: „Kennys Beiträge in den letzten zehn Jahren bei Transphorm haben entscheidend zur Akzeptanz durch unsere Kunden bis heute beigetragen. Seine Bemühungen in Asien, insbesondere in China, haben es uns ermöglicht, Pionierarbeit bei der Einführung von GaN im gesamten Leistungsspektrum zu leisten, von der niedrigen bis zur hohen Leistung, einschließlich wichtiger patentierter Lösungen wie dem Totem-Pole-PFC und einer Vielzahl anderer Leistungstopologien.“

    Das neue Büro ist voll funktionsfähig und bedient bereits unseren breiten Kundenstamm in China.

    Über Transphorm

    Transphorm, Inc. ist ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution und entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungsstromwandleranwendungen. Transphorm verfügt über eines der größten Power-GaN-IP-Portfolios mit mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten und produziert die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovationen in jeder Entwicklungsphase: Design, Fertigung, Bauelemente und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und ermöglichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 40 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @Transphorm_GaN.

    Seite 2 von 3



    Business Wire (dt.)
    0 Follower
    Autor folgen

    Verfasst von Business Wire (dt.)
    Transphorm erweitert seine Präsenz mit GaN-Anwendungslabor in China - Seite 2 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) — ein Pionier und weltweiter Anbieter von hochzuverlässigen und leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Energieumwandlungsprodukten — gab die Eröffnung eines neuen Büros in Shenzhen, China, bekannt. Als …