Aixtron - Die Perle im Technologiebereich (Seite 473)

[WAlexandro]

Sehr interessant und aktuell !

Übersetzung aus dem Chinesischen:

Zhangjiagang Forschungsinstitut des Suzhou-Instituts für Nanotechnologie und Nano-Bionik, Chinesische Akademie der Wissenschaften, auf Vorschlag einer einzigen Quelle Beschaffungsmethode für die Metall-organische chemische Dampfabscheidung Ausrüstung Projekt

Veröffentlichungszeit: 2018-08-20

Suzhou Institute of Nano-Tech-und Nano-Bionik Zhangjiagang Chinesischen Akademie der Wissenschaften, Institut für Metallorganische Abscheidung Anschaffungen chemical vapor nach den besonderen Umständen und der Antrag des Käufers für das Projekt, 1. August 2018 für seine Single-Source-Beschaffungsorganisation angenommen werden Das Argument lautet wie folgt:

I. Liste der Experten für die Argumentation
Seriennummer
Name
Einheit
Titel
1
Wu Qingxin
Schule für elektronische Informationstechnik, Suzhou Vocational University
Assoziierter Professor
2
Wang Yusheng
Schule für elektronische Information, Soochow-Universität
Assoziierter Professor
3
Lu Lei
Zhangjiagang City Umweltüberwachung Station
Leitender Ingenieur
4
Sorghum
Zhangjiagang Stadtplanungsbüro
Leitender Ingenieur
5
Yao Jiayu
Jiangsu Gezhi Anwaltskanzlei
Anwalt

Zweitens, der Beschaffungsinhalt:

Zhangjiagang Suzhou Institut für Nanotechnologie und Nano Bionics Institut für Zhangjiagang City, nach den tatsächlichen Bedürfnissen der Industrie und den Einsatz, die sich der Fokus auf die drahtlose Kommunikation, Glasfaser-Kommunikation und Leistungselektronik und andere innovative Technologie und dringliche nationale Schlüsselkomponenten zu GaAs, InP und GaN usw. für den Bereich des Verbindungshalbleiters dargestellt Durchbruch in Schlüsseltechnologien, technische Beratungsdienste, Bau öffentliche Testplattform, Talent Einführung und Industrialisierung Projekte. Institute Kerntechnologie basierende Verbindung metallorganische chemische Dampfabscheidung (MOCVD) epitaktischen Halbleitermaterialtechnologie, sind die wichtigsten Produkte pre-GaAs-basierter Heterojunction Bipolar Transistor HBT und High-Electron-Mobility Transistor pHMET, GaAs-basierten Hochleistungslaser Vertikaler HohlraumlaserUnd epitaktische Wafer wie InP-basierte Kommunikationsbandlaser und -detektoren. Bewerben Sie sich daher für eine Charge von Halbleiter-Epitaxie-Plattform-Ausrüstung.

Projekteinkaufsbudgetbetrag: RMB 整 叁 叁 壹 壹仟 整 整 (¥ 70311000,00)

Drittens, Experten-Argumentations-Meinungen

Zhangjiagang Institute of Technology Institute Nano Nanobionik für GaAs, InP-basierte Laser, Transistoren und Detektoren von hoher Qualität Waferproduktionsentwicklung und metallorganische chemische Dampfabscheidung (MOCVD) Vorrichtung beschafft werden, sollte es maximal haben Die Eigenschaften der Anpassung, die höchste Gleichförmigkeit und die beste Wiederholbarkeit, die Parameter müssen die folgenden Anforderungen erfüllen:

Metallorganische chemische Dampfabscheidungsausrüstung (Ausrüstung eins):

1 . Die Ausrüstung sollte 8 Stück von 6 Zoll oder 12 Stück von 4 Zoll Wachstumskapazität haben und kann mit einem Roboter für automatisches Laden und Entladen ausgestattet sein;

2 . Die Ausrüstung muss mit bis zu 12 MO-Quellen und 6 Kanälen für gasförmige Quellen ausgestattet sein, wobei die MO-Quellenkonzentration von In in Echtzeit überwacht werden kann;

3 . Die Standardabweichung der Materialdicke und Dotierungskonzentrationsgleichmäßigkeit des Wafers ist ≤ 3% und die Verunreinigungshintergrundkonzentration des Materials O ist ≤ 516 cm-3;

4 . Die Standardabweichung der Lichtemissionswellenlänge von InGaAs und AlGaAs-Wafern beträgt ≤ 1 nm.

Metallorganische chemische Dampfabscheidungsausrüstung (Ausrüstung 2):

1 . Ausrüstung sollte 6 Stücke von 2 Zoll oder 3 Stücke von 3 Zoll Wachstumskapazität haben;

2 . Die Ausrüstung muss mit bis zu 12 MO-Quellen und 6 Kanälen für gasförmige Quellen ausgestattet sein, wobei die MO-Quellenkonzentration von In in Echtzeit überwacht werden kann;

3 . Die Standardabweichung der Materialdicke und Dotierungskonzentrationsgleichmäßigkeit des Wafers ist ≤ 3% und die Verunreinigungshintergrundkonzentration des Materials O ist ≤ 516 cm-3;

4 . Das Material des InGaAs- Wafers hat eine Emissionsstandardabweichung von ≤ 1 nm.

