VisIC Technologies kooperiert mit TSMC, um die fortschrittlichsten 1200 V-GaN-basierten Stromversorgungslösungen der Branche anzubieten - Seite 2

Das Hochspannungs-GaN-Modul bietet reduzierte Gate-Ladungen und Kapazitäten mit niedrigem RDS(on). Die Schaltenergie für das GaN-Gerät beträgt daher nur 140 µJ. Die Schaltverluste sind deshalb drei- bis fünfmal geringer als bei vergleichbaren Siliziumkarbid-MOSFETs.

Mit dem 1200 V-GaN-Modul von VisIC können Entwickler die Systemgröße ohne Leistungseinbußen erheblich reduzieren und ultrakleine EV-Ladegeräte für Elektroautos oder hocheffiziente Motorantriebe für industrielle Anwendungen herstellen.

Laut dem Marktforschungs- und Strategieberatungsunternehmen Yole Développement (Yole) wird der Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte für das Jahr 2022 auf über 332,5 Mio. US-Dollar geschätzt (Quelle: GaN Power Epitaxy, Devices, Applications and Technology Trends report, Yole Développement, November 2017), basierend auf Produkten, die für 650 V Sperrspannung und darunter ausgelegt sind. Das neue Produkt von VisIC eröffnet den Zugang zu einem größeren Markt von Elementen mit 1200 V Sperrspannung, die derzeit von Silizium-IGBT- und Siliziumkarbid-MOSFET-Modulen bedient werden.

"Wir freuen uns sehr über die Partnerschaft mit VisIC, einem interessanten Neueinsteiger in den schnell wachsenden GaN-Energiemarkt", sagte Maria Marced, Präsidentin von TSMC EMEA. "Wir haben in großem Umfang Kapital und Technik in unsere GaN-Fertigungskapazitäten investiert. Dadurch ist diese Plattform sehr gut dafür geeignet, VisIC und deren Kundenanforderungen zu unterstützen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit VisIC, um die Einführung dieser neuen Plattform zu fördern."

Zusätzlich zu den USV- und xEV-Ladegeräten ermöglicht die 1200 V-GaN-Technologie eine breite Palette von Anwendungen für Wechselrichter, die Hochstromanforderungen im Bereich von Hunderten von Ampere haben. Diese Hochstromanwendungen erfordern eine hochvolumige GaN-Fertigungskapazität, die TSMC zur Verfügung stellt.

"GaN hat bessere fundamentale physikalische Eigenschaften als Silizium oder SiC, wie beispielsweise bei der maximalen Durchschlagfeldstärke und Stromdichte. Es gibt keine grundsätzlichen Einschränkungen für GaN-Produkte im Hochspannungs-Hochstromraum", sagt Gregory Bunin, CTO bei VisIC. "Dank dieser Fertigungspartnerschaft kann VisIC die Kapazität sehr schnell erhöhen. Ich bin stolz auf die Partnerschaft mit TSMC. Sie sind hervorragende, erstklassige Lieferkettenpartner, und ich bin zuversichtlich, dass sie die drastischen Wachstumserwartungen, die wir an unsere GaN-Stromversorgungsgeräte haben, unterstützen können."