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Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen / Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern


DGAP-Media / 02.12.2021 / 16:40

Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen

Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern / AIX G5 WW C-System erfüllt hohe Qualitätsansprüche der SiC-Leistungselektronik

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Herzogenrath, 2. Dezember 2021 - Der Experte für Halbleiterbauelemente Nexperia setzt beim Einstieg in den Markt für Hochleistungs-SiC-Bauelemente auf die Produktionstechnologie von AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6). Für die Serienproduktion der Siliziumkarbid-Epi-Wafer für SiC-Leistungsbauelemente benötigt Nexperia eine auch bei hohen Stückzahlen gleichbleibend exzellente Qualität der Epi-Wafer. Gleichzeitig können die Kosten in der Fertigung der SiC-Bauelemente durch den hohen Durchsatz reduziert werden.

Als einer der führenden Experten auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen plant Nexperia nach dem Eintritt in den SiC-Dioden-Markt die kontinuierliche Erweiterung seines Portfolios an Siliziumkarbid-Bauteilen. AIXTRON, einer der führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, erfüllt mit der vollautomatischen AIX G5 WW C-Plattform die hohen Qualitätsansprüche an die Siliziumkarbid-Wafer für die Leistungselektronik.

Die AIX G5 WW C - Die Referenz für die SiC-Materialherstellungstechnologie

"Wide-Band-Gap-Halbleiter wie Galliumnitrid und Siliziumkarbid verfügen über einzigartige physikalische Eigenschaften. Sie ermöglichen eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei niedrigeren System- und Betriebskosten. Auch die SiC-Technologie ist jetzt so weit fortgeschritten, dass sie die strengen Anforderungen bei der Massenproduktion von Bauelementen für moderne Konsum- und Industriegüter erfüllt. Deshalb ist jetzt die Zeit reif für unseren nächsten strategischen Schritt, die Erweiterung unseres Portfolios um Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von Siliziumkarbid", sagt Mark Roeloffzen, General Manager der Bipolar Discretes Group bei Nexperia.

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Nachrichtenquelle: EQS Group AG
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