Infineon: Starke Stellung in Fernost - 500 Beiträge pro Seite | Diskussion im Forum

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Nach vier Monate andauernden Gesprächen haben sich Infineon und Nanya Technology wie bereits gemeldet darauf verständigt, gemeinsam Technologien für die Produktion von Chip-Geometrien mit 90 und 70 Nanometern zu entwickeln und eine Fabrik für 300mm-Wafer zu bauen. Jetzt wurden weitere Einzelheiten bekannt.

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Beide Parteien werden sich die jährlichen Entwicklungskosten teilen, die auf bis zu 320 Mio. Euro taxiert werden. Nanya wird Forscher nach Dresden entsenden, wo sich die 300mm-Wafer-Fertigungslinie von Infineon befindet. Gleichzeitig erhalten die Taiwanesen eine Lizenz der 90-Nanometer-Trench-Technologie von Infineon, die sie in bestehenden 200mm-Wafer-Fertigungslinien nutzen werden.

Mit dem Bau des gemeinsamen neuen Werkes will Nanya im Juli beginnen. Wenn das Jointventure im Oktober gegründet ist, werden die Arbeiten unter dem neuen Dach fortgesetzt. Eingeweihten Quellen zufolge wird das 50:50-Unternehmen unter operativer Leitung von Nanya-Mitarbeitern stehen. Die Kapazität soll in der zweiten Jahreshälfte 2004 auf 20.000 Waferstarts pro Monat kommen, kann aber auf bis zu 40.000 hoch gefahren werden. Das Werk wird insgesamt etwa 2 Mrd. Dollar kosten. Nanya wird sein diesjähriges Investitionsbudget auf rund 300 Mio. Dollar anheben. 175 Mio. Dollar werden zur Modernisierung älterer DRAM-Linien bereit gestellt. Der Rest ist für das neue Werk vorgesehen. Zur Kapitalbeschaffung wird Nanya neue GDRs begeben.

Gestern haben Infineon und die taiwanesische Winbond Electronics eine Lizenzvereinbarung unterzeichnet, nach der Winbond den 110-Nanometer-Prozess von Infineon einsetzen wird, um DRAMs für die Deutschen zu fertigen. Die Pilotproduktion soll im Januar 2003 starten. Im Mai 2003 soll dann die Volumenproduktion von 300mm-Wafern einsetzen.

Das dritte, gegenwärtig schon operative Standbein der Deutschen in Taiwan heißt ProMOS. Seit Anfang März liefert das zusammen mit Mosel Vitelic gehaltene Jointventure 48 Prozent seiner DRAM-Produktion an Infineon, 10 Prozent mehr als vorher. ProMOS wird eine zweite Fertigungslinie für 300mm-Wafer bauen. Unklar ist allerdings noch, ob das im Rahmen einer strategischen Allianz oder unter eigener Regie geschieht.

Die Kooperationen würden den Marktanteil von Infineon am DRAM-Weltmarkt im nächsten Jahr stark steigen lassen. Der liegt gegenwärtig bei rund 11 Prozent. Nächstes Etappenziel der Deutschen sind 20 Prozent. Das deutete Vitepräsident Dr. Johann Harter kürzlich bei einer Pressekonferenz an. Infineon wird innerhalb von Jahresfrist die DRAM-Beschaffung in Taiwan um 40 bis 50 Prozent steigern. Beobachter rechnen damit, dass Taiwan im nächsten Jahr 20 Prozent der gesamten DRAM-Produktion von Infineon stellt. Aktuell sind es 13 Prozent.

Masse ist im hochvolatilen DRAM-Geschäft alles. Mit einem Weltmarktanteil von 20 Prozent würde Infineon in dieselbe Größenordnung wie Micron Tech aufrücken. Hinsichtlich Produktionstechnologie liegt Infineon in diesem Halbleitersegment gegenwärtig vorn. Wenn die Linien gut ausgelastet sind, stellt sich damit auch ein signifikanter Kostenvorteil bei Infineon ein. Das wiederum schafft eine stärkere Stellung im Wettbewerb. Da sich Fernost immer mehr zu einem Zentrum der Elektronik auf der Welt entwickelt, ist die starke Position von Infineon in diesem Teil der Erde ebenfalls von Vorteil.

Die Bankgesellschaft Berlin sieht die Entwicklungskooperation mit Nanya zwar positiv, Infineons Geschäftsmodell werde aber mit dem ebenfalls beabsichtigten Engagement bezüglich der DRAM-Produktion zu sehr speicherabhängig. Die Ablehnung des Übernahmeangebots von Micron Tech durch Hynix Semiconductor bedeute kurzfristig ein Rückschritt für die gesamte DRAM-Industrie. Gewinnschätzung und Kaufempfehlung bleiben jedoch unverändert.

Autor: Klaus Singer (© wallstreet:online AG),16:19 03.05.2002

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Je mehr DRAM´s Infineon produziert,
um so größer werden die Verluste,
die Infineon einfährt.