Bel Power Solutions und Transphorm kündigen eine Produktfamilie von „Titanium Efficiency“-AC-DC-Netzteilen an

Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN) – ein Pionier und Lieferant im Bereich der hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Stromversorgungsprodukte – und Bel Power Solutions, ein Unternehmen der Bel-Gruppe (NASDAQ: BELFA und BELFB), gaben heute bekannt, dass sechs der „Titanium Efficiency“-Netzteile von Bel die Hochspannungs-GaN-FETs von Transphorm verwenden. Diese Nachricht deutet auf den wachsenden Trend hin, leistungsstarke Wide-Bandgap-Netzteile (PSUs) in Servern, Routern und Netzwerk-Switches von Rechenzentren einzusetzen.

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Transphorm's high voltage GaN devices are used in six of Bel Power's AC to DC TET Series power supplies, enabling Titanium efficiency power conversion for data centers. (Graphic: Business Wire)

Die sechs GaN-basierten Netzteile der TET-Serie sind AC-DC-Front-End-Netzteile. Sie umfassen die TET3000-Serie, die branchenweit ersten AC-DC-Netzteile mit Titanium-Effizienz, bei denen GaN in der brückenfreien AC-DC-Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur-Endstufe (Power Factor Correction, PFC) verwendet wird – ein Produkt, das inzwischen unter Verwendung desselben Schaltkreises mit Firmware-Verbesserungen zur TET3200-Serie modifiziert wurde, um dem Kundeninteresse an einer höheren Ausgangsleistung gerecht zu werden. Die verbleibenden vier TET-Serien haben eine Leistung von 1,5 bis 2,5 kW und sind in standardmäßigen 1U- oder CRPS-Rackmount-Formfaktoren untergebracht. Die gesamte Familie liefert einen Wirkungsgrad von mehr als 96 Prozent bei hoher Leistung und einem Hauptausgang von 12 VDC, was den Netzteilen eine „80 Plus Titanium“-Bewertung einbrachte.

GaN: Revolutionierung der Stromversorgung im Rechenzentrum

Galliumnitrid-Leistungswandler bieten in Leistungsanwendungen grundlegende Vorteile im Vergleich zu Silizium (Si). Insbesondere erhöhen die GaN-FETs von Transphorm nachweislich den Wirkungsgrad der AC-DC-PFC-Stufe auf über 99 Prozent, wodurch die Leistungsdichte (mehr Leistung im gleichen Formfaktor) erhöht und gleichzeitig die Gesamtsystemkosten gesenkt werden – und das alles mit einer veröffentlichten Feldzuverlässigkeit von < 1,0 FIT.