Technischer Durchbruch für zukünftige Massenproduktion von OLEDs - 500 Beiträge pro Seite

[axtus]

DJ DGAP-Ad hoc: Aixtron AG : Ad-hoc-Meldung nach..§15 WpHG / sostiges

Ad-hoc-Meldung nach §15 WpHG

sostiges

Aixtron AG: AIXTRON OVPD(R)-Technologie von führendem OLED-Hersteller

Ad-hoc-Mitteilung übermittelt durch die DGAP.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent verantwortlich.
------------------------------------------------------------------------------

AIXTRON OVPD(R)-Technologie von führendem OLED-Hersteller RiTdisplay Corp.

qualifiziert

-- Technischer Durchbruch für zukünftige Massenproduktion von
organischen
Leuchtdioden (OLEDs) --

Aachen / Hsin-Chu (Taiwan), 7. November 2005 - AIXTRON AG (FSE: AIX, ISIN
DE0005066203; NASDAQ: AIXG), ein führender Anbieter von
Depositions-Anlagen
für die Halbleiter-Industrie, gab heute bekannt, dass RiTdisplay
Corporation,
der führende Hersteller von OLED-Displays, die Abnahme der ersten AIXTRON
Gen2
OVPD(R)-Anlage für die Massenproduktion von OLEDs (organische
Leuchtdioden)
unterzeichnet hat.

Nach Einschätzung des Unternehmens ist die Qualifizierung der AIXTRON
Gen2-
Produktionsanlage ein technischer Durchbruch für die OVPD(R)-Technologie,
da
diese möglicherweise die herkömmlichen OLED-Herstellungsverfahren wie
z. B.
Vacuum Thermal Evaporation (VTE) ersetzen wird.

Die Engineering-Teams von RiTdisplay und AIXTRON konnten die OVPD(R)-
Technologie gemeinsam für die Produktion von OLED-Bauelementen für
Farbdisplay-Anwendungen qualifizieren. Die während des Beta-Test
hergestellten
OLED-Bauelemente zeigten bessere Leistungscharakteristika als jene Displays,
die mit herkömmlicher Technologie (VTE) hergestellt wurden.

OVPD(R) basiert auf dem Prinzip des Gasphasentransportes und der
patentgeschützten Close Coupled Showerhead (CCS)-Technologie von AIXTRON
und
hat gegenüber der herkömmlichen Vacuum Thermal Evaporation
(VTE)-Technologie
wesentliche Vorteile: die präzise Kontrolle von Abscheidungsraten, eine
dauerhafte Prozessstabilität und reproduzierbarkeit, ein hoher Durchsatz
aufgrund hoher Abscheidungsraten, eine hohe Ausbeute aufgrund einer
hervorragenden Homogenität, niedrige Wartungs- und Betriebskosten aufgrund

einer äußerst effizienten Materialausnutzung etc. Darüber hinaus
ermöglicht
der Gasphasenprozess die Realisierung weiter entwickelter Bauelementstrukturen
wie z.B. Schichten mit Konzentrationsgradienten.

Die OVPD(R)-Technologie wurde exklusiv von Universal Display Corporation
(UDC), Ewing, N.J./USA, an AIXTRON zum Bau von Anlagen lizensiert. Sie basiert
auf einer Erfindung von Professor Stephen R. Forrest et. al. an der Princeton
University, USA, die wiederrum exklusiv an UDC lizenziert wurde. AIXTRON und
UDC haben gemeinsam einen OVPD(R)-Prototypen zur OLED-Herstellung entwickelt
und qualifiziert.

AIXTRON AG
Kackertstr. 15-17
52072 Aachen
Deutschland

ISIN: DE0005066203 (TecDAX)
WKN: 506620
Notiert: Geregelter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in
Berlin-Bremen, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München und Stuttgart

Ende der Ad-hoc-Mitteilung (c)DGAP 07.11.2005

[axtus]

vorbörslich:

AIXTRON AG AKTIEN O.N.

Letzter Kurs 2,535 EUR
Bid 2,5 EUR
Ask 2,57 EUR
Datum/Uhrzeit 08:25:27 CET - 07 NOV 2005
WKN 506620
ISIN DE0005066203