Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen / Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern - Seite 2

Er fügt hinzu: "Dabei decken wir künftig im Bereich der Hochleistungsbauelemente auch die Wertschöpfungsstufe der Epi-Wafer-Produktion ab. Für diesen wichtigen Meilenstein wissen wir mit AIXTRON den richtigen Partner an Nexperias Seite."

Seit Jahrzenten arbeitet AIXTRON mit führenden Instituten und Industriepartnern weltweit an der Nutzung der Vorteile neuer Verbindungshalbleiter-Materialklassen wie SiC und GaN für die Leistungselektronik und erschließt mit neuesten Produktionstechnologien auch die Nutzung von 200mm-Wafern.

Der Planetary Reactor(R) der neuesten Generation von AIXTRON ist speziell auf die sehr hohen Anforderungen der SiC-Leistungselektronik zugeschnitten. Die Anlage sichert die notwendige exzellente Qualität der Epitaxie-Schichten auf den Wafern und wurde deshalb von Marktführern im Bereich Siliziumkarbid für die Fertigung von SiC-Bauelementen qualifiziert.

SiC-Leistungselektronik für die Anwendungen der Zukunft

"Nexperia positioniert sich zum richtigen Zeitpunkt in einem der spannendsten Wachstumsmärkte in der Halbleiterindustrie. Wir freuen uns, dass sich Nexperia für uns als Partner bei diesem wichtigen strategischen Schritt in einen neuen Zukunftsmarkt entschieden hat. Die Leistungseigenschaften der Materialklassen Siliziumkarbid und Galliumnitrid bieten mit ihrem hohen Wirkungsgrad ein höchst attraktives Potenzial für Energieeinsparung, Wärmereduzierung, Gewichts- und Anlagengrößenreduzierung und damit geringere Gesamtsystemkosten", sagt Dr. Felix Grawert, Vorsitzender des Vorstands von AIXTRON SE.

"SiC- und GaN-Halbleiter bieten im Vergleich zu konventioneller Leistungselektronik auf Basis von Silizium-Wafern eine höhere Energieeffizienz in der Anwendung und tragen dadurch erheblich zu einem geringeren CO₂-Ausstoß bei. Die Eigenschaften der Materialien prädestinieren sie insbesondere für die Anwendungen in Elektrofahrzeugen und deren Ladestationen, Rechenzentren oder im Bereich der Erneuerbaren Energien wie Solar- und Windkraftanlagen", fügt Dr. Felix Grawert hinzu.

Zu Beginn des Jahres hatte Nexperia bereits begonnen, sowohl in die Erweiterung seiner Produktionskapazitäten als auch in Forschung und Entwicklung weltweit umfangreich zu investieren. Im Rahmen der globalen Wachstumsstrategie sind für Europa in diesem Jahr u.a. Effizienzsteigerungen bei der Produktion und die Implementierung neuer 200mm-Technologien in den europäischen Wafer-Fabriken in Hamburg, Manchester und Newport geplant. In Hamburg investiert das Unternehmen in neue Technologien für die Erweiterung seines "Wide-Band-Gap"-SiC-Leistungsbauelemente-Angebots.