Infineon

Mit 300mm Wafern technologisch weit vorne

Der Halbleiterkonzern Infineon wird seine zweite Fertigung von 300mm Wafern im taiwanesischen ProMOS-Jointventure in wenigen Monaten hochfahren. Im Dezember erst hat das Unternehmen eine vergleichbare Linie in Dresden in Betrieb genommen. ProMOS ist eine exakte Kopie des Dresdener Werkes.

Nach Überzeugung des Infineon- Vorstandsvorsitzenden Ulrich Schumacher bringt diese zweifache Fertigung von 300mm Wafern sein Unternehmen gegenüber Konkurrenten weit nach vorne. So werde z.B. Samsung Electronics erst im vierten Quartal 2002 mit der Produktion der großen Siliziumscheiben beginnen.

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Mit einem Durchmesser von 300mm lassen sich in einem Arbeitsgang mehr als doppelt so viele, Die genannte Siliziumplättchen herstellen, die nach ihrer weiteren Verarbeitung und Verpackung Chips genannt werden. Bisher waren 200mm große Wafer gebräuchlich.

Dennoch verneint Schumacher, dass der größere Ausstoß das weltweite Überangebot genau dann wieder ausweitet, wenn allgemein ein Markt-Gleichgewicht erwartet wird. „Der Effekt der 300mm Wafer erhöht lediglich unseren Marktanteil um 2 Prozent. Das hat aber keinen großen Einfluss auf das weltweite Angebot an DRAM-Chips, “ sagte er.

Die neue 300mm-Fertigung soll anfangs nur ein paar Tausend Wafer im Monat auswerfen. Ende 2002 sollen es dann aber 17.000 werden. Wenn die Produktionskapazität voll genutzt wird, sind 26.000 Wafer pro Monat möglich. Der Aufbau der Produktion in Dresden sei mit einem Investitionsvolumen von 1,2 Mrd. Dollar günstiger ausgefallen als geplant, der Zeitplan habe eingehalten werden können, außerdem habe es keine größeren Probleme bei der Inbetriebnahme gegeben.

Infineon bestreitet Aussagen von -Chef Steve Appleton, dass rohe 300mm Wafer mit 600 Dollar relativ zu 200mm großen Siliziumscheiben deutlich teurer sind. Außerdem rechne man mit einem starken Rückgang der Preise, wenn erst einmal die Volumen-Nachfrage einsetzt. Die Fertigung in Dresden ist ab 4.000 300mm Wafern pro Woche günstiger als mit der 200mm Technologie. Bei Vollauslastung wird das Ziel einer Kostenreduktion um 30 Prozent erreicht. Die verwendete Geometrie ist aktuell 140 Nanometer. Ende 2002 will man auf 110 Nanometer große Stukturen umstellen. Damit lässt sich der Ausstoss noch einmal um rund 30 Prozent steigern.

Schumacher hält die Marktbedingungen bei DRAMs wegen der „aggressiven Preispolitik“ einiger führender Hersteller auch weiterhin für schwierig. Trotz Reduktion der Lagerbestände zum Ende des dritten Quartals, erwartet die Nummer vier auf dem Weltmarkt für DRAMs auch noch im ersten Quartal 2002 anhaltenden Preisdruck.

Der japanische Anbieter von Speicherprodukten führt offenbar Gespräche über den Verkauf seiner Fertigungsstätte in Manassas, Virginia. Einem Bericht von Electronic Buyers' News zufolge ist Micron an der Übernahme interessiert. Toshiba und Infineon handeln zur Zeit ein Jointventure aus, das die DRAM-Herstellung beider Partner aufnehmen soll. Infineon besitzt bereits eine Produktion in Virginia, die Toshiba-Fabrik steht daher zur Disposition. Toshiba fertigt in Manassas neben DRAMs auch Flash-Speicher, die allerdings in Japan konzentriert werden sollen.