Silanna Semiconductor und Transphorm entwickeln erstklassiges Referenzdesign für 65W-USB-C-PD-GaN-Adapter

Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)—ein Vorreiter und weltweiter Lieferant für hochzuverlässige, leistungsstarke Galliumnitrid (GaN)-Leistungswandlerprodukte—und Silanna Semiconductor, der führende Anbieter im Bereich Leistungsdichte, haben heute ein erstklassiges GaN-Stromadapter-Referenzdesign angekündigt. Die Lösung ist ein Open-Frame-USB-C-Power-Delivery (PD)-Ladegerät mit 65 W, das die SuperGaN-Gen IV-Plattform von Transphorm mit dem proprietären „Active Clamp Flyback (ACF)“-PWM-Regler von Silanna Semiconductor kombiniert. Diese Technologien ergeben zusammen einen beispiellosen Spitzenwirkungsgrad von 94,5 Prozent mit einer Leistungsdichte von 30W/in³. Diese Leistungswerte übertreffen die derzeit verfügbaren konkurrierenden Lösungen mit Silizium-Superjunction-MOSFETs oder E-Mode-GaN-Transistoren und setzen darüber hinaus einen kleineren GaN-FET von Transphorm ein. Das universelle GaN-Adapterdesign von Silanna Semiconductor und Transphorm eignet sich ideal für die Stromversorgung von Laptops, Tablets, Smartphones und anderen IoT-Geräten.

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The new 65W USB-C PD GaN adapter reference design from Silanna Semiconductor and Transphorm delivers groundbreaking power density and efficiency for various electronic devices. (Photo: Business Wire)

Erstklassige Technologien für erstklassige Leistung

Das neue Referenzdesign basiert auf fortschrittlichen Technologien sowohl von Transphorm als auch von Silanna Semiconductor. Der SuperGaN-FET ist der TP65H300G4LSG von Transphorm, ein Bauelement mit 650 V und 240 mΩ in einem PQFN88-Gehäuse nach Industriestandard. Er nutzt die SuperGaN-Gen-IV-Plattform, die fortschrittliche Epi- und patentierte Design-Technologien zur Leistungssteigerung einsetzt. Der robuste GaN-FET verfügt zudem über die hohe, für Transphorm-Bauteile typische Zuverlässigkeit, einschließlich der branchenweit besten Gatestabilität. Und im Gegensatz zu E-Mode-Geräten sind keine externen Schutzschaltungen wie zusätzliche Bias-Schienen oder Pegelverschieber erforderlich—dies ist ein Vorteil, der zu einer höheren Effizienz führt. Zusammengenommen erhöhen diese und andere Merkmale die Gesamtleistungsdichte des Adaptersystems weiter und reduzieren die BoM-Kosten.