Zusammenfassend lässt sich in Verbindung mit der Beschaffung von Ausrüstung Verstellmöglichkeiten treffen müssen, die höchste Homogenität und Reproduzierbarkeit der besten Eigenschaften im Einklang mit den anwendbaren Fall von Single-Source-Beschaffung von „nur von einem einzigen Lieferanten Beschaffung "Kauf" Es wird vorgeschlagen, den einzigen Lieferanten AIXTRON SE für dieses Projekt zu identifizieren.

Vorgeschlagen, den einzigen Lieferanten zu identifizieren: AIXTRON SE, Firmenadresse: Dornkaulstrasse 2, 52134 Herzogenrath, Deutschland



Wenn Sie Einwände dagegen haben, kontaktieren Sie uns bitte vor dem 30. August 2018 mit folgendem Material:

Zhangjiagang Forschungsinstitut, Suzhou Institut für Nanotechnologie und Nano-Bionik, Chinesische Akademie der Wissenschaften, Zhu Jie Tel: [phone]

Zhangjiagang Municipal Government Beschaffungsmanagement Büro Du Wenyan Tel: [phone]

Einwendungen nach Ablauf der Frist werden nicht akzeptiert.

20. August 2018


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Das klingt nach einem ganz fetten Auftrag für Aixtron. Wer kennt Details und/oder weiß, um welchen Auftraggeber es sich dabei handeln könnte?

Viel Glück!

WAlex

[WAlexandro]

sorry, die rote Schrift sollte nur ein Wort herausstellen, nicht den ganzen Text.

[WAlexandro]

Neues von der PR-Abteilung

HLJ Technology erweitert VCSEL-Produktion mit modernster MOCVD-Technologie von AIXTRON

Neuer Kunde setzt auf bewährte AIX 2800G4-TM-Anlage zur Erhöhung von Produktionskapazität und Wafer-Größe

Herzogenrath, 29. August 2018 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass der taiwanesische VCSEL (Vertical-Cavity Surface Emitting Laser; dt. oberflächenemittierende Laser) Epitaxie- und Chiphersteller HLJ Technology Co., Ltd mehrere MOCVD-Anlagen des Typs AIX 2800G4-TM [/red]bestellt hat. Damit soll sowohl die Wafer-Kapazität ausgebaut als auch die Produktionslinie für Epitaxie-Wafer zur VCSEL-Großserienfertigung von 4- auf 6-Zoll erhöht werden. Die vollautomatischen Planetary Reactor®-Anlagen von AIXTRON werden ab Q4/2018 in einer 8x6-Zoll-Konfiguration geliefert.

Die AIX 2800G4-TM gilt aufgrund der einzigartigen Leistungsfähigkeit des Planetary Reactor®-Konzepts hinsichtlich der Kontrolle von Dicke und Gleichmäßigkeit der Wellenlänge der Epitaxieschichten als Industriestandard für High-End-Laseranwendungen wie VCSEL, die vor allem im Bereich der 3D-Sensorik zum Einsatz kommen. Damit liefert die Anlage in der Produktion eine maximale Ausbeute hochwertiger Produkte.

Dr. Larry Lai, General Manager von HLJ, sagt: „Um der schnell wachsenden Marktnachfrage für VCSEL sowohl auf Epi-Wafer- als auch auf Chip-Ebene gerecht zu werden, haben wir uns entschlossen, die Produktion auf 6-Zoll-Epi-Wafer auszuweiten. Dazu werden ab Q4/2018 zwei neu bestellte AIXTRON MOCVD-Anlagen bei HLJ eintreffen. In Q2/2019 wird die erste vollständige Produktionslinie für die VCSEL-Großserienproduktion betriebsbereit sein.“

„Wir freuen uns sehr, dass sich unser Neukunde HLJ Technology für unsere AIX 2800G4-TM-Anlage entschieden hat. Sie bietet die besten Herstellungsprozesse für die Großserienfertigung von VCSEL-Wafern und -Chips. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit HLJ und werden das Unternehmen bei der Anpassung seiner Produktionsprozesse an unsere Anlagentechnologie bestmöglich unterstützen“, so Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON SE.

Quelle: PR-Aixtron von soeben

[WAlexandro]

Antwort auf Beitrag Nr.: 58.553.783 von wallrich am 28.08.18 18:52:52

Mein Gefühl sagt für Dezember etwa 18 €.

(Gefühl = Mix aus CEO Aussagen auf der HV, allgemeine Marktlage, mögliche Aufträge und/oder Joinventures und eigener Hoffnung)

[wallrich]

Im dezember

[wallrich]

Antwort auf Beitrag Nr.: 58.547.684 von Investor85 am 28.08.18 07:45:15

An welchem datum bzw Zeitraum denkst du an die 21e 12.00 wird ne harte nuss. Was sagt euer wissenstand ubd Bauchgefühl wo aixtron im stehen könnte.

[Investor85]

Mein Persönliches Kursziel für Aixtron liegt bei 21€.Momentan total unterbewertet

[WAlexandro]

Land in Sicht?

https://www.wallstreet-online.de/nachricht/10821779-anlegerv…

[MichaBu]

Deutsche Bank Reiterates “€18.00” Price Target for Aixtron (AIXA)

https://www.baseballdailydigest.com/2018/08/25/deutsche-bank…

[MichaBu]

Aixtron Aktie: Boom in der Halbleiterindustrie hält an !

https://www.finanztrends.info/aixtron-aktie-boom-in-der-halb…

Hopp Hopp Richtung Norden! Am Jahresende möchte ich wieder einen Kurs von 18 Euro sehen!