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DRAM-Entwicklungs- und Fertigungsallianz von Infineon und Nanya perfekt

Ad-hoc-Mitteilung übermittelt durch die DGAP.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent verantwortlich.
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DRAM-Kooperation von Infineon und Nanya perfekt: Fertigungs-Joint Venture
gegruendet und gemeinsame Technologieentwicklung vereinbart

Muenchen/Taoyuen, 13. November 2002 - Infineon Technologies (FSE/NYSE: IFX),
Muenchen, und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben
endgueltige Vertraege ueber die strategische Zusammenarbeit bei Standard-
Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet. Damit koennen beide Partner ihre
Marktposition fuer Speicherchips ausbauen und die Entwicklungskosten teilen. Der
Vertrag sieht vor, die zukunftsweisenden 0,09-Mikrometer und 0,07-Mikrometer-
Fertigungstechnologien fuer 300-mm-Wafer gemeinsam zu entwickeln. Im Rahmen des
Abkommens haben die Unternehmen zudem ein 50:50-Joint Venture fuer die Fertigung
von DRAM-Chips gegruendet und bauen ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in
Taiwan. In diesem wird dann auch die gemeinsam entwickelte Fertigungstechnik
eingesetzt. Die maximale Kapazitaet der Produktion wird im Endausbau monatlich
bis zu 50.000 Waferstarts betragen, wobei die ersten 300-mm-Wafer bereits Ende
2003 gefertigt werden.

Das neue 300-mm-Halbleiterwerk wird - abhaengig von dem Wachstum und der
Entwicklung des weltweiten Halbleitermarktes - in zwei Stufen errichtet. Im
zweiten Halbjahr 2004 soll das Werk in der ersten Ausbaustufe zunaechst eine
Kapazitaet von monatlich rund 20.000 Waferstarts erzielen und bis Mitte 2006
soll die Produktion in der zweiten Ausbaustufe auf eine Kapazitaet von rund
50.000 Waferstarts pro Monat erweitert werden. Damit ist das neue Halbleiterwerk
eines der groessten der Welt. Das Investitionsvolumen fuer die naechsten drei
Jahre betraegt insgesamt rund 2,2 Milliarden Euro. Fuer die gesamten
Investitionen in die innovative Speicherfertigung werden Infineon und Nanya bis
2005 jeweils 550 Millionen Euro einbringen, wobei der Hauptteil zum Hochlauf der
Fertigung im Jahr 2004 und 2005 anfaellt.

Ende der Ad-hoc-Mitteilung (c)DGAP 13.11.2002

Informationen und Erläuterungen des Emittenten zu dieser Ad-hoc-Mitteilung:

Bei maximaler Auslastung des Werks werden bis zu 1.300 Arbeitsplaetze in Taiwan
geschaffen. Sitz des Joint Ventures wird Taoyuen/Taiwan in der Naehe der
jetzigen Fertigung von Nanya sein. Vorbehaltlich der Zustimmung durch die
Kartellbehoerden wird das Gemeinschaftsunternehmen zum 2. Dezember 2002 seine
Geschaeftstaetigkeit aufnehmen.

"Mit dieser strategischen Partnerschaft in der Wachstumsregion Asien setzen wir
unsere Offensive im Weltmarkt fuer Speicherprodukte erfolgreich fort und bauen
unsere Position unter den drei weltweit besten Halbleiterherstellern weiter
aus", erlaeuterte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender der Infineon
Technologies AG. "Durch die kosteneffiziente Erhoehung der
Produktionskapazitaeten gewinnen wir neue Marktanteile hinzu und bauen damit
unseren weltweiten Marktanteil bei Speicherchips zielstrebig auf ueber 20
Prozent aus."

"Durch die Partnerschaft buendeln wir unsere Staerken. Damit kann Nanya sein
Ziel erreichen, zu den weltweit fuehrenden Halbleiterzulieferern zu gehoeren",
kommentierte Dr. Jih Lien, Praesident von Nanya Technologies. "Wir glauben, dass
Nanya mit der zusaetzlichen Kapazitaet zum viertgroessten DRAM-Hersteller mit
einem zweistelligen Marktanteil aufsteigen wird."

Die am Infineon-Standort Dresden zusammen entwickelte neue Fertigungstechnik
wird in den beiden Unternehmen und auch im neuen Joint Venture eingesetzt.
Weiterhin ist eine gemeinsame Entwicklung von Leitprodukten in 0,09-Mikrometer-
und 0,07-Mikrometer-Technik in Muenchen vorgesehen. In die Entwicklungsprojekte
bringen Infineon und Nanya zusammen mehr als 120 Mitarbeiter ein. Erste
Speicherprodukte auf 300-mm-Wafern und in dem neuen 0,09-Mikrometer-Prozess
werden Ende 2003 vom Band laufen. Zudem ist vorgesehen, die 0,09-Mikrometer-
Fertigungstechnik auch fuer 200-mm-Wafer einzusetzen. Infineon schafft bereits
die ersten technischen Voraussetzungen fuer die 0,09-Mikrometer-
Fertigungstechnik und hat beispielsweise in diesem November erste Demonstratoren
mit neuem Zelldesign und neuen Materialien gefertigt.

Die gemeinsame Entwicklung der kuenftigen Fertigungstechnik erfolgt auf Basis
der hochentwickelten DRAM-Trench-Technologie fuer 300-mm-Wafer von Infineon, die
das Unternehmen an Nanya lizenziert. In Kombination mit der hervorragenden
Flaecheneffizienz und der hohen Kapazitaet der Trench-Technologie bringt der
Wechsel zu den kleineren 0,09-Mikrometer- und 0,07-Mikrometer-Strukturen beim
Chipaufbau kuenftig einen weiteren Produktivitaetsschub in der Fertigung.

Das neue Gemeinschaftsunternehmen in Taoyuen wird in den internationalen Verbund
der DRAM-Fertigungsstandorte von Infineon eingegliedert. Die globale Vernetzung
der Speicherfabriken von Infineon sichert weltweit an allen Standorten gleich
hohe Qualitaetsstandards sowie einen staendigen Erfahrungsaustausch.

Ueber Nanya

Die Nanya Technology Corporation (NTC) wurde am 4. Maerz 1995 gegruendet. NTC
beschaeftigt sich mit Forschung und Entwicklung, Design, Fertigung und Vertrieb
von Halbleiter-Produkten. Als Vorstandsvorsitzender leitet Y.C. Wang die Firma,
deren groesster Aktionaer die Nanya Plastics Corporation (Formosa Plastic Group)
ist. NTC begann 1996 mit der Halbleiterproduktion und eroeffnete 1997 sein
nordamerikanisches Buero in San Jose, Kalifornien. Seit 1997 bietet die Firma
ihre Foundry-Dienstleistungen an. Weitere Informationen ueber Nanya Technology
sind unter Tel. [phone] oder http://www.nanya.com erhaeltlich. Der NTC-
Hauptsitz in Taiwan ist unter Tel. [phone] oder http://www.ntc.com
erreichbar.

Ueber Infineon

Infineon Technologies AG, Muenchen, bietet Halbleiter- und Systemloesungen fuer
die Automobil- und Industrieelektronik, fuer Anwendungen in der drahtgebundenen
Kommunikation, sichere Mobilfunk-Loesungen sowie Speicherbauelemente. Infineon
ist weltweit taetig und steuert seine Aktivitaeten in den USA aus San Jose,
Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio.
Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschaeftsjahr 2002
(Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist
in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol "IFX" notiert.

Weitere Informationen unter http://www.infineon.com

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WKN: 623100; ISIN: DE0006231004; Index: DAX
Notiert: Amtlicher Markt in Frankfurt; Freiverkehr in Berlin, Bremen,
Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart; NYSE

130800 Nov 02

[Calini]

Klingt doch mehr als positiv, bei dem niedrigen Kurs kann es eigentlich nur nach oben gehen