Infineon

Jointventure mit Winbond

Wie auf der Hauptversammlung angekündigt, hat Infineon in den vergangenen Wochen Gespräche mit dem taiwanesischen DRAM-Hersteller Nanya Technology über eine Kooperation geführt. Jetzt melden beide Unternehmen die Unterzeichnung eines Memorandum of Understanding. Im Rahmen des Abkommens werden die beiden Chip-Hersteller ab Oktober gemeinsam Fertigungstechnologien für 90 und 70 Nanometer Geometrien auf 300mm-Wafern am Infineon-Standort Dresden entwickeln und sich die Entwicklungskosten teilen.

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Zudem soll ein Jointventure für die Fertigung von DRAM-Chips gegründet werden. Das je zur Hälfte im Besitz der Partner befindlichen Unternehmen soll ein Werk für 300mm-Wafer in Taiwan bauen, das in der ersten Ausbaustufe bis zum zweiten Halbjahr 2004 eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Waferstarts hat. Die Pilotproduktion soll bereits Ende 2003 starten. Sitz des Jointventures wird Taoyuen (Taiwan) sein, nahe der jetzigen Fertigung von Nanya. Die Transaktion bedarf noch der Zustimmung durch die Kartellbehörden.

„Nanya ist ein idealer Partner für uns, denn wir arbeiten auf gleicher technologischer Basis, “ erläutert Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender von Infineon. Technologie- und Kostenführerschaft könnten durch den Schritt weiter ausgebaut werden. „Unsere Kooperation mit Infineon ist ein wichtiger Schritt, um die Kräfte der beiden Unternehmen bei der Entwicklung und Fertigung von DRAM-Chips in Trench-Technologie zu bündeln", kommentiert Dr. Jih Lien, Präsident von Nanya Technology.

Infineon hat Ende vergangenen Jahres die Volumenproduktion von 300mm-Wafern in Dresden aufgenommen. Die Deutschen sind dabei die weltweit Ersten im DRAM-Segment, die diese kostensparende Technologie in der Massenproduktion einsetzen. Die weitere Verkleinerung der Strukturen erlaubt eine höhere Produktionsmenge je Arbeitsgang und reduziert gleichzeitig die Kosten.

Das Fertigungs-Jointventure in Taoyuen wird in den internationalen Verbund von DRAM-Fertigungsstandorten von Infineon in Dresden, Richmond (Virginia, USA) und ProMOS Technologies, dem Jointventure mit Mosel Vitelic im taiwanesischen Hsinchu integriert. Das gewährleistet an allen Standorten gleich hohe Qualität und durch den ständigen Erfahrungsaustausch eine zügige Optimierung der Fertigungstechnologie.

Der Schritt ist mittelfristig positiv zu werten. Er sichert die hervorragende technologische Stellung der DRAM-Sparte von Infineon. Mit der Vereinbarung erweitert Infineon außerdem das Standing in Taiwan. In den vergangenen Wochen waren bereits entsprechende Schritte mit Winbond und Promos in die Wege geleitet worden 270170.