Supermicro liefert den 1-HE-All-Flash-Speicherserver mit weltweit bester Leistung, Kapazität und dem besten End-to-End-Durchsatz, der mit dem Samsung NF1 NVMe Speicher optimiert ist

1-HE-Server mit mehr als einem halben Petabyte Flash-Speicher bietet über zehn Millionen IOPS an Leistung und ist damit die ideale Lösung für IOPS-intensive und Low-Latency-Anwendungen, Datenverarbeitung und hyper-konvergente Infrastruktur (HCI)

SAN JOSE, Kalifornien, 5. September 2018 /PRNewswire/ -- Super Micro Computer, Inc. (NASDAQ: SMCI), ein weltweit führender Anbieter von Computing-, Speicher-, Netzwerk- und Green-Computing-Lösungen, gab heute die Markteinführung eines neuen All-Flash NVMe™ (Non-Volatile Memory Express)-Speicherservers bekannt, der für die Unterstützung der neuen NF1-Formfaktor-SSDs von Samsung optimiert wurde.

Der neue Speicherserver SSG-1029P-NMR36L von Supermicro kann mit nur einer Rack-Einheit bis zu 576 TB All-Flash-Speicher über 36 frontseitige Hot-Swap-NF1-Formfaktor-Laufwerksschächte unterbringen. Der Samsung NF1-Formfaktor (früher bekannt als NGSFF und manchmal auch als M.3) wurde speziell für hochleistungsfähige Netzwerkspeicheranwendungen entwickelt, die die beste Latenzzeitleistung erfordern. Das optimierte Leistungsprofil der voll hot-swap-fähigen NF1-Geräte ermöglicht die Reservierung von mehr Rechenleistung für die Ansteuerung von IO mit der schnellsten CPU und dem schnellsten verfügbaren Arbeitsspeicher.

„Bei Supermicro bieten wir unseren Kunden stets einen frühzeitigen Zugang zu den neuesten und besten Technologien", sagte Charles Liang, Präsident und CEO von Supermicro. „Unser 1-HE-NF1-Speicherserver verfügt über die energieeffizienteste Flash-Technologie der nächsten Generation mit der höchsten Speicherdichte und der besten IOPS-Leistung. Dies bietet einen Wettbewerbsvorteil in Echtzeit für Benutzer mit datenintensiven Workloads wie Big Data, autonomes Fahren, KI- und HPC-Anwendungen."

„Wir freuen uns, die neue Lösung von Supermicro mit unserer neuen NF1 NVMe SSD-Lösung für 288 TB bis 576 TB pro System zu unterstützen, mit der Entscheidungsträger im Rechenzentrum die höchste Investitionseffizienz in ihren 1-HE-Systemen erleben können", sagte Kyoung Hwan Han, Vizepräsident der Abteilung NAND Marketing bei Samsung Electronics. „Wir erschließen weiterhin neue Anwendungsmärkte wie Rechenzentren und Unternehmenssysteme der nächsten Generation, indem wir Speicherlösungen mit beispiellosen Leistungs- und Dichtevorteilen anbieten